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Samsung HBM5 實物首曝：2nm 底層晶片配 HPB「通渠式」散熱，2028 年量產直接硬撼 SK Hynix
Samsung 喺 Computex 2026 破天荒展出 HBM5 實物模型，係呢款第 8 代高頻寬記憶體首次公開亮相，採用自家 2nm 製程生產底層晶片（Base Die），疊層規格就準備咗 12、16 同 20 層版本，目標係 2028 年左右開始量產 [1][3][9]。 成套 HBM5 嘅核心秘密武器叫「Heat Path Block（HPB）」——簡單講就係喺晶片入面開咗多條「散熱通道」，直接將堆疊層之間積聚嘅熱力帶走，而唔係單靠外置散熱。呢套技術已經喺 HBM4E 度驗證過結構穩定性同可靠性 [4][5][13]。
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openai.comCreate a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What key details about Samsung's HBM5 memory chip were revealed at Computex 2026, including its 2nm base die, Heat Path Block (HPB) thermal. Article summary: ## Samsung HBM5 Revealed at Computex 2026. Topic tags: general, general web, user generated. Reference image context from search candidates: Reference image 1: visual subject "Samsung Electronics unveiled the first physical model of its next-generation AI memory, HBM5, at Computex 2026 in Taipei, signaling an aggressive push to dominate the market. The s" source context "Samsung Unveils HBM5 Model, Loads Up with 2nm and HPB for Next-Gen Leadership — BigGo Finance" Reference image 2: visual subject "### **Semiconductor Research**. ### **Display Research**. ### **Green Energy Research**. TrendForce News operates independently from our research team, curating key s
Samsung 一向唔會喺 Computex 留手，今年更加係有備而來。佢哋嘅首席技術官（CTO）宋在赫（Song Jai-hyuk）親自喺台北展場，為第 8 代高頻寬記憶體（HBM5）實物模型揭幕，仲好有火咁講：「我哋會靠 HBM5，鞏固喺新一代記憶體技術嘅領導地位。」
呢次首度曝光，等大家睇清 Samsung 喺 AI 記憶體市場嘅終極武器有幾「重裝」。
HBM5 實物首曝有幾勁？三大核心武器拆解
同以往只係用簡報「畫公仔」唔同，今次 Samsung 畀大家見到真嘢，三個重點一望就明：
- 自研 2nm 工藝底層晶片（Base Die）：Samsung 話會用自家最先進嘅 2nm 晶圓代工製程嚟做 HBM5 嘅 Base Die
。成個記憶體市場嚟講，用咁先進嘅製程做呢個部件，係第一次。咁樣可以大幅提升晶片嘅效能同慳電表現。
- 「通渠式」散熱黑科技 HPB：AI 運算愈勁，記憶體就愈熱。HPB（Heat Path Block）就係為咗解決呢個物理極限而設計，喺晶片 Die 同 Die 之間嘅物理層（PHY）開拓出新嘅散熱路徑，直接將內部熱力「抽出嚟」，可以降低熱阻（Thermal Resistance），令佢行得更穩定
。Samsung 強調，呢套 HPB 架構已經喺佢哋嘅 HBM4E 產品度行咗一輪，結構、可靠度、封裝穩定性全部驗證合格 。
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人們還問
「Samsung HBM5 實物首曝：2nm 底層晶片配 HPB「通渠式」散熱，2028 年量產直接硬撼 SK Hynix」的簡短答案是什麼？
Samsung 喺 Computex 2026 破天荒展出 HBM5 實物模型，係呢款第 8 代高頻寬記憶體首次公開亮相，採用自家 2nm 製程生產底層晶片（Base Die），疊層規格就準備咗 12、16 同 20 層版本，目標係 2028 年左右開始量產 [1][3][9]。
首先要驗證的關鍵點是什麼？
Samsung 喺 Computex 2026 破天荒展出 HBM5 實物模型，係呢款第 8 代高頻寬記憶體首次公開亮相，採用自家 2nm 製程生產底層晶片（Base Die），疊層規格就準備咗 12、16 同 20 層版本，目標係 2028 年左右開始量產 [1][3][9]。 成套 HBM5 嘅核心秘密武器叫「Heat Path Block（HPB）」——簡單講就係喺晶片入面開咗多條「散熱通道」，直接將堆疊層之間積聚嘅熱力帶走，而唔係單靠外置散熱。呢套技術已經喺 HBM4E 度驗證過結構穩定性同可靠性 [4][5][13]。
接下來在實務上我該做什麼？
競爭對手 SK Hynix 雖然仲係市場一哥（2026 年 Q1 全球市佔率 58%，Samsung 得 21%），今次展會上就主力晒自己嘅產能實力，SK 會長崔泰源仲話 5 年內要將晶圓產能翻一番 [6][18][19]。散熱技術正正就係 Samsung 追趕、甚至超越 Nvidia 供應鏈優勢嘅最大賭注 [10][11]。
來源
- koreatimes.co.krSamsung unveils HBM5 mock-up for 1st time
- v.daum.net삼성전자, 컴퓨텍스서 HBM5 실물모형 첫 공개…"열 관리 기술·2나노 공정 적용"
- en.sedaily.comSamsung Unveils First HBM5 Mockup with 2-nm Base Die
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- biz.chosun.comSamsung Electronics unveils HBM5 mockup, races to lead next-gen AI memory market - CHOSUNBIZ
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