SK海力士跌到第二位,收入市佔只得26%,相比2025年Q2嘅39%大幅下滑 。呢個跌幅出現喺公司季度收入按年大增214%嘅背景之下 。收入增長同市佔流失嘅分歧反映出市場組合嘅轉變:SK海力士係HBM領域嘅主導者,HBM雖然價格高但近期定價受壓,相反常規DRAM價格就急升。三星嘅產品組合較多元化,偏重常規DRAM,正好受惠於呢個價格動態 。
美光科技繼續其強勁勢頭,Q2 2026全球DRAM收入市佔達到25%,同SK海力士嘅差距收窄到只有1個百分點 。呢個係近年嚟第二位同第三位之間最窄嘅差距 。韓國媒體形容呢個情況係美國競爭對手對韓國傳統巨頭構成嘅壓力 。
長鑫存儲(CXMT)係今季最矚目嘅增長故事,收入按年爆升716%,全球DRAM收入市佔升至7% 。呢個係從2025年初大約3-4%市佔,以及2026年Q1大約8%嘅重大躍進 。根據Counterpoint嘅Neil Shah分析,CXMT嘅增長主要受惠中國國內超大规模雲端服務商同手機廠商嘅強勁需求 。公司喺上海科創板IPO之前,已經同騰訊簽訂咗29.4億美元嘅DRAM訂單 。
喺LPDDR6方面,CXMT正逼近一個重要里程碑。一款16Gb LPDDR6晶片、速度12.8 Gbps嘅研發驗證已經進入最後階段,大規模量產目標係2026年下半年 。12.8 Gbps嘅速度大約比SK海力士用EUV 1c製程可以達到嘅14.4 Gbps上限低11%,反映咗CXMT受限於DUV光刻技術 。CXMT已經向核心客戶發送LPDDR6樣品 。公司亦都計劃喺2026年底前開始生產HBM 。
AI基建建設係2026年Q2幾乎所有市場變化背後嘅結構性推手 。AI伺服器同超大规模數據中心嘅加速部署,持續推動產能利用率達到極限 。HBM生產正蠶食越來越多嘅DRAM晶圓總產能——TrendForce預計,到2027年底,HBM將佔所有DRAM晶圓投入嘅30%,令供應只能滿足約60%嘅預期需求 。瑞銀(UBS)預期DRAM供求要到2028年Q2先會恢復平衡 。
美光同SK海力士都已表明,2026年嘅HBM產能實際上已經售罄。美光嘅2026年全年HBM產能喺2025年底已經賣晒 ,SK海力士亦都表示2026年嘅RAM產能基本上已全數分配 。
2026年Q2嘅元件市場收緊速度係自2021-2022年短缺以來最快 。常規DRAM合約價格喺Q2按季上升58-63%,跟隨Q1創紀錄嘅90-95%升幅 。商品級DDR4 8Gb晶片喺2026年5月達到歷史新高每粒20美元 。
記憶體市場波動喺2026年上半年不減反增 。所有主要DRAM產品類別嘅供應仍然緊張,供應商靈活性有限,價格能見度持續惡化 。一個主要供應合作夥伴最近建議客戶要預期DRAM價格喺2026年底前每月上升10-20% 。儘管業績強勁,美光嘅股價年初曾經下跌,因為市場喺度權衡定價嘅可持續性 。
| 公司 | Q2 2026 市佔 | 主要驅動因素 |
|---|---|---|
| 三星 | 39% | 常規DRAM強勢,重奪榜首 |
| SK海力士 | 26% | HBM領導者但受產品組合轉變影響 |
| 美光 | 25% | 追近第二位,差距縮窄到1個百分點 |
| CXMT | 7% | 收入按年增長716%,LPDDR6接近量產 |
備註:部分早期Counterpoint報告對SK海力士嘅具體數字略有差異(26% vs 部分Q1參考嘅29%)。綜合韓國、美國同中國嘅Q2 2026收入市佔來源,共識為三星39%、SK海力士26%、美光25%、CXMT 7% 。