Samsung的V10 Bonding V-NAND，簡稱BV-NAND，是第十代3D NAND快閃記憶體架構。它以晶圓鍵合（wafer bonding）為核心，堆疊逾400條字線，目標是為AI年代的系統提供更高容量、更快資料傳輸，以及更低功耗的儲存方案。12

Samsung在2026年8月31日公開的資料顯示，V10相比上一代V9，位元密度提升逾58%，I/O速度超過4.8Gbps，增幅逾33%，功耗則降低逾25%。28

逾400層點樣做到？關鍵在於「分開整，再接埋」

NAND層數越堆越高，並唔係單純將結構再向上加高就可以。當堆疊變得極高，製造、對位同電氣性能方面的難度都會同步增加。

Samsung表示，V10採用「三堆疊HARC Merge」工藝：將記憶體單元層分成三個堆疊部分，分別製造，再以垂直方式連接。當中亦配合Multi Hole及Zero Dummy Hole技術，處理超高層數下的製程限制。1317

簡單講，V10的思路唔係一次過造一座逾400層的「摩天大樓」，而係先分成三段處理，之後再垂直接合。現有資料支持三堆疊結構及相關技術，但未有完整交代每一步製造工序，因此不宜將未公開的工藝細節自行補充。

晶圓鍵合有咩作用？

V10將NAND記憶體單元陣列，同負責控制及訊號處理的周邊電路（Peri）分開處理。Samsung會在不同晶圓上分別製造兩者，之後再將晶圓鍵合在一起。2512

這種做法的好處，是記憶體陣列和控制電路可以各自獨立優化，再組合成完整晶片。換句話講，增加儲存密度和性能時，唔需要完全依賴將單一晶圓的堆疊高度不斷推高。Samsung亦表示，這種鍵合架構有助採用更高性能的周邊電路，從而支援V10在資料傳輸及能源效率方面的提升。213

「Full capping」究竟係點？目前要留一線

部分報道將V10的「full capping」描述為一種版圖安排：下方的周邊電路晶粒，會配合上方記憶體單元陣列晶粒的佔用面積，而唔係向外伸出。理論上，這樣可以在保留分開製造及鍵合優點的同時，避免封裝或晶片面積變大。

不過，Samsung公開的一手資料及現有節錄，較清楚支持的是「記憶體單元與周邊電路分開在不同晶圓製造，再進行鍵合」這個大方向；至於「full capping」的確切幾何定義，以及下方晶粒是否完全匹配上方晶粒的實際布局，資料未有獨立確認。因此，這部分應視為較審慎的解讀，而唔係已完全證實的細節。

對比V9，Samsung聲稱有咩提升？

Samsung公布的V10對V9比較如下：

• **位元密度：**提升逾58%。
• **I/O速度：**超過4.8Gbps，增幅逾33%。
• **功耗：**降低逾25%。2817

位元密度提高，代表在相若實體面積內可以容納更多資料，日後有機會支援更高容量的SSD設計。Samsung亦將V10與最高128TB級SSD及下一代PCIe Gen7 SSD方案連繫起來。13

但要留意，以上數字係Samsung公布的性能聲稱，並唔係獨立機構完成的基準測試結果。現有資料亦未能確認這些提升在不同SSD產品、工作負載或控制器配置下，實際會有幾大分別。

點解AI數據中心需要這類NAND？

AI數據中心要儲存大量訓練資料、模型檢查點及其他數據密集型內容。NAND唔可以取代高頻寬DRAM在頻寬方面的角色，但可以負責較偏向容量的儲存層；對這一層來講，單位面積容量及能源消耗都相當重要。

Samsung將V10放入更大的AI記憶體策略，並與zHBM及zNAND-O一同展示。公司描述的zHBM概念，是將高頻寬記憶體放到AI加速器附近，甚至垂直堆疊在加速器上方；zNAND-O則是正在開發中的高性能NAND概念，現有資料提到四層及八層版本。567

三者共同方向，係透過三維記憶體結構或封裝，應對AI系統在空間、頻寬、功耗及散熱方面的限制。當中，V10比較接近「儲存」一端；zHBM及zNAND-O在所提供的證據中仍屬概念或開發架構，未有確認為已上市產品，亦未有確定量產時間表。167

量產幾時開始？千層NAND係咪已經定咗？

Samsung在2026年Future of Memory and Storage（FMS）大會上，以原型及下一代技術形式介紹V10。就現有的8月31日訪問及相關資料而言，公司未有提供明確的大規模量產或出貨日期。12

所以，以下幾項消息暫時唔應該當成已落實承諾：

• V10的確實商業化時間；
• 2027年推出第11代NAND；
• 2030年達到1,000層NAND。

過往報道曾提到千層NAND目標，但相關報道並不等同於Samsung已確認一份具體時間表。2526

目前最穩妥的結論係：V10展示了Samsung如何利用三堆疊記憶體單元結構，以及記憶體單元／周邊電路分開製造再晶圓鍵合的方式，突破逾400層V-NAND架構；Samsung同時聲稱位元密度、I/O速度及功耗都有改善。至於幾時真正變成市面上的SSD，以及之後世代會以幾快速度推進，仍然要等公司公布更多資料。

