華為 122TB SSD 的關鍵：Die‑on‑Board 封裝技術

核心思路：靠封裝密度，而不是更新 NAND 製程

華為推出的 122TB 級 SSD 引發業界關注，因為在美國出口限制下，中國企業取得最先進 NAND 記憶體技術並不容易。但華為的突破點其實不在 NAND 製程，而在 封裝與組裝方式。

根據產業報導，華為開發了一種名為 Die‑on‑Board（DoB） 的封裝技術，直接把 NAND 晶粒（dies）安裝在 SSD 的主 PCB 上，而不是先封裝成獨立晶片再焊接到板上。

這樣的設計能在相同空間內放入更多 NAND 晶粒，從而大幅提高單顆 SSD 的容量密度。換句話說，華為的突破主要來自 封裝工程與系統整合能力，而不是依賴最新的半導體製程。

Die‑on‑Board（DoB）與傳統 SSD 封裝有何不同

一般企業級 SSD 的製造流程通常是：

• 先把多個 NAND 晶粒堆疊並封裝成晶片（例如 TSOP 或 BGA 封裝）
• 再把這些封裝好的晶片焊接到 SSD 的 PCB 上

這種方式成熟且易於量產，但會增加額外體積，例如封裝外殼、接腳與排列間距。

華為的 DoB 技術則省略中間封裝步驟。NAND 晶粒直接安裝在 SSD 基板上，並在晶圓層級完成封裝與組裝。

這帶來幾個關鍵優勢：

• 更高容量密度：同樣面積可容納更多 NAND 晶粒
• 減少封裝空間浪費：不需要晶片外殼與引腳
• 堆疊更靈活：工程師可設計更緊密或特殊的排列方式

由於 SSD 的總容量基本上取決於 NAND 晶粒數量，當封裝密度提高時，即使不使用最新 NAND 製程，也能顯著提升容量。

目前的部署：OceanStor Pacific 儲存平台

華為已把這些高密度 SSD 應用在 OceanStor Pacific 分散式儲存系統，這是一系列針對海量非結構化資料設計的企業級儲存產品。

例如 OceanStor Pacific 9926 的官方規格包括：

• 支援 15.36TB、30.72TB、61.44TB NVMe SSD
• 2U 機箱提供 36 個 SSD 插槽
• 整體容量最高可達 約 4PB / 2U（依配置與資料縮減而定）

產業報導指出，一些配置已使用 122.88TB SSD，可讓單一機箱提供多 PB 等級的儲存密度。

這類平台主要用於：

• AI 資料湖
• 影音與內容平台
• 備份與長期歸檔
• 超大規模非結構化資料

華為下一步：245TB AI SSD

華為也發布了面向 AI 工作負載的 OceanDisk 系列 SSD。

其中主打容量的型號 OceanDisk LC 560 目標是處理超大規模 AI 訓練資料，其公開資訊包括：

• 單顆容量最高 245TB
• 約 14.7 GB/s 順序讀取頻寬
• 專為 AI 訓練與多模態資料處理優化

華為的策略是讓超大容量 SSD 在 AI 系統中扮演更重要角色，部分緩解昂貴 HBM（高頻寬記憶體） 的需求。

與 Micron 245TB SSD 的策略差異

華為的做法與傳統 NAND 廠商形成鮮明對比。

例如 Micron 推出的 6600 ION SSD：

• 最高 245.76TB 可用容量
• 採用 276 層 G9 QLC 3D NAND
• 主要用於雲端、企業與超大規模資料中心

也就是說：

• Micron 路線：依賴最新 NAND 技術與更高堆疊層數
• 華為路線：透過封裝工程與系統設計提高密度

兩種策略都在追求同一目標：讓單顆 SSD 接近甚至突破四分之一 PB（約 250TB）容量。

為什麼封裝創新越來越重要

SSD 容量過去主要由 NAND 製程決定，但現在越來越多突破來自 系統級工程，包括：

• 封裝與堆疊技術
• 控制器設計
• 韌體與資料管理
• 儲存系統架構

華為的 Die‑on‑Board 技術展示了一種思路：即使在供應鏈或技術受限的情況下，透過 封裝密度與系統設計創新，仍然可以把單顆 SSD 的容量推到新的等級。

同時，像 Micron 這樣的 NAND 廠商則持續透過更高層數的 3D NAND 推進容量上限。

最終結果是同一趨勢：超大容量 SSD 正迅速成為 AI 與超大規模資料中心的核心基礎設施。