AI 資料中心的擴建,正讓記憶體成為整個供應鏈的關鍵限制,而不只是 AI 加速器的問題。每一座 AI 叢集除了需要 GPU 或其他加速器,也要搭配高頻寬記憶體(HBM)、傳統伺服器 DRAM,以及企業級 SSD。當供應商將稀缺產能優先投入這些高價值產品,PC 與手機品牌便得面對成本上升、採購彈性下降的局面。這更像一輪可能延續多年的記憶體循環,而非短暫的零組件缺貨。
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瓶頸不只在 HBM
HBM 是堆疊式的專用記憶體,通常配置在 AI 加速器附近;但它只占 AI 伺服器記憶體成本的一部分。大型系統仍需傳統 DRAM 供 CPU 與系統記憶體使用,而資料中心的儲存需求也帶動企業級 SSD。TrendForce 預估,伺服器 DRAM 與 HBM 的合計位元需求,至 2028 年將以 37.4% 的複合年成長率成長。
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問題在於,HBM 需要稀缺的先進 DRAM 產能與先進封裝能力。製造商若優先供應 HBM 和高容量伺服器記憶體,能分配給 PC、手機所用通用型 DRAM 的資源就會變少。TrendForce 指出,AI 伺服器同時推動傳統 DRAM 與 HBM 需求,而產能優先配置正對 PC 與智慧型手機市場施加成本壓力。
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為何高價可能延續到 2027 年
供給端的反應並不快。新產能不是宣布蓋晶圓廠後就能立刻產出,還得經歷無塵室建置、設備安裝、製程驗證、良率提升,以及先進封裝擴產等階段,才能形成可觀出貨量。
9 月報導引述 TechInsights 預測,DRAM 價格可能年增超過 200%。這是極為激進的預測,不是已被確認的市場結果。另有報導引述 TrendForce 估計,2026 年伺服器 DRAM 元件價格年增幅約為 270%,企業級 SSD 價格則約增 235%。
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提前鎖貨也讓市場更緊。根據 DigiTimes 相關報導,三星、SK hynix 與美光已提前分配 2027 年的 DRAM 與 HBM 產能。這項說法應審慎看待:它來自產業報導,並非三家業者正式宣告每一單位產出都已無貨可買。不過,其他訊號也支持供應吃緊的判斷。SK hynix 執行長郭魯正向路透表示,從供給面來看,2027 年可能成為產業史上最嚴峻的一年。
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PC 與手機買家會感受到什麼?
記憶體漲價不代表每一款裝置都會以相同比例調價。品牌可自行吸收部分成本、調整記憶體或儲存容量配置、將生產重心移往高毛利機種,或直接提高售價。但壓力方向很明確:TrendForce 預期,在 AI 伺服器取得供應優先權、零組件成本上升下,PC 與智慧型手機需求將放緩。
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較可能出現的影響包括:
- 平均售價提高: 有較強定價能力的品牌,可能將部分記憶體成本轉嫁給消費者。
- 低價配置減少: 入門產品可能配備較少記憶體或儲存空間;若利潤不足,某些低價型號也可能消失。
- 低毛利產品供應更緊: PC 廠商、Chromebook 品牌與中階手機業者,相較高階品牌更難吸收元件成本。
- 出貨量承壓: 即便終端需求未必消失,廠商也可能減產無利可圖的機種。
目前沒有一項可靠的全球 PC 或手機出貨預測,能把變化完全歸因於記憶體。換機週期、匯率、關稅與整體景氣都會影響結果。不過,更高的記憶體成本顯然會讓主打平價裝置的策略更難維持。
DRAM 與 NAND 的走勢可能分歧
把所有「記憶體」視為同一市場,容易忽略一項關鍵差異。DRAM,尤其是 HBM 與伺服器 DRAM,看來將維持結構性緊張;NAND 則因位元產出可望擴張,較有機會回到平衡。
| 類別 |
2027 年展望 |
接下來可能發展 |
| DRAM 與 HBM |
AI 需求、持續將產能配置給 HBM,以及 CPU 記憶體採購增加,預期都會使供應受限並維持價格上行壓力。 39 |
新產能與良率改善終將有助緩解失衡,但價格何時、以何種幅度正常化仍不明朗。 |
| NAND 與企業級 SSD |
AI 帶動的儲存需求,使 NAND 在 2026 年持續供不應求。 42 |
TrendForce 預期,隨製程轉換、位元產出成長及消費電子需求偏弱,NAND 緊張狀況可望在 2027 年下半年緩解,價格可能承受下行壓力。 42 39 |
這種分歧是觀察 2027 至 2028 年市場的核心。HBM 的產能轉換與 AI 伺服器 DRAM 需求,對 DRAM 形成的限制,並不能直接套用到 NAND。NAND 仍可能波動,但現有證據較支持它會比 DRAM 更早轉鬆,而不是保證持續出現如 HBM 般的稀缺。
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中國的 CXMT 與 YMTC:可增供應,但暫非全球即時解方
中國擴大記憶體產能,可能提升本土供應韌性,但目前尚不能直接取代既有領導廠商的先進 HBM 與伺服器 DRAM。
**CXMT(長鑫存儲)**是中國主要的 DRAM 挑戰者。報導指出,該公司已開始為中國本土 AI 晶片開發商小規模生產 HBM3E;商業整合仍取決於測試是否成功,並以 2027 年擴產為目標。
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**YMTC(長江存儲)**則是中國主要 NAND 製造商。CXMT 與 YMTC 可為中國國內裝置、SSD 與資料中心部署增加具策略意義的 DRAM、NAND 供應;但先進 HBM 與晶圓製造設備的出口限制,讓中國擴大尖端記憶體技術及周邊封裝生態系的難度上升。美國於 2024 年 12 月將先進 HBM 納入出口限制。
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中國的擴產未必能迅速舒緩其他市場的短缺。報導顯示,CXMT 增加的產出可能主要被中國雲端服務業者吸收;同時,相關限制使韓國記憶體業者直接供應先進記憶體給中國雲端業者更為困難。
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實際結論
AI 記憶體緊缺並不是「HBM 賣光」這麼單純。AI 叢集同時拉高多種記憶體需求,而 HBM 所需的特殊製造與先進封裝,又限制了供應商擴產的速度。這種組合強化了記憶體廠商在合約談判中的議價能力,也把成本壓力轉移至消費電子。
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依現有證據,最清晰的基本情境是:DRAM 供應緊張將延續至 2027 年,其中 HBM 與伺服器 DRAM 的影響最顯著。NAND 短期內仍可能承壓,但在 2027 年底前出現緩和的路徑較為可信。對裝置買家來說,影響未必是所有產品同步暴漲,而更可能呈現為主流產品變貴、超值入門配置減少,以及低毛利產品供貨更緊。
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