AI 搶走記憶體產能：DRAM 緊到 2027，NAND 下半年可能轉鬆

AI 基礎設施建置，正讓記憶體從一般零組件變成運算成長的關鍵限制。高頻寬記憶體（HBM）與高密度伺服器 DRAM 的需求，大量吸收原本可供一般記憶體使用的製造與封裝能力；結果是 DRAM 市場更偏向賣方、主要供應商的可用庫存緩衝極薄，成本壓力也從 AI 加速器一路傳到智慧手機與個人電腦。745

三星與 SK hynix：需求強勁，但庫存緩衝極低

KB 證券在 9 月估計，三星電子與 SK hynix 在第 3 季的記憶體庫存都低於 10 天。這是分析師估算，並非兩家公司公布、可直接對照的營運數據；較合適的解讀是：市場可調度的供給非常緊，而非將它視為精確的庫存天數指標。1921

庫存薄並不代表景氣疲弱，反而反映需求與配貨壓力升高。記憶體廠正優先供應高附加價值的 HBM 和伺服器 DRAM，客戶也更早尋求取得供貨承諾。HBM 產能受限，同樣推升整體記憶體短缺與價格上漲。2910

為何 HBM4 會連帶壓縮一般 DRAM？

HBM 是由多層 DRAM 堆疊而成、緊鄰 AI 處理器配置的高速記憶體，目的是提供極高頻寬。以輝達（Nvidia）Rubin GPU 為例，單顆晶片據報最高可搭載 288GB 的 HBM4。31

這讓 HBM 成為 AI 加速器不可或缺的系統級元件，但影響不只在 GPU 出貨量。擴大 HBM 產量需要稀缺的晶圓產能與複雜的先進封裝，同時製造商也把資本支出導向伺服器級記憶體。當資源轉向這些高價產品，可供 PC、手機及其他裝置使用的一般 DRAM 便會減少。2945

因此，這已不只是傳統的庫存循環：AI 記憶體需求不僅推高價格，也可能實質限制記憶體的可得性。

2027 年的分化：DRAM 仍緊，NAND 可能轉鬆

最有依據的預測，並非所有記憶體種類都會同步短缺。

• **DRAM：**TrendForce 預期，持續配置給 HBM 的產能、AI 伺服器需求，以及單台伺服器記憶體容量增加，將使 2027 年 DRAM 供應維持受限、價格繼續走升。7
• **NAND Flash：**同一份預測認為，隨著新產能到位而消費性電子需求仍疲弱，NAND 將在 2027 年下半年進入較寬鬆的供給環境，價格面臨下行壓力。7

至於 2027 年 DRAM 供需缺口究竟多大，市場看法並不一致。市場報導引述摩根大通估計，供需成長缺口約為 7%；也有其他預測提出較低的缺口數字。但方向相對一致：DRAM 在 2027 年預計仍將偏緊。3342

對採購端來說，SSD 與儲存裝置價格最終可能比 DRAM 更早緩解。也因此，「所有記憶體都會一路缺到 2033 年」的說法過於籠統；現有證據支持先進 AI 記憶體與 DRAM 壓力持續，但也指向 2027 年稍晚 NAND 市況可能較為寬鬆。7

價格影響：先是 HBM，然後擴散至整個記憶體市場

HBM4 放量已與顯著漲價相關。韓國國際貿易協會資料顯示，截至 7 月底，HBM 平均出口單價為每單位 76.13 美元，較前一個月上升 9.5%。27

一般 DRAM 則受到間接影響：當供給與投資向 HBM、伺服器 DRAM 集中，主流產品買家的替代空間縮小，供應商的議價能力提高。TrendForce 預期，偏緊的 DRAM 供需結構將在 2027 年延續賣方市場。7

手機、PC 與 GPU 會受到什麼影響？

智慧手機與個人電腦

記憶體在裝置物料成本中占有一定比重，尤其是平價機種。LPDDR 與 NAND 採購成本上升後，品牌商可選擇的空間有限：提高售價、在同一售價帶提供較少的記憶體或儲存空間、削減其他規格，或自行承擔較低毛利。手機市場報導顯示，記憶體漲價與供給受限，正在影響產業規模與採購決策。4551

壓力很可能最明顯地落在平價裝置，因為這類產品可吸收零件漲價的利潤空間更小。

GPU 與 AI 伺服器

對 AI 硬體而言，HBM 不只是可把成本轉嫁出去的普通零件，而是經過驗證、整合在加速器封裝中的必要組件。即使 GPU 需求強勁，若 HBM 不足，高階加速器與 AI 伺服器的出貨量仍可能受限。3129

這也會促使雲端服務供應商等大型買家簽下更長期的供貨合約，進一步降低未預先承諾產能，讓規模較小或價格敏感的客戶更難取得彈性供應。10

晶片設計正在走向「記憶體優先」

這波短缺加速了記憶體優先的系統設計。AI 效能愈來愈取決於資料能否在運算單元和記憶體之間高效率移動，而不只是增加算術運算能力。因此，設計端更有動機優先投入：

• 提高每瓦可提供的記憶體頻寬；
• 採用 HBM 與更緊密整合的邏輯—記憶體封裝；
• 擴充先進封裝與封裝內記憶體容量；
• 透過軟體與模型技術，降低資料搬移與記憶體容量需求。

這是 HBM 成為產能瓶頸後的工程推論，不是具體的市場數量預測；不過趨勢很清楚：記憶體可得性與頻寬，正成為 AI 系統設計的基本限制。317

為何擴產不會立刻帶來紓解？

新產能從興建到變成可用產出，需要跨過多道關卡。晶圓廠落成只是第一步，後續還要完成設備安裝、良率爬升、製程與先進封裝擴充，以及客戶驗證。IDC 指出，AI 伺服器需求成長速度快於供應端反應；技術限制也壓縮了中國廠商在先進節點的有效供應貢獻。8

中國業者包括 DRAM 的長鑫存儲（CXMT）與 NAND 的長江存儲（YMTC）都在擴產，未來可能成為更重要的供應來源。不過，對 2026 至 2027 年新增產量的報導顯示，這些供給很大部分仍可能被 AI 伺服器需求、進口替代、先進晶圓能力限制及漫長的客戶認證流程吸收；它們無法立即取代已獲客戶認證的領先 HBM 供應。411

實際結論需要區分產品類別：新增產能長期確實有助於 NAND 和主流記憶體供給，但無法迅速化解 HBM 與伺服器 DRAM 的瓶頸。在供給、良率、封裝能力與認證追上之前，AI 基礎設施需求很可能讓 DRAM 至少持續緊繃到 2027 年。78