AI 資料中心正在擠壓記憶體市場，PC 與手機價格也可能受波及

AI 基礎設施的擴張，正在把記憶體市場推向一場「產能分配戰」。同一批供應鏈必須同時滿足高價的 AI 記憶體、伺服器 DRAM，以及 PC、手機與 SSD 所需的傳統 DRAM、NAND 快閃記憶體；但對製造商來說，高頻寬記憶體（HBM）、高容量伺服器 DRAM 和企業級儲存產品的報酬更高，因此資源自然優先流向資料中心。

這代表 AI 的影響不會只停在 GPU 或 AI 加速器。當晶圓、封裝、測試與工程資源被重新配置，消費型裝置所用的記憶體與儲存零件也可能變得更貴、更難取得。4152

問題核心：有限產能正轉往 AI 記憶體

HBM 是與 AI 加速器搭配使用的高階 DRAM。它不僅需要 DRAM 晶粒，還要經過多層堆疊、測試及先進封裝；另一邊，AI 伺服器也需要大量的標準伺服器記憶體及企業級 NAND 儲存。

關鍵在於，記憶體產能不能瞬間任意互換或擴大。當三星、SK hynix 與美光（Micron）優先投向 AI 導向產品，可分配給一般 DRAM 的產能便會收緊。S&P Global 指出，產能向 HBM 傾斜，正是傳統 DRAM 供應不足與價格上漲的直接推力。41

而且市場高度集中：三星、SK hynix 與美光合計約掌握全球 90% 至 95% 的 DRAM 生產產能，三家的產品組合一旦改變，影響會迅速傳遍全球供應鏈。47

DRAM 真的會年增逾 200% 嗎？先看統計口徑

「DRAM 價格年增超過 200%」這個說法必須審慎解讀。TechInsights 的說法是預測，不是已經確認、適用於所有產品和市場的成交價格。36

但市場數據確實反映出罕見的漲價壓力。TrendForce 預估，2026 年第三季傳統 DRAM 合約價仍將季增 13% 至 18%；即使此前已大幅調漲，市場供給依然極度吃緊。51 此外，韓國 8 月部分期間的 DRAM 出口單位價格，年增 401%；但這是貿易統計指標，不能直接等同於全球零售價或所有合約價。33

對消費者與採購端而言，重點不在於單一百分比，而是趨勢：不同產品、合約、地區與時間點的漲幅會有差異，但整體價格方向仍明顯向上。

「賣到 2027 年」不代表所有記憶體都缺貨

市場上所稱的「記憶體賣光」，不應理解成每種 RAM 或快閃記憶體都買不到、一路缺到 2027 年。較可靠的解讀是：最先進的 HBM 與高密度伺服器記憶體正處於高度配額管理狀態，主要客戶已提前鎖定大量供給。

例如，美光 2026 年全數 HBM 產出據報已售罄；另有報導稱，三大供應商的 2027 年 DRAM 與 HBM 產能已大幅分配給客戶。3440 這是一個典型的配額市場：簽有長約、採購規模大或具策略重要性的客戶會優先取得貨源；其他買家則要面對更高價格、較低彈性，或被迫改用替代規格。

對買 PC、手機的人，可能意味著什麼？

當記憶體成本跳升，裝置品牌通常只有幾種應對方式：

• 自行吸收零件漲價：毛利率會被壓縮。
• 調高零售售價：大 RAM、大儲存容量的機種特別容易受影響。
• 調整規格或促銷：例如降低記憶體配置、減少折扣，或改變主力產品組合。
• 修改生產計畫：若理想零件難買或成本過高，出貨安排可能改變。

IDC 預期，這股壓力將同時影響價格與出貨量。其目前預測顯示，2026 年全球 PC 出貨量將下滑 11.3%，但因平均售價提高，營收仍可成長 1.6%；智慧型手機出貨量則預計下滑 12.9%。IDC 認為記憶體供給問題將延續整個 2026 年，並很可能持續到 2027 年相當長一段時間。這些都屬於預測，不是既定結果；終端需求是否接受漲價，仍會限制品牌能轉嫁多少成本。56

衝擊也不會平均分布。高階電競 PC、工作站、旗艦手機，以及大容量 SSD 裝置，通常比入門款更容易受到零件通膨影響；不過，品牌也可以藉由調整配置來降低衝擊。

新廠為何無法一夜解決缺貨？

新增記憶體產能是一條很長的路：興建廠房、安裝設備、製程驗證、良率提升，到量產爬坡都需要時間。HBM 又多了一層難題，因為 DRAM 晶圓產出增加之外，堆疊與先進封裝能力也必須同步擴張。

部分新增產能會較早出現。SK hynix 的 M15X 廠預定在 2027 年年中投入使用，三星位於平澤的 P5 廠則預期在 2028 年運作。21 然而，SK hynix 其他大型計畫的首座無塵室時程落在 2028 年底與 2029 年，也說明宣布投資不等於短期內就能提供可售晶片。17

因此，2027 年即使供給會逐步增加，也不代表市場會立刻供過於求。TrendForce 指出，多家供應商雖計畫在 2027 年啟用新產能，但工程進度、設備安裝及材料準備，都會延後具規模的量產爬坡。52

2028 年會紓緩嗎？有可能，但不保證

到 2028 年出現緩解是合理情境，卻不是必然，而且不同記憶體類型的走勢可能分化。

TrendForce 預期，隨新產能到位、消費電子需求偏弱，NAND 快閃記憶體可能在 2027 年下半年進入供給較寬鬆的環境。相對地，DRAM 仍將受 HBM 產能配置、AI 伺服器需求與伺服器記憶體採購推動，供給偏緊、價格續升。52

三星也警告，直到 2028 年前，市場可能難看到新增供給大幅增加。53 接下來應觀察的變數包括：AI 伺服器建置速度、HBM 良率、先進封裝產能、新廠實際量產進度，以及記憶體廠是否將更多產能調回傳統 DRAM。

中國可補部分缺口，但短期難解 HBM 瓶頸

中國兩家主要記憶體業者的定位不同：

• **長江存儲（YMTC）**主力是 NAND 快閃記憶體。其產能若增加，長期可能影響用戶端 SSD 與其他快閃產品，但並不能直接取代 AI 市場最吃緊的先進 DRAM 與 HBM。
• **長鑫存儲（CXMT）**則是較關鍵的中國 DRAM 供應商。據報已開始為中國本土 AI 晶片開發商小量生產 HBM3E，但能否大規模穩定量產仍有待驗證。4

出口管制也增加了不確定性。路透報導，YMTC 已被列入美國「實體清單」（Entity List），其取得美國來源供應商、軟體與記憶體製造工具受到限制；而涉及 YMTC 與 CXMT 的進一步限制亦曾被討論。1 這些限制可能使擴產和取得先進製造能力的進度更難預測。

因此，中國供應商未來可能在傳統 DRAM 與 NAND、尤其是中國內需市場中扮演更重要角色；但目前證據不足以支持把它們視為短期解決先進 HBM 缺貨的方案。

結論：AI 的記憶體壓力，最後可能反映在一般裝置售價

這波記憶體緊張並不只是某一種高階晶片突然熱賣，而是晶圓、先進封裝與長期供應合約共同造成的產能配置問題。HBM 的搶貨潮，因而能推升 PC、手機及企業系統所用一般 DRAM 和快閃記憶體的成本。

目前最有依據的判斷是：供給緊張可能延續至 2027 年，之後隨新產能爬坡而出現不均勻的改善。NAND 或許較早轉鬆；只要 AI 資料中心需求持續快於合格產能，DRAM 與 HBM 則更可能維持緊俏。5253