CXMT擴產或令美光承壓，但未必能終結AI記憶體短缺

長鑫存儲（ChangXin Memory Technologies，CXMT）已經不再只是中國內需市場的記憶體供應商。業界估計，其DRAM產能到2026年底約為每月35萬片，並可能在2028年底前擴大至每月50萬至60萬片。2 9 11

如此規模足以削弱由三星、SK海力士與美光主導的傳統DRAM寡頭格局，也可能降低中國電子產業對進口記憶體的依賴。然而，這不代表全球AI記憶體短缺會同步結束。市場真正關注的，不只是晶圓投片量，還包括製程技術、良率、產品組合、先進封裝，以及伺服器與AI客戶的認證進度。

較可能出現的局面，是記憶體市場進一步分成兩個層次：傳統DRAM的競爭加劇、價格承壓；高頻寬記憶體（HBM）及其他高階產品則繼續供不應求。

CXMT的擴產計劃為何重要？

CXMT在上海首次公開募股（IPO）中據報募集579.2億元人民幣，約合12.56兆韓元。資金預計用於生產線升級、技術研發與新增產能。4 10 11

其擴產規劃包括：2027年在上海新增每月約10萬片產能，2028年再增加每月約10萬片。據《韓國時報》引述的分析，這可能使CXMT到2028年底達到每月約55萬片產能。11 其他估算則將範圍上修至每月50萬至60萬片。2

若計劃順利落地，CXMT將進入能與既有大型供應商相提並論的製造規模。這可增加中國境內用於智慧型手機、個人電腦、伺服器及其他電子產品的記憶體供應，也為中國裝置製造商提供三星、SK海力士與美光以外的選擇。

CXMT的市場份額已在上升。Counterpoint數據顯示，CXMT的DRAM營收市佔率由2025年第一季的3%升至2026年第一季的8%，成為全球第四大供應商。35 Counterpoint另指出，2026年第一季全球DRAM營收達970億美元，CXMT同期營收按年增長超過700%。43

晶圓產能不等於有效供應

每月晶圓投片量反映的是製造能力，而不是最終能通過測試、交付客戶並產生營收的記憶體數量。實際供應增幅取決於幾項關鍵因素：

• 製程成熟度： 新一代DRAM需要更先進且穩定的製造技術。
• 良率： 若大量晶圓在測試階段失敗，投片量增加也未必能轉化為有效供應。
• 晶粒尺寸與容量： 同一片晶圓可生產的合格記憶體位元數，會因產品而異。
• 產品組合： 一般DDR4或DDR5產能，不能直接替代HBM產能。
• 客戶認證： 伺服器與AI客戶必須驗證效能、可靠性與一致性，才會大規模採用新供應商。

這是理解CXMT擴產影響的核心。即使CXMT大幅增加一般DRAM產量，對市場價格造成壓力，也不代表HBM供應會以同等幅度增加。

市場報告顯示，CXMT正嘗試擴大HBM生產，但目前可見的數字仍屬預測，尚不足以證明其已具備領先的HBM競爭力。有估算認為，CXMT的HBM晶圓投片量可能在2027年達到每月5.5萬片，2028年達到每月10萬片；同一估算也指出，其HBM技術仍落後於領先供應商。3

HBM才是AI記憶體的分水嶺

HBM是一種專為AI加速器及其他高效能處理器設計的記憶體，重點在於提供極高的資料傳輸頻寬。它並不是個人電腦、手機或一般伺服器所使用主流DRAM的簡單替代品。

Counterpoint公布的2026年第一季HBM營收數據顯示，市場高度集中：SK海力士佔58%，三星與美光各佔21%。36 CXMT並未出現在該排名的主要供應商之中。這並不代表CXMT不可能成為HBM競爭者，但反映出它目前在整體DRAM市場的進展，遠強於在AI最關鍵的高階HBM市場的存在感。

這也解釋了為何CXMT擴產，並不會自動推翻美光對2027年以後記憶體市場仍然緊張的判斷。美光表示，AI需求與結構性供應限制，可能令DRAM與NAND市場的緊張狀況延續至2027年之後。18 其HBM3E與HBM4產品據報已排滿至2027年，需求更延伸至2028年。22

