蘇州智材科技據報成功研發一款6吋高純度、高密度氧化鎂（MgO）濺射靶材，用於磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）的磁性隧道結（MTJ）生產。公開報道列出的規格包括4N純度，即99.99%，密度逾99.8%，以及被形容為達到國際先進水平的晶粒均勻性。另一份業界報道以日本主流同類靶材密度逾99.7%作比較。 214

不過，解讀這項消息時要留意證據界線：現有公開資料主要表示產品已符合MRAM磁性隧道結生產要求，並未披露由獨立第三方提供、涵蓋晶圓批次、電性表現、可靠性或長期量產的完整數據。因此，與日本靶材的密度比較可視為已報道的參考基準，並不等於一份完整的產品對產品認證報告。

MgO在MRAM入面做乜？

傳統記憶體主要靠保存電荷儲存資料；MRAM則利用磁性層之間的相對磁化方向記錄「0」和「1」。在MTJ入面，MgO充當兩層磁性材料之間的超薄絕緣屏障。它的材料質素和沉積特性，會直接牽涉隧道結的電氣表現、製程穩定性及批次一致性。

中國工程研究界早已將高純度、高密度的MgO磁性隧道結濺射靶材，列為新型記憶體研發及產業化的重點方向；相關研究亦強調控制雜質，以及改善靶材的微觀結構、晶粒尺寸、取向、分佈、均勻度和缺陷密度。 4

所以，靶材雖然只係記憶體其中一種材料，戰略價值卻可以相當高。單靠一個純度數字，未足以證明器件性能；晶圓廠還要確認濺射過程是否穩定、薄膜是否均勻、MTJ電性是否可預測、生產良率是否合格，以及不同批次能否長期維持可靠性。

規格同日本靶材點比較？

目前報道集中提到三項指標：

• **6吋尺寸：**面向半導體濺射設備及MRAM製程開發的靶材規格。
• **4N純度：**代表氧化鎂純度為99.99%。有材料業參考資料指出，4N純度常見於磁性記錄及薄膜應用，但半導體的實際要求會視乎製程和用途而異。 15
• **密度逾99.8%：**略高於現有比較資料所列、日本主流同類MgO靶材密度逾99.7%的數字。 14

紙面上相差0.1個百分點，唔應該直接解讀成蘇州智材產品全面優於日本產品。對濺射靶材而言，真正關鍵係能否在客戶指定的製程條件下，穩定做出所需薄膜均勻度和器件結果。現有公開來源並無提供受控的MRAM雙方對照認證報告。

是否真的堵上中國MRAM最後一個海外缺口？

業界報道形容，這款靶材補足中國本土MRAM靶材體系，並移除國內MRAM中試線過往由海外供應商控制的瓶頸。 2 另一份報道則表示，產品為中國MRAM廠商和科研機構提供可由國內掌控的供應選項。 14

這些供應鏈說法具有一定意義，但需要講清楚範圍。現有證據支持「中國出現一個本土MgO供應選項」，卻未能證明所有中國MRAM晶圓廠都已完成驗證、進口需求已經完全消失，或者雙重供應及出口限制帶來的壓力已經全面解除。

日期方面亦有需要澄清之處：最直接相關的靶材消息，來源日期為2026年8月12日；2026年8月21日的紀錄，則涉及一項高均勻度氧化物靶材製備方法的中國專利申請公開。現有資料未能證明專利公開日就是MRAM靶材取得認證或宣布突破的日期。 12

MRAM點解受到關注？

MRAM的吸引力，在於將非揮發性、快速存取和高寫入耐久度結合在一起。即使系統斷電，資料仍可保留；同時，它有潛力提供低延遲存取，適合需要快速重啟、頻繁更新、穩定回應，或者要承受突然斷電的系統。

