Samsung FMS 2026 記憶體路線圖：zHBM、400+ 層 V-NAND，以及鎖定 AI 客戶嘅 LTA 策略

zHBM — 垂直 HBM 概念架構

如果要數 Samsung 喺 FMS 2026 最搶眼嘅發布，一定係 zHBM。呢個概念架構係將高頻寬記憶體 垂直直接堆疊喺 AI 加速器上面，而唔係好似現時咁擺喺加速器隔離嘅矽中介層上面 。用到先進嘅晶圓鍵合技術先至做到呢種佈局 。Samsung 表示，zHBM 可以做到 大約 HBM5 嘅 8 倍效能、超過 10 倍嘅記憶體密度、3 倍嘅能源效率，仲可以將熱阻減少超過一半 。要留意嘅係，zHBM 目前只係一個實體概念模型（mock-up），唔係量產產品，Samsung 冇俾到任何商業化時間表 。如果呢個架構真係實現到，將會徹底淘汰一直以嚟支撐住 HBM 技術嘅矽中介層 。

zNAND-O — 邊緣 AI 3D NAND 概念

Samsung 仲介紹咗 zNAND-O，呢個概念將 V-NAND 技術同矽通孔（TSV）結合，垂直堆疊 4 粒或 8 粒 NAND 晶片 喺同一個封裝入面 。呢個架構係為 邊緣 AI 工作負載 而設計，Samsung 特別強調喺空間利用率、I/O 效能同延遲方面嘅改善 。同 zHBM 一樣，zNAND-O 都係概念模型，冇具體嘅商業化時間表 。

HBM4E 樣品同 HBM5 模型

Samsung 喺展區展示咗 HBM4E 樣品 — 呢個係佢哋 HBM 路線圖嘅下一步 — 仲有 HBM5 概念模型 。Samsung 喺 2026 年 2 月已經利用自家嘅 1c DRAM 同 4nm 晶片技術，開始業界首批 HBM4 量產；到 2026 年 5 月，佢哋更加成為第一間向全球客戶交付 HBM4E 樣品嘅公司 。HBM4E 嘅量產目標係 2027 年，會用 Samsung 嘅第四代混合鍵合技術 。

LPDDR5X-PIM — 處理器內運算記憶體

Samsung 示範咗 LPDDR5X-PIM，佢哋形容呢款係業界第一款具備晶片內處理器內運算（PIM）能力嘅 LPDDR 記憶體 。呢個設計喺記憶體內部直接執行部分數據運算，減少咗數據喺記憶體同 CPU/GPU 之間嘅傳輸，尤其適合 AI 推理工作，可以提高效率同降低功耗 。

企業級 SSD 平台

Samsung 仲展示咗新一代嘅企業級 SSD 平台 PM1763 同 BM1773，專為 AI 基礎設施而設 。

市場動向：Samsung 重奪 DRAM 一哥地位

Samsung 2026 年第二季 DRAM 市佔率領先

根據 Counterpoint Research 嘅數據，Samsung 喺 2026 年第二季嘅全球 DRAM 市場收入佔有率達到 39%，超越咗 SK 海力士，後者嘅市佔率跌到去 26%（美光就佔 25%）。呢個轉變主要係因為 commodity DRAM 需求強勁，加上 Samsung 嘅 HBM 出貨量持續增加，而 SK 海力士就面對 HBM 價格停滯不前嘅問題 。雖然 SK 海力士嘅收入按年增長咗 214%，但係佢嘅市佔率就從 2025 年第二季嘅 39% 跌到 2026 年第二季嘅 26% 。呢個成績標誌住 Samsung 喺 SK 海力士短暫領先幾個季度之後，重新奪回第一嘅位置 。

轉向長期 AI 客戶協議（LTA）

喺 2026 年 7 月 30 日 嘅第二季業績電話會議上，Samsung 宣布咗一個重大嘅策略轉變：佢哋計劃將 60% 至 70% 嘅總記憶體產能撥歸長期供應協議（LTA）。

LTA 結構嘅關鍵細節：

• 「5 年滾動式」合約結構：基本合約期為 5 年，每年續約 。
• 合約包括 前期按金（Samsung 話已經收到大約總按金嘅四分之一）同 價格上限機制，限制每季價格跌幅最多 5%，但係加價方面嘅靈活性就幾乎無限制 。
• Samsung 已經同 五間全球大型數據中心客戶（據報包括 AWS、Microsoft、Google、Meta 同 Oracle）簽訂咗 LTA，並正與另外五間客戶進行最後階段談判 。
• 相比之下，美光嘅目標係大約 50% 嘅銷售額來自其 Strategic Customer Agreements 。

根據美國銀行美林證券嘅調查，呢啲合約條款明顯對供應商有利，價格減幅上限係每季 5%，但加價潛力就無限制 。

FMS 2026 業界整體動向

喺 FMS 2026 上面，Samsung 梗係唔係唯一一間有新聞嘅公司：

• SK 海力士同 Sandisk 聯手發布咗首個 高頻寬快閃記憶體 (HBF) 標準，呢個係一個全新嘅儲存層級，旨在填補 HBM 同 SSD 之間嘅效能差距 。HBF 規格涵蓋最高 512 GB 容量（以 8 層同 16 層 NAND 晶片堆疊），頻寬範圍大約 0.4 TB/s 到 3.0 TB/s，使用 Universal Chiplet Interconnect Express (UCIe) 介面 。Google 同 Tenstorrent 都有參與 HBF 聯盟 。
• Kioxia 展示咗專為 GPU 直接存取而優化嘅 GP1 系列 PCIe 6.0 NVMe SSD，仲同 Nvidia 一齊探討 AI 基礎設施嘅快閃儲存方案 。Kioxia 仲展出咗 CM10 系列 PCIe 6.0 企業級 SSD 同 NX1 系列 SSD，兩者都支援直接液體冷卻 。
• 美光 嘅 9650 PCIe 6.0 企業級 SSD 自 2026 年 2 月已經量產，係第一款商用 PCIe 6.0 硬碟 。
• SK 海力士 喺自己嘅展區亦都展出咗第十代（V10）375 層 4D NAND，聲稱能源效率提升咗 2.5 倍 。

總結來講： Samsung 喺 FMS 2026 嘅訊息好清晰，就係架構上嘅徹底革新 — zHBM 同 zNAND-O 代表咗同現有記憶體設計嘅徹底決裂 — 加上強勁嘅 DRAM 市場動力同全新 LTA 驅動嘅商業模式，將 60-70% 嘅產能鎖定俾 AI 客戶。整個業界都好明顯咁朝向分層記憶體架構（HBM、HBF、SSD）同 PCIe 6.0 介面邁進，預示緊 AI 基礎設施記憶體領域將會迎來一個競爭同創新都非常激烈嘅時期。