這兩種說法其實可以同時成立：

1. CXMT為主流DRAM市場增加大量產能。
2. AI客戶繼續爭搶通過認證的HBM與高階伺服器記憶體。
3. 一般記憶體價格先行轉弱，但先進記憶體的供應仍未完全追上需求。

CXMT對美光的真正威脅

CXMT對美光的即時威脅，很可能取決於產品組合，而非全面性的市場取代。若CXMT能成功擴大中低階DRAM生產，便可能在客戶認證門檻較低、買家較容易轉換供應商的產品領域壓低價格。

影響可能透過三個渠道出現。

傳統DRAM價格下跌

新增的中國供應可能推低DRAM平均售價，尤其是在消費電子及較低階商用市場。如果CXMT以追求出貨量為優先，或得到足以容忍較低利潤的支持，價格壓力可能更加明顯。

中國相關需求的競爭加劇

中國電子製造商可利用CXMT降低對進口DRAM的依賴。即使CXMT無法取代既有供應商的所有產品，其存在也可能增強買方的議價能力。

產業更快轉向高階產品

如果三星、SK海力士與美光將更多產能轉向HBM及先進伺服器記憶體，市場分化可能進一步加劇：傳統DRAM競爭更激烈，高階記憶體則繼續受到配額限制。

美光近期業績正好說明這項差異的重要性。公司公布2026財政年度第三季營收為414.6億美元，高於一年前的93億美元。17 路透社亦報道，客戶已承諾投入220億美元以確保記憶體供應，而美光預期供應緊張會延續至2027年以後。18

這些數字反映出當前極為有利的供需環境，但不代表目前的高利潤能永久維持。CXMT擴產提高了傳統DRAM價格較HBM更早恢復正常的可能性。

Goldman Sachs的預測應如何解讀？

「Goldman Sachs預測2027年DRAM存在5.9%結構性短缺」這項說法需要審慎看待。現有報道歸因於Goldman Sachs的預測是：DRAM在2026年的供應缺口為4.9%，2027年縮小至2.5%。40

這仍然代表市場短缺，只是缺口正在收窄。因此，該預測與以下情境並不矛盾：中國新增產能的重要性逐步上升，但AI需求仍然強勁，足以避免全球市場立即陷入供過於求。

時間點尤其關鍵。如果CXMT的產量在市場已由嚴重短缺逐步走向供需平衡時釋出，即使是中等幅度的有效供應增加，也可能對價格產生超比例影響。記憶體市場具有強烈週期性，當買家不再擔心供應配額，價格往往會迅速轉向。

投資者應關注良率，而不只是產能

判斷CXMT能否真正改變市場的關鍵，不是單純看其宣布的晶圓投片量，而是要觀察公司能否證明以下幾點：

• 新一代DRAM製程能維持穩定良率；
• 高密度DDR5及伺服器記憶體產量具備實質規模；
• HBM封裝與堆疊良率可靠；
• 主要中國及國際客戶完成認證；
• 中國以外市場的銷售持續擴大；以及
• 不依賴短缺推高價格的環境，也能維持盈利能力。

企業可以達成產能目標，但產品品質、產品組合或客戶採用速度仍然落後。反過來說，若CXMT成功完成先進產品認證，即使實際有效產能低於市場預期，也可能比單看晶圓數字更具顛覆性。

結論：主流DRAM先受衝擊，HBM短缺未必消失

就目前證據而言，CXMT最可能先透過傳統DRAM重塑記憶體市場，而不是立即在HBM領域取得主導地位。若其產能到2028年底達到每月約50萬至60萬片，可能降低中國對進口記憶體的依賴、挑戰既有供應商在主流產品的地位，並對商品型記憶體的長期利潤率形成壓力。2

但CXMT單靠擴產，尚不足以消除AI記憶體短缺。HBM市場仍集中在SK海力士、三星與美光手中，而真正的瓶頸包括製程能力、良率、先進封裝及客戶認證，不只是前端晶圓產能。36

對美光而言，基本情境是喜憂參半：傳統DRAM面臨更大的價格與利潤下行風險；只要AI需求持續、且美光在高階產品的認證與供應優勢仍在，先進記憶體營收仍可獲得支持。真正偏空的美光情境，必須是CXMT快速縮小技術與良率差距，而不只是建造更多晶圓廠。