AI 加速器的限制，已不只是在先進製程能否做出運算晶片。如何把運算裸晶與高頻寬記憶體（HBM）整合成一個大型封裝，也成了供應鏈的關鍵關卡。

英特爾主打的 EMIB-T，瞄準的正是這個缺口：它不以一整片矽中介層鋪滿封裝底部，而是只在需要高密度連線的位置放入矽橋，並為 HBM 導向的設計加入較直接的垂直供電路徑。18

不過，這不代表 EMIB-T 已證明能全面取代台積電 CoWoS。較合理的解讀是：當 CoWoS 配額緊張時，晶片設計公司可望多出一種可資格認證的先進封裝路線；但其量產良率、HBM 相容性、可靠度與長期交付能力，仍是商業化成敗的決定因素。

技術差別：不是單純「有沒有中介層」

CoWoS：以大面積互連層串起運算晶片與 HBM

在典型的 CoWoS-S 架構中，運算裸晶與 HBM 堆疊並排於大型矽中介層上。中介層在封裝底下提供大範圍、高密度的佈線平面，支援 AI 加速器所需的超寬記憶體連線。4

這種作法已相當成熟，也適合大型 HBM 系統；但大面積矽中介層意味著需要更多矽材，並使產能更緊密地依賴專門的先進封裝供應鏈。

值得注意的是，CoWoS 並非單一固定架構。台積電的 CoWoS-L 採用重佈線層（RDL）中介結構與局部矽互連橋，而不是完全依賴一整片單體式矽中介層。因此，實際比較不能簡化成「中介層」對上「無中介層」。7

EMIB：只在必要處使用矽橋

EMIB 全名為 Embedded Multi-die Interconnect Bridge（嵌入式多晶粒互連橋）。它將小型矽橋嵌入有機封裝基板中，讓相鄰裸晶——例如運算晶片與 HBM——在需要處取得短距離、高密度的連線；其餘較低密度的走線，則由基板負責。1822

核心概念是避免在整個封裝底下鋪設大型矽中介層。英特爾表示，局部嵌入式矽橋可針對邏輯對邏輯、邏輯對 HBM 的不同需求選擇對應橋接型態，提供更具成本效益的整合選項。18

EMIB-T：在矽橋中加入 TSV，強化供電

EMIB-T 是 EMIB 的延伸版本。它在嵌入式矽橋中加入穿矽通孔（TSV）。英特爾指出，這是為回應 HBM 成長帶來的垂直供電需求，目標是降低直流與交流雜訊。18

簡單說，標準 EMIB 的重點是相鄰裸晶之間的高密度橫向連線；EMIB-T 則讓電力可更直接地垂直穿過矽橋傳遞，以應對更大封裝、更高電流的電氣需求。相關報導也指出，這項設計可望降低舊有供電路徑的電壓降問題。1827

英特爾看到的機會：CoWoS 產能雖擴張，分配仍高度集中

CoWoS 產能正快速增加。產業估計顯示，台積電 CoWoS 月開工產能從 2023 年底約 1.3 萬片，成長至 2026 年底約 12 萬至 13 萬片。44 但 AI 加速器需求也同步放大，因此擴產不等於瓶頸消失。

TrendForce 報導引述機構投資人估計，CoWoS 供需缺口可望由 2026 年年中約 20%，縮小至年底約 10%，但不會完全消失。36

另有估計認為，Nvidia 掌握約 60% 的 CoWoS 配額；這並非台積電公開揭露的數字，但若估計接近事實，便能說明為何自研 AI 晶片的雲端服務商與 ASIC 業者會重視第二供應來源。30

對英特爾而言，EMIB-T 不只是 CoWoS 不夠用時的備援選項，更是長期供應鏈選擇權：客戶可在未來的加速器世代同時認證另一套封裝架構，降低對單一封裝路線與緊張配額池的依賴。

哪些公司在使用、測試或評估？要區分「採用」與「有興趣」

目前公開證據的強弱差異很大，不能把所有市場傳聞都當作量產訂單。

公司或計畫	公開報導的狀態	可合理得出的結論
聯發科	據報導，聯發科表示會在一款超大型客製 AI ASIC 中，同時採用 CoWoS 與 EMIB-T。1	這是目前最明確的採用訊號，但屬於並行策略，並不代表 EMIB-T 已取代 CoWoS。
Google TPU	有匿名消息來源稱，Google 與聯發科正評估英特爾封裝用於未來 TPU；另有報導稱 Google 已預訂英特爾在 2028 年封裝逾 300 萬顆 TPU。68	潛在規模可觀，但 Google 尚未公開確認計畫細節或數量。
Broadcom 與 Meta	兩家公司被報導正考慮改用或部分轉向 EMIB；Meta 的推論晶片被提及為可能目標。1	應視為評估或興趣，而非已公開的量產訂單。
Nvidia	報導指向 Nvidia 正關注替代方案，但現有資訊不足以證實其已承諾 EMIB-T 的量產計畫。1	對替代方案感興趣、或與英特爾存在合作活動，不等於已採用 EMIB-T。
SK hynix	據報導，SK hynix 正測試英特爾 EMIB 用於 HBM 整合。10	測試有助於生態系資格認證，但不等於量產承諾。
Amazon Trainium	部分報導提及 Amazon Trainium 產品線的討論或興趣。9	對 Trainium 4 而言，公開資訊仍不足以證明已有定案的 EMIB-T 訂單。

