FMS 2026 直擊：三星 zHBM 將記憶體直接疊上 AI 晶片，效能號稱 HBM5 嘅 8 倍！仲有 400+ 層 NAND 量產中

• 效能：三星聲稱 zHBM 嘅效能可以達到 HBM5 嘅 8 倍 。有啲報導仲話，比起 HBM4，數據傳送速度快 4 倍，但用電量只係四分之一 。
• 密度：透過新一代晶圓鍵合技術，記憶體密度可以做到 比傳統 HBM 高超過 10 倍 。
• 能源效益：能源效益大約係 HBM5 嘅 3 倍（即係用電量大約減 66%）。
• 現狀：重要提醒，zHBM 目前只係一個 概念模型，仲未量產 。

除咗 zHBM，三星仲展出咗一個叫 zNAND-O 嘅概念架構，專門針對邊緣 AI 推論而設計 。

三星 V10 BV-NAND —— 業界首款 400+ 層晶圓鍵合 NAND，已經量產緊

三星發表嘅 V10 BV-NAND（Bonding V-NAND）係業界第一款用晶圓鍵合技術製造嘅 NAND 閃存 。簡單講，佢將記憶體陣列同周邊邏輯電路分開，分別用唔同嘅晶圓製造，然後再鍵合埋一齊 。

• 層數：超過 400 層，係三星 V-NAND 系列入面最高嘅 。
• 密度：比起上一代 V9，記憶體密度大約高 58% 。
• 能源同散熱：三星話晶圓鍵合嘅做法令能源效益大約 提升 3 倍，而且熱阻更低 。
• 量產狀況：V10 BV-NAND 已經量產緊，係業界第一款商業化嘅超過 400 層 NAND 。

SK 海力士 HBF —— 獲 Google 同 Tenstorrent 支持嘅開放標準

SK 海力士聯同 SanDisk，喺 FMS 2026 透過 開放運算計畫（OCP） 發表咗 高頻寬快閃記憶體（HBF） 嘅第一個開放技術規格 。

• 規格：初期標準支援最高 512GB 容量，使用 8 層同 16 層 NAND 堆疊，透過 UCIe 介面提供高達 3.0 TB/s 嘅頻寬 。
• 生態圈支持：Google DeepMind 同 Tenstorrent 已經加入 HBF 聯盟 。
• 定位：HBF 係一個全新嘅記憶體層級，定位喺高頻寬 DRAM 同傳統 NVMe SSD 之間，專門解決 AI 推論嘅記憶體瓶頸 。

業界共識：HBM 獨力難支 —— 分層記憶體先係未來

喺大會嘅主題演講同專家座談會入面，一個好強烈嘅共識係：單靠 HBM 根本冇辦法滿足 AI 日益增長嘅需求。多位講者都指出，分層記憶體架構——將 HBM、HBF 等級嘅快閃記憶體、CXL 附加記憶體同 NVMe SSD 組合成一個多層次嘅系統——將會係未來 AI 基礎設施嘅核心 。例如 Marvell 嘅演講就明確指出，未來嘅 AI 推論基礎設施需要一個更多元化嘅記憶體同儲存組合，唔可以淨係靠 HBM 。

⚠️ 以下兩點未能夠證實

你問到嘅兩個重點——Nvidia 預測 AI 代理將超過全球人口，令記憶體定價由每 GB 轉向每次 I/O 成本；以及三星、SK 海力士同美光已經賣晒成個 2027 年嘅 DRAM 同 HBM 產能，客戶只係收到六到七成嘅訂單量——喺 FMS 2026 嘅所有已發表報導入面，暫時搵唔到任何資料可以證實。呢啲消息有可能係喺某場未有完整記錄嘅主題演講或座談會入面講過，但現階段未能確認。