目前報道及公開資料提到的應用方向包括：

• **汽車控制器：**嵌入式MRAM可以在車用控制系統內，儲存程式碼和資料。一份獨立報道指，中國車控MCU已搭載16MB車規級MRAM並穩定量產，但這項產品進展與蘇州智材的靶材消息並非同一件事。 47
• **航空航天及國防：**Everspin形容其STT-MRAM產品可用於航空航天、國防及其他任務關鍵型嵌入式系統。 7
• **邊緣及AI控制器：**嵌入式MRAM正被研究用於先進製程系統，為需要本地化、低功耗記憶體的AI控制器提供選項。市場資料提到22nm及28nm嵌入式製程已完成認證，但這類市場報告不應視為所有晶圓廠都能提供相關製程。 17
• **高壓及惡劣環境：**MRAM示範項目強調非揮發性、寬溫操作及抗輻射相關優勢，例如飛控系統。不過，這些能力取決於整個記憶體設計和認證，並非單靠MgO靶材就可以保證。 52

部分業界評論將MRAM形容為接近DRAM速度，或者比NAND延遲低很多。至於「讀取延遲約為NAND千分之一」的說法，現有資料未有獨立證實，因此較適合作為市場宣傳式比較，而非普遍適用的基準。

產業確有進展，但市場預測差距很大

MRAM產業在獨立式記憶體、嵌入式記憶體、汽車電子及專用系統等領域都有活動。現有報道提到亞洲首個8nm嵌入式MRAM AI晶片流片、搭載SOT-MRAM的無人機完成試飛，以及青島完成一條8吋MRAM生產線。這些分別屬於流片、示範和生產線建設等不同階段，唔應自動等同於大規模商業量產。 5152

市場預測亦相當分歧。一份預測指，全球MRAM市場會由2025年的44.9億美元，增至2034年的867.8億美元，複合年增長率為38.97%；另一份估算則指2026年市場規模為44.3億美元，2031年為182.4億美元，複合年增長率32.72%；還有預測將2026年市場規模定在11.8億美元，2034年為46.5億美元。 172030

數字差距太大，未可以將任何一個預測當成業界共識。較穩妥的結論係：MRAM正吸引相當多研發和投資，但最終市場規模仍取決於客戶採用速度、生產成本、技術路線，以及嵌入式記憶體完成認證的進度。

蘇州智材不只做MRAM材料

MgO項目與蘇州智材所標榜的兩條業務線相當吻合：高溫超導材料，以及半導體關鍵材料。蘇州工業園區方面形容，公司由國家人才計劃入選者與靶材科學家共同創立，具備氧化物靶材研發、生產和商業化經驗。 9

公司在ReBCO方面的工作可提供背景參考，但與MRAM靶材屬於不同產品。公開機構資料表示，蘇州智材取得出口許可，向美國客戶交付首批ReBCO高溫超導靶材；同一資料並形容公司是中國唯一、全球三家掌握完整ReBCO靶材方案的供應商之一。 89

中國科學院一份驗證報告則指出，指定批次的蘇州智材ReBCO靶材，在超導轉變溫度和臨界電流密度方面，與相同規格的日本進口靶材表現相若，差異處於實驗誤差範圍內；但前提仍包括批次穩定性和放大生產穩定性。 33

這段經歷令MgO項目在技術策略上具連貫性：兩者都依賴高要求的氧化物靶材加工，以及穩定一致的薄膜沉積材料。不過，MRAM產品的商業考驗會更嚴格。真正有說服力的下一步，應包括獨立批次數據、客戶晶圓廠認證、MTJ電性表現、可靠性測試、生產良率，以及持續回購。

總結

蘇州智材據報推出的6吋MgO靶材，較適合理解為中國MRAM供應鏈本土化的一個潛在重要里程碑，而不是中國已經完全擺脫海外依賴的證明。其4N純度和逾99.8%密度，與報道中日本靶材逾99.7%的密度基準相比具競爭力；真正的戰略價值，則在於為MTJ提供一個本土核心材料來源。 214

MRAM在汽車、航空航天、工業和邊緣運算的發展仍然持續，但技術的商業化速度和市場規模依然存在不確定性。對蘇州智材而言，下一個值得關注的里程碑唔係再公布一個規格數字，而係在真實生產線上取得可獨立驗證、可重複、可持續的客戶認證結果。