Samsung的V10 Bonding V-NAND，簡稱BV-NAND，是第十代3D NAND快閃記憶體架構。它以晶圓鍵合（wafer bonding）為核心，堆疊逾400條字線，目標是為AI年代的系統提供更高容量、更快資料傳輸，以及更低功耗的儲存方案。12

Samsung在2026年8月31日公開的資料顯示，V10相比上一代V9，位元密度提升逾58%，I/O速度超過4.8Gbps，增幅逾33%，功耗則降低逾25%。28

逾400層點樣做到？關鍵在於「分開整，再接埋」

NAND層數越堆越高，並唔係單純將結構再向上加高就可以。當堆疊變得極高，製造、對位同電氣性能方面的難度都會同步增加。

Samsung表示，V10採用「三堆疊HARC Merge」工藝：將記憶體單元層分成三個堆疊部分，分別製造，再以垂直方式連接。當中亦配合Multi Hole及Zero Dummy Hole技術，處理超高層數下的製程限制。1317

簡單講，V10的思路唔係一次過造一座逾400層的「摩天大樓」，而係先分成三段處理，之後再垂直接合。現有資料支持三堆疊結構及相關技術，但未有完整交代每一步製造工序，因此不宜將未公開的工藝細節自行補充。

晶圓鍵合有咩作用？

V10將NAND記憶體單元陣列，同負責控制及訊號處理的周邊電路（Peri）分開處理。Samsung會在不同晶圓上分別製造兩者，之後再將晶圓鍵合在一起。2512

這種做法的好處，是記憶體陣列和控制電路可以各自獨立優化，再組合成完整晶片。換句話講，增加儲存密度和性能時，唔需要完全依賴將單一晶圓的堆疊高度不斷推高。Samsung亦表示，這種鍵合架構有助採用更高性能的周邊電路，從而支援V10在資料傳輸及能源效率方面的提升。213

「Full capping」究竟係點？目前要留一線

部分報道將V10的「full capping」描述為一種版圖安排：下方的周邊電路晶粒，會配合上方記憶體單元陣列晶粒的佔用面積，而唔係向外伸出。理論上，這樣可以在保留分開製造及鍵合優點的同時，避免封裝或晶片面積變大。

不過，Samsung公開的一手資料及現有節錄，較清楚支持的是「記憶體單元與周邊電路分開在不同晶圓製造，再進行鍵合」這個大方向；至於「full capping」的確切幾何定義，以及下方晶粒是否完全匹配上方晶粒的實際布局，資料未有獨立確認。因此，這部分應視為較審慎的解讀，而唔係已完全證實的細節。

對比V9，Samsung聲稱有咩提升？

Samsung公布的V10對V9比較如下：

• **位元密度：**提升逾58%。
• **I/O速度：**超過4.8Gbps，增幅逾33%。
• **功耗：**降低逾25%。2817

位元密度提高，代表在相若實體面積內可以容納更多資料，日後有機會支援更高容量的SSD設計。Samsung亦將V10與最高128TB級SSD及下一代PCIe Gen7 SSD方案連繫起來。13

但要留意，以上數字係Samsung公布的性能聲稱，並唔係獨立機構完成的基準測試結果。現有資料亦未能確認這些提升在不同SSD產品、工作負載或控制器配置下，實際會有幾大分別。

點解AI數據中心需要這類NAND？

AI數據中心要儲存大量訓練資料、模型檢查點及其他數據密集型內容。NAND唔可以取代高頻寬DRAM在頻寬方面的角色，但可以負責較偏向容量的儲存層；對這一層來講，單位面積容量及能源消耗都相當重要。

Samsung將V10放入更大的AI記憶體策略，並與zHBM及zNAND-O一同展示。公司描述的zHBM概念，是將高頻寬記憶體放到AI加速器附近，甚至垂直堆疊在加速器上方；zNAND-O則是正在開發中的高性能NAND概念，現有資料提到四層及八層版本。567

三者共同方向，係透過三維記憶體結構或封裝，應對AI系統在空間、頻寬、功耗及散熱方面的限制。當中，V10比較接近「儲存」一端；zHBM及zNAND-O在所提供的證據中仍屬概念或開發架構，未有確認為已上市產品，亦未有確定量產時間表。167

量產幾時開始？千層NAND係咪已經定咗？

Samsung在2026年Future of Memory and Storage（FMS）大會上，以原型及下一代技術形式介紹V10。就現有的8月31日訪問及相關資料而言，公司未有提供明確的大規模量產或出貨日期。12

所以，以下幾項消息暫時唔應該當成已落實承諾：

• V10的確實商業化時間；
• 2027年推出第11代NAND；
• 2030年達到1,000層NAND。

過往報道曾提到千層NAND目標，但相關報道並不等同於Samsung已確認一份具體時間表。2526

目前最穩妥的結論係：V10展示了Samsung如何利用三堆疊記憶體單元結構，以及記憶體單元／周邊電路分開製造再晶圓鍵合的方式，突破逾400層V-NAND架構；Samsung同時聲稱位元密度、I/O速度及功耗都有改善。至於幾時真正變成市面上的SSD，以及之後世代會以幾快速度推進，仍然要等公司公布更多資料。