先進封裝要走到高量產階段，必須跨過電氣性能、散熱、機械可靠度、基板供應、HBM 互通性，以及長期製造良率等多重驗證。因此，客戶評估固然是早期生態系訊號，卻不能直接等同高量產部署。

若英特爾在 2027 年下半年擴大量產，代表什麼？

報導將 EMIB-T 的量產擴張與 2026 至 2027 年連結。925 假如英特爾能在 2027 年下半年達到有意義的規模，其最大機會可能出現在 CoWoS 最嚴重缺貨開始緩解之後。

這個時間點更有利於形成多重供應，而非市場突然全面換平台：

• CoWoS 仍是成熟主流。 它具備深厚的生態系、製程成熟度與客戶使用經驗，對許多頂級 AI 設計仍會是預設選項。
• EMIB-T 提供不同的工程與供應鏈路徑。 局部矽橋可降低對全封裝矽中介層的依賴，而 TSV 則鎖定大型 HBM 封裝的供電需求。18
• 即使缺口縮小，配額仍具戰略價值。 即使預估供需缺口降至 10%，對跨年度規劃的加速器產品而言，配額風險與上市時程依然影響重大。36

結論：EMIB-T 最可能的角色是「可靠的第二選項」

短期內，英特爾最實際的目標不是在整個 AI 市場取代 CoWoS，而是成為部分 HBM 密集型 AI 加速器與超大規模雲端業者 ASIC 的長期第二先進封裝供應商。

EMIB-T 的命題很明確：以局部嵌入式矽橋取代覆蓋整個封裝的大面積矽中介層，再藉由 TSV 提供更直接的垂直供電，處理下一代大型封裝的電氣需求。18 這能否發展成重大商業業務，最終仍要看量產良率、HBM 資格認證、可靠度，以及能否穩定、重複地執行高量產交付。

AI 加速器的限制，已不只是在先進製程能否做出運算晶片。如何把運算裸晶與高頻寬記憶體（HBM）整合成一個大型封裝，也成了供應鏈的關鍵關卡。

英特爾主打的 EMIB-T，瞄準的正是這個缺口：它不以一整片矽中介層鋪滿封裝底部，而是只在需要高密度連線的位置放入矽橋，並為 HBM 導向的設計加入較直接的垂直供電路徑。18

不過，這不代表 EMIB-T 已證明能全面取代台積電 CoWoS。較合理的解讀是：當 CoWoS 配額緊張時，晶片設計公司可望多出一種可資格認證的先進封裝路線；但其量產良率、HBM 相容性、可靠度與長期交付能力，仍是商業化成敗的決定因素。

技術差別：不是單純「有沒有中介層」

CoWoS：以大面積互連層串起運算晶片與 HBM

在典型的 CoWoS-S 架構中，運算裸晶與 HBM 堆疊並排於大型矽中介層上。中介層在封裝底下提供大範圍、高密度的佈線平面，支援 AI 加速器所需的超寬記憶體連線。4

這種作法已相當成熟，也適合大型 HBM 系統；但大面積矽中介層意味著需要更多矽材，並使產能更緊密地依賴專門的先進封裝供應鏈。

值得注意的是，CoWoS 並非單一固定架構。台積電的 CoWoS-L 採用重佈線層（RDL）中介結構與局部矽互連橋，而不是完全依賴一整片單體式矽中介層。因此，實際比較不能簡化成「中介層」對上「無中介層」。7

EMIB：只在必要處使用矽橋

EMIB 全名為 Embedded Multi-die Interconnect Bridge（嵌入式多晶粒互連橋）。它將小型矽橋嵌入有機封裝基板中，讓相鄰裸晶——例如運算晶片與 HBM——在需要處取得短距離、高密度的連線；其餘較低密度的走線，則由基板負責。1822

核心概念是避免在整個封裝底下鋪設大型矽中介層。英特爾表示，局部嵌入式矽橋可針對邏輯對邏輯、邏輯對 HBM 的不同需求選擇對應橋接型態，提供更具成本效益的整合選項。18

EMIB-T：在矽橋中加入 TSV，強化供電

EMIB-T 是 EMIB 的延伸版本。它在嵌入式矽橋中加入穿矽通孔（TSV）。英特爾指出，這是為回應 HBM 成長帶來的垂直供電需求，目標是降低直流與交流雜訊。18

