三星斥資117億 越南設半導體測試廠 背後嘅AI缺口同23年佈局

測試乜嘢晶片？AI世界入面嘅「成熟製程」記憶體

呢間廠嘅任務非常專一：主力測試成熟製程（或者叫「 legacy」）嘅DRAM同NAND記憶體晶片 。呢啲唔係成日喺AI加速器新聞頭條出現嗰啲尖端邏輯處理器，或者高頻寬記憶體（HBM），而係用舊世代製程生產、但仍然係汽車、家電等大量電子產品不可或缺嘅「主力」記憶體零件。

今次投資，係直接回應AI大灑金錢所扭曲嘅供應鏈現狀。隨住三星將最先進嘅產線轉向生產高毛利、畀AI數據中心用嘅HBM，成熟製程DRAM同NAND嘅產能相對收縮，形成全球性短缺 。三星喺計劃書入面明確講到，今次擴張係要「幫助紓緩由AI需求激增所引發嘅全球記憶體晶片短缺」。

數字背後：吞吐量同潛在第二期加碼

路透社分析公司文件顯示，呢間廠房嘅設計吞吐量好可觀：每年可以測試1533億Gb嘅DRAM，同埋2556億Gb嘅NAND 。

不過，15億美元呢個銀碼可能只係個開頭。項目嘅環保許可申請文件仲提及，可能會額外投入25億美元 。意味住三星正考慮喺同一塊地皮做第二期工程，或者興建更大嘅第二座設施。如果成事，太原測試綜合體嘅總投資會逼近40億美元，而呢個數仲未計嗰間已經公佈嘅40億美元封裝廠 。

鞏固232億美元嘅商業王國

呢間新測試廠係三星同越南關係深化嘅關鍵一步。由2008年喺北寧省設立第一間廠房以嚟，三星喺當地嘅累計投資已經超過232億美元，成為越南最大外商直接投資者 。越南嘅生產基地，而家製造緊全球超過一半嘅三星手機 。

以往三星喺越南嘅業務集中喺智能手機、平板、顯示器等成品嘅最終組裝。今次呢間新廠，連同封裝廠，標誌住三星有意識地向上游、更高附加值嘅半導體後段測試同封裝工序進行垂直擴張 。呢一步將越南鎖定喺全球晶片供應鏈一個更精密、更關鍵嘅環節。

呢個舉動亦同更廣泛嘅地緣政治趨勢吻合。隨住各國同企業尋求半導體生產基地多元化，避免過分集中喺單一地區，越南正積極將自己定位為一個可行嘅替代製造樞紐 。英特爾早已喺胡志明市營運大型晶片組裝同測試設施，三星呢個雙重投資就更加鞏固越南北部，成為記憶體晶片後段工序嘅關鍵產業群。

關鍵時間表一覽：

• 2026年4月： 向越南當局提交計劃書文件
• 2026年5月： 確認已開始動工
• 2027年11月： 廠房預定開始商業營運