蘇州智材科技據報成功研發一款6吋高純度、高密度氧化鎂（MgO）濺射靶材，用於磁阻式隨機存取記憶體（MRAM）的磁性隧道結（MTJ）生產。公開報道列出的規格包括4N純度，即99.99%，密度逾99.8%，以及被形容為達到國際先進水平的晶粒均勻性。另一份業界報道以日本主流同類靶材密度逾99.7%作比較。 214

不過，解讀這項消息時要留意證據界線：現有公開資料主要表示產品已符合MRAM磁性隧道結生產要求，並未披露由獨立第三方提供、涵蓋晶圓批次、電性表現、可靠性或長期量產的完整數據。因此，與日本靶材的密度比較可視為已報道的參考基準，並不等於一份完整的產品對產品認證報告。

MgO在MRAM入面做乜？

傳統記憶體主要靠保存電荷儲存資料；MRAM則利用磁性層之間的相對磁化方向記錄「0」和「1」。在MTJ入面，MgO充當兩層磁性材料之間的超薄絕緣屏障。它的材料質素和沉積特性，會直接牽涉隧道結的電氣表現、製程穩定性及批次一致性。

中國工程研究界早已將高純度、高密度的MgO磁性隧道結濺射靶材，列為新型記憶體研發及產業化的重點方向；相關研究亦強調控制雜質，以及改善靶材的微觀結構、晶粒尺寸、取向、分佈、均勻度和缺陷密度。 4

所以，靶材雖然只係記憶體其中一種材料，戰略價值卻可以相當高。單靠一個純度數字，未足以證明器件性能；晶圓廠還要確認濺射過程是否穩定、薄膜是否均勻、MTJ電性是否可預測、生產良率是否合格，以及不同批次能否長期維持可靠性。

規格同日本靶材點比較？

目前報道集中提到三項指標：

• **6吋尺寸：**面向半導體濺射設備及MRAM製程開發的靶材規格。
• **4N純度：**代表氧化鎂純度為99.99%。有材料業參考資料指出，4N純度常見於磁性記錄及薄膜應用，但半導體的實際要求會視乎製程和用途而異。 15
• **密度逾99.8%：**略高於現有比較資料所列、日本主流同類MgO靶材密度逾99.7%的數字。 14

紙面上相差0.1個百分點，唔應該直接解讀成蘇州智材產品全面優於日本產品。對濺射靶材而言，真正關鍵係能否在客戶指定的製程條件下，穩定做出所需薄膜均勻度和器件結果。現有公開來源並無提供受控的MRAM雙方對照認證報告。

是否真的堵上中國MRAM最後一個海外缺口？

業界報道形容，這款靶材補足中國本土MRAM靶材體系，並移除國內MRAM中試線過往由海外供應商控制的瓶頸。 2 另一份報道則表示，產品為中國MRAM廠商和科研機構提供可由國內掌控的供應選項。 14

這些供應鏈說法具有一定意義，但需要講清楚範圍。現有證據支持「中國出現一個本土MgO供應選項」，卻未能證明所有中國MRAM晶圓廠都已完成驗證、進口需求已經完全消失，或者雙重供應及出口限制帶來的壓力已經全面解除。

日期方面亦有需要澄清之處：最直接相關的靶材消息，來源日期為2026年8月12日；2026年8月21日的紀錄，則涉及一項高均勻度氧化物靶材製備方法的中國專利申請公開。現有資料未能證明專利公開日就是MRAM靶材取得認證或宣布突破的日期。 12

MRAM點解受到關注？

MRAM的吸引力，在於將非揮發性、快速存取和高寫入耐久度結合在一起。即使系統斷電，資料仍可保留；同時，它有潛力提供低延遲存取，適合需要快速重啟、頻繁更新、穩定回應，或者要承受突然斷電的系統。