簡單說，標準 EMIB 的重點是相鄰裸晶之間的高密度橫向連線；EMIB-T 則讓電力可更直接地垂直穿過矽橋傳遞，以應對更大封裝、更高電流的電氣需求。相關報導也指出，這項設計可望降低舊有供電路徑的電壓降問題。1827

英特爾看到的機會：CoWoS 產能雖擴張，分配仍高度集中

CoWoS 產能正快速增加。產業估計顯示，台積電 CoWoS 月開工產能從 2023 年底約 1.3 萬片，成長至 2026 年底約 12 萬至 13 萬片。44 但 AI 加速器需求也同步放大，因此擴產不等於瓶頸消失。

TrendForce 報導引述機構投資人估計，CoWoS 供需缺口可望由 2026 年年中約 20%，縮小至年底約 10%，但不會完全消失。36

另有估計認為，Nvidia 掌握約 60% 的 CoWoS 配額；這並非台積電公開揭露的數字，但若估計接近事實，便能說明為何自研 AI 晶片的雲端服務商與 ASIC 業者會重視第二供應來源。30

對英特爾而言，EMIB-T 不只是 CoWoS 不夠用時的備援選項，更是長期供應鏈選擇權：客戶可在未來的加速器世代同時認證另一套封裝架構，降低對單一封裝路線與緊張配額池的依賴。

哪些公司在使用、測試或評估？要區分「採用」與「有興趣」

目前公開證據的強弱差異很大，不能把所有市場傳聞都當作量產訂單。

公司或計畫	公開報導的狀態	可合理得出的結論
聯發科	據報導，聯發科表示會在一款超大型客製 AI ASIC 中，同時採用 CoWoS 與 EMIB-T。1	這是目前最明確的採用訊號，但屬於並行策略，並不代表 EMIB-T 已取代 CoWoS。
Google TPU	有匿名消息來源稱，Google 與聯發科正評估英特爾封裝用於未來 TPU；另有報導稱 Google 已預訂英特爾在 2028 年封裝逾 300 萬顆 TPU。68	潛在規模可觀，但 Google 尚未公開確認計畫細節或數量。
Broadcom 與 Meta	兩家公司被報導正考慮改用或部分轉向 EMIB；Meta 的推論晶片被提及為可能目標。1	應視為評估或興趣，而非已公開的量產訂單。
Nvidia	報導指向 Nvidia 正關注替代方案，但現有資訊不足以證實其已承諾 EMIB-T 的量產計畫。1	對替代方案感興趣、或與英特爾存在合作活動，不等於已採用 EMIB-T。
SK hynix	據報導，SK hynix 正測試英特爾 EMIB 用於 HBM 整合。10	測試有助於生態系資格認證，但不等於量產承諾。
Amazon Trainium	部分報導提及 Amazon Trainium 產品線的討論或興趣。9	對 Trainium 4 而言，公開資訊仍不足以證明已有定案的 EMIB-T 訂單。

先進封裝要走到高量產階段，必須跨過電氣性能、散熱、機械可靠度、基板供應、HBM 互通性，以及長期製造良率等多重驗證。因此，客戶評估固然是早期生態系訊號，卻不能直接等同高量產部署。

若英特爾在 2027 年下半年擴大量產，代表什麼？

報導將 EMIB-T 的量產擴張與 2026 至 2027 年連結。925 假如英特爾能在 2027 年下半年達到有意義的規模，其最大機會可能出現在 CoWoS 最嚴重缺貨開始緩解之後。

這個時間點更有利於形成多重供應，而非市場突然全面換平台：

• CoWoS 仍是成熟主流。 它具備深厚的生態系、製程成熟度與客戶使用經驗，對許多頂級 AI 設計仍會是預設選項。
• EMIB-T 提供不同的工程與供應鏈路徑。 局部矽橋可降低對全封裝矽中介層的依賴，而 TSV 則鎖定大型 HBM 封裝的供電需求。18
• 即使缺口縮小，配額仍具戰略價值。 即使預估供需缺口降至 10%，對跨年度規劃的加速器產品而言，配額風險與上市時程依然影響重大。36

結論：EMIB-T 最可能的角色是「可靠的第二選項」

短期內，英特爾最實際的目標不是在整個 AI 市場取代 CoWoS，而是成為部分 HBM 密集型 AI 加速器與超大規模雲端業者 ASIC 的長期第二先進封裝供應商。

EMIB-T 的命題很明確：以局部嵌入式矽橋取代覆蓋整個封裝的大面積矽中介層，再藉由 TSV 提供更直接的垂直供電，處理下一代大型封裝的電氣需求。18 這能否發展成重大商業業務，最終仍要看量產良率、HBM 資格認證、可靠度，以及能否穩定、重複地執行高量產交付。