長鑫記憶體G5量產、傳布局NAND：50%增幅代表什麼？

長鑫記憶體（CXMT）的最新進展，關鍵在於分清楚已量產與仍在規劃：第五代G5 DRAM製程平台已宣布量產；可能進軍NAND快閃記憶體，則是據報擬設立研發產線，並非產品上市。845

G5的「多50%」該怎麼看？

DRAM是處理器運作時使用的快速、暫時性記憶體，手機、電腦、伺服器及AI系統都會用到；斷電後，當中的資料無法保留。長鑫宣布G5量產時，也推出兩款採用該平台的24Gb LPDDR5X產品，瞄準高容量、低功耗的行動裝置記憶體。488

長鑫提出的主要製造指標是：以8Gb等效容量計算，每片晶圓可切出的裸晶總數較G4至少增加50%。37「8Gb等效」是為了用同一容量基準比較潛在產出，不是說新推出的LPDDR5X晶片容量只有8Gb。裸晶總數也尚未扣除瑕疵、測試與封裝等環節造成的損失，因此不能直接當成可銷售晶片數量。37

成本同樣不能照增幅直推。假設每片晶圓的加工成本和良率都不變，等效裸晶數增加至1.5倍，單位加工成本約會下降三分之一，不是下降50%；實際結果仍取決於新製程成本與良率。此前《韓國先驅報》引述的分析估計，長鑫DDR5每位元成本仍較三大供應商高出逾30%；單憑G5公告，無法判定差距已經消失。19

長鑫另稱，G5透過自對準四重圖案化技術，將記憶體陣列「主動區半間距」做到11.95奈米。49 這是陣列中特定重複結構的尺寸，不代表晶片上所有線條都同樣細，也不能單獨證明整顆晶片的效能或製造成本。

市占站上第四，與領先者仍有距離

TrendForce公布的2026年第二季DRAM營收市占顯示，長鑫以9.5%排名第四，前三名依序為三星39.4%、SK海力士24.9%及美光23.3%。6 另一份據報引用Counterpoint的估計則將長鑫市占列為10%；不同研究機構的數字不宜直接視為同一統計。4

市占提升不等於技術全面追平。韓國半導體產業協會估計，中國整體DRAM技術約落後韓國兩年，高頻寬記憶體（HBM）約落後三年；這是產業層級估算，並非對G5的單獨測量。30 報導指出長鑫已小規模生產HBM3E，並與中國晶片設計業者測試，但現有資訊不足以確認其具備有競爭力的大規模產出，或後續世代的確切時程。3430

市場也出現可供挑戰者切入的空間：三星、SK海力士與美光優先投入AI相關HBM及伺服器記憶體，使部分一般DRAM產品的供給增長趨緊。22 不過，現有資料無法量化這項轉向對長鑫市占提升的貢獻。

北京NAND產線，現階段仍是研發計畫

NAND與DRAM用途不同：NAND斷電後仍能保存資料，常用於固態硬碟及手機儲存空間。長鑫若要進入NAND市場，須開發並完成另一套製造技術的產品驗證，並非把G5 DRAM換個銷售通路即可。

路透社9月18日引述知情人士報導，長鑫計劃在北京新廠設立NAND研發產線。45 若研發成功，它將進入已有國際供應商，以及中國NAND業者長江存儲（YMTC）參與的市場。3545 但研發產線不等於商業規模工廠；相關報導尚未確立產品上市日期、量產產能或確定的客戶承諾。

市場門檻可從既有業者規模看出：TrendForce估計，三星與SK海力士在2026年第二季的NAND市占分別為29.3%及18.2%。6 這是長鑫可能進入的市場現況，不是長鑫已取得的NAND銷售份額。

對韓國記憶體業者而言，長鑫目前最明確的競爭影響仍在一般DRAM：它已有一定營收市占，也推出以提高晶圓潛在產出為目標的新平台。63 供給偏緊、價格維持強勢，可能讓成本較高的挑戰者有更多銷售與改善製程的機會，卻不能因此認定其良率和成本已追上領先者。1922 接下來，G5要看密度增益能否轉化為合格產出與具競爭力的成本；NAND則要先看北京研發計畫能否做出通過驗證的商用產品。345