HBM 唔係同 DRAM 完全分開嘅另一門生意。它本身由堆疊 DRAM 建成,亦使用專門製造同封裝資源 。當廠商將更多產能撥畀 HBM,傳統 DRAM 例如 PC、手機同其他系統用嘅記憶體,就要同同一個製造基礎爭位
。
行業報告亦指 SK hynix、Samsung 同 Micron 都將晶圓生產轉向 AI 加速器所需嘅 HBM 。由商業角度睇,AI 同伺服器記憶體有優先權並唔出奇;但代價係消費裝置用嘅商品化記憶體,更容易面對配額限制同加價
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SSD 用嘅核心係 NAND flash,而 NAND 亦被數據中心需求拉走。TrendForce 指,NAND flash 需求愈來愈分化為消費同 AI 應用兩邊,企業級 SSD 正成為最大分部;同一份 2026 年第 1 季展望更預測 client SSD 價格會按季升超過 40% 。
儲存供應商亦警告,數據中心、超大規模雲端業者(hyperscaler)同 AI 伺服器建設需求,正帶來配額限制;DRAM 同 NAND 價格上升,交貨期亦可能拉長 。換句話講,SSD 問題唔只係零售市場多人幫 laptop 加容量,而係消費級 SSD 買家要同雲端及 AI 基建相關嘅企業儲存訂單爭 NAND
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大型雲端服務商有預算、也有迫切性,可以比其他買家更早鎖定供應。TrendForce 指,美國雲端服務供應商(CSP)鎖定產能,令 DRAM 供需缺口擴大,其他買家被迫接受更高價格 。TechwireAsia 亦報道,AI 需求同有限產能預料會令記憶體價格維持高企、出貨疲弱,至少持續至 2027 年
。
記憶體產能唔可以好似落採購單咁即刻加出嚟。TechwireAsia 報道,要滿足需求,記憶體產量到 2027 年前需要每年約 12% 增長,但現時增長約 7.5%;同一報道形容仍有約 40% 缺口,按現時產出到 2027 年只可滿足約 60% 需求 。
Gigazine 綜合相關報告指,多數新增設施預期要到 2027 年,最遲 2028 年先會投入運作 。這個時間差正係 2028 會出現喺短缺預測入面嘅主因:今日批准擴廠,唔代表明日就有合格、高良率嘅 DRAM 或 NAND 供應
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有可能。2028 年唔係死線,而係按現時需求同產能假設得出嘅風險窗口。如果 AI 基建投資放慢、長期訂單逐步消化,或者新產能比預期早落地,緊張情況可以提早紓緩;相反,如果雲端同 AI 客戶繼續快過產能擴張去鎖定 HBM、伺服器 DRAM、NAND 同企業 SSD,短缺就可能拖得更耐 。