CXMT 史詩級 IPO 與國產 DUV 光刻機亮相：全球半導體市場的震撼與真相

成立於 2016 年的 CXMT，截至 2025 年第四季已占有全球 DRAM 市場約 7.67% 的市占率 。公司預計將 IPO 資金主要投入記憶體晶圓的量產與研發，目標月產能擴充至約 30 萬至 38 萬片晶圓 。

不過，值得留意的是，CXMT 的招股書將 295 億人民幣分配給三個項目：DRAM 技術升級、次世代 DRAM 研發，以及記憶體晶圓製造產線升級——但其中完全沒有為高頻寬記憶體（HBM）設立專項資金或明確的投資承諾，而 HBM 正是目前由 SK 海力士與三星主導的最關鍵成長領域 。

國產浸潤式 DUV 光刻機：突破性進展但瓶頸重重

根據《The Information》的報導，一家上海國資背景的製造商已開始量產浸潤式 DUV 光刻機，首批設備預計今年內交付給中芯國際（SMIC）、華虹半導體與 CXMT 。由於政治敏感性，該製造商的身分並未公開 。

目前的產量與 ASML 的規模相比，可說是天壤之別。中國的目標是 2026 年生產約 5 台，2027 年約 20 台 。作為對照，ASML 在 2025 年一年內就出貨了 131 台浸潤式 DUV 系統 。路透社報導指出，這批中國自製的設備在性能與可靠度上仍有差距，必須經過更長時間的測試才能獲得大規模量產採用 。

中芯國際早在 2025 年 9 月就曾測試過一台名為「御量生」的浸潤式光刻系統 。分析師對於中國 DUV 設備何時能達到商業競爭水準，也給出了跨度極大的時間表——從具備 7 奈米生產能力的浸潤式 DUV 可能要到 2030 年代中期，到 EUV 設備則可能要到 2040 年左右 。

市場衝擊：記憶體股首當其衝

市場擔憂 CXMT 的產能擴張以及中國晶片設備的突破，將導致 DRAM 市場供過於求，競爭對手的股價因此暴跌。

• 美光科技（Micron, MU）：7 月 28 日單日重挫 8.9%，7 月累計跌幅超過 29%，正邁向 11 年來最慘的單月表現 。
• SK 海力士：南韓掛牌股價單日暴跌 14%，美股 ADR 也下跌 9% 。
• 三星電子：7 月 28 日盤中一度重挫 13.4% 。
• ASML：DUV 消息傳出後，股價下跌約 11%，但摩根大通分析師認為，即使中期來看，中國光刻機的威脅仍然有限 。

南韓股市尤其受到衝擊，因為市場擔心 CXMT 未來可能進一步自產光刻設備 。美國晶片股也籠罩在賣壓之下，SanDisk 下跌 11%，輝達（Nvidia）下跌 5% 。

ASML：夾在中美之間，但護城河仍在

正如路透社所言，ASML 正「被夾在中美之間進退兩難」。然而，該荷蘭公司的浸潤式 DUV 與 EUV 光刻機在精度與產能上仍遙遙領先，中國目前的產量對 ASML 而言不過是個零頭 。

2025 年，中國市場約占 ASML 總銷售額的 29%，主要來自 DUV 設備與相關服務 。美國國會尚未通過的《MATCH 法案》若生效，將明文禁止 ASML 向包括中芯國際、華虹半導體、華為、CXMT、長江存儲在內的中國企業銷售或提供維修服務，可能影響 ASML 整體營收 10% 至 15% 。

風險提示與分析師觀點

許多分析師認為，中國要在 DRAM 「三巨頭」（三星、SK 海力士、美光）與 ASML 的領域中構成實質威脅，還需要數年時間 。主要原因如下：

• DUV 光刻機的報導來自《The Information》的匿名消息來源，這些設備尚未進入大規模量產，也未在任何晶圓廠內獲得規模化驗證 。
• CXMT 的招股書中沒有為 HBM 提列專項支出，意味該公司短時間內無法挑戰利潤最高且成長最快的記憶體產品類別 。
• CXMT 與中芯國際在營運上仍高度依賴庫存中的西方設備，並且完全無法取得 EUV 光刻機，這使得它們在良率與晶片密度上，難以追上台積電或 SK 海力士 。

結論

市場目前正在對中國晶片自主化的可信長期威脅進行重新定價，並導致記憶體相關股票劇烈震盪。但實際來看，短期內 SK 海力士、美光或 ASML 的市場版圖並未被真正蠶食——這一波賣壓更多是來自市場情緒以及對未來產能過剩的恐懼，而非立即的市占率流失。