目前報道及公開資料提到的應用方向包括：

• **汽車控制器：**嵌入式MRAM可以在車用控制系統內，儲存程式碼和資料。一份獨立報道指，中國車控MCU已搭載16MB車規級MRAM並穩定量產，但這項產品進展與蘇州智材的靶材消息並非同一件事。 47
• **航空航天及國防：**Everspin形容其STT-MRAM產品可用於航空航天、國防及其他任務關鍵型嵌入式系統。 7
• **邊緣及AI控制器：**嵌入式MRAM正被研究用於先進製程系統，為需要本地化、低功耗記憶體的AI控制器提供選項。市場資料提到22nm及28nm嵌入式製程已完成認證，但這類市場報告不應視為所有晶圓廠都能提供相關製程。 17
• **高壓及惡劣環境：**MRAM示範項目強調非揮發性、寬溫操作及抗輻射相關優勢，例如飛控系統。不過，這些能力取決於整個記憶體設計和認證，並非單靠MgO靶材就可以保證。 52

部分業界評論將MRAM形容為接近DRAM速度，或者比NAND延遲低很多。至於「讀取延遲約為NAND千分之一」的說法，現有資料未有獨立證實，因此較適合作為市場宣傳式比較，而非普遍適用的基準。

產業確有進展，但市場預測差距很大

MRAM產業在獨立式記憶體、嵌入式記憶體、汽車電子及專用系統等領域都有活動。現有報道提到亞洲首個8nm嵌入式MRAM AI晶片流片、搭載SOT-MRAM的無人機完成試飛，以及青島完成一條8吋MRAM生產線。這些分別屬於流片、示範和生產線建設等不同階段，唔應自動等同於大規模商業量產。 5152

市場預測亦相當分歧。一份預測指，全球MRAM市場會由2025年的44.9億美元，增至2034年的867.8億美元，複合年增長率為38.97%；另一份估算則指2026年市場規模為44.3億美元，2031年為182.4億美元，複合年增長率32.72%；還有預測將2026年市場規模定在11.8億美元，2034年為46.5億美元。 172030

數字差距太大，未可以將任何一個預測當成業界共識。較穩妥的結論係：MRAM正吸引相當多研發和投資，但最終市場規模仍取決於客戶採用速度、生產成本、技術路線，以及嵌入式記憶體完成認證的進度。

蘇州智材不只做MRAM材料

MgO項目與蘇州智材所標榜的兩條業務線相當吻合：高溫超導材料，以及半導體關鍵材料。蘇州工業園區方面形容，公司由國家人才計劃入選者與靶材科學家共同創立，具備氧化物靶材研發、生產和商業化經驗。 9

公司在ReBCO方面的工作可提供背景參考，但與MRAM靶材屬於不同產品。公開機構資料表示，蘇州智材取得出口許可，向美國客戶交付首批ReBCO高溫超導靶材；同一資料並形容公司是中國唯一、全球三家掌握完整ReBCO靶材方案的供應商之一。 89

中國科學院一份驗證報告則指出，指定批次的蘇州智材ReBCO靶材，在超導轉變溫度和臨界電流密度方面，與相同規格的日本進口靶材表現相若，差異處於實驗誤差範圍內；但前提仍包括批次穩定性和放大生產穩定性。 33

這段經歷令MgO項目在技術策略上具連貫性：兩者都依賴高要求的氧化物靶材加工，以及穩定一致的薄膜沉積材料。不過，MRAM產品的商業考驗會更嚴格。真正有說服力的下一步，應包括獨立批次數據、客戶晶圓廠認證、MTJ電性表現、可靠性測試、生產良率，以及持續回購。

總結

蘇州智材據報推出的6吋MgO靶材，較適合理解為中國MRAM供應鏈本土化的一個潛在重要里程碑，而不是中國已經完全擺脫海外依賴的證明。其4N純度和逾99.8%密度，與報道中日本靶材逾99.7%的密度基準相比具競爭力；真正的戰略價值，則在於為MTJ提供一個本土核心材料來源。 214

MRAM在汽車、航空航天、工業和邊緣運算的發展仍然持續，但技術的商業化速度和市場規模依然存在不確定性。對蘇州智材而言，下一個值得關注的里程碑唔係再公布一個規格數字，而係在真實生產線上取得可獨立驗證、可重複、可持續的客戶認證結果。