CXMT擬進軍NAND：北京研發試產線未等於商用量產

CXMT（長鑫存儲）據報正準備在北京新廠設立一條NAND快閃記憶體研發及試產線。呢個動作若落實，代表這家以DRAM為主的中國記憶體晶片商，會開始探索持久儲存市場，包括AI系統、伺服器及資料中心所需的儲存元件。

不過，最要緊係分清楚：目前報道講的是研發與試產線，不是已宣布投產的大規模商用NAND晶圓廠。 1

北京項目實際計劃做乜？

路透社引述知情人士報道，CXMT計劃在北京新廠建立NAND快閃記憶體研發生產線；公司亦已在北京成立研究院，NAND開發是其中一個項目。 1

據報，CXMT曾與潛在客戶討論其NAND計劃，當中包括一家有意為AI系統及超級電腦採購儲存晶片的新創公司。這反映公司可能一邊研發技術、一邊驗證客戶需求，但不等於已簽訂大批量供貨合約。 1

DRAM與NAND用途不同：DRAM是處理器高速運算時用的「工作記憶體」；NAND則是斷電後仍可保留資料的快閃儲存，常見於SSD、手機、個人電腦和資料中心儲存系統。若CXMT能同時提供兩類晶片，對原本已採購或正評估其DRAM產品的客戶而言，供應選擇會更完整。

點解CXMT現時想進軍NAND？

背景是AI基建帶動全球記憶體供應緊張。路透社報道，業界高層預計供應壓力至少持續至2027年；而主要廠商把投資重點放在DRAM及高頻寬記憶體（HBM），令NAND新增供應受到限制。 1

對CXMT來說，NAND可打開更多潛在買家：AI系統建造商、伺服器廠商、資料中心營運商、儲存設備供應商、電腦製造商及裝置品牌等。與AI和超級電腦儲存客戶的討論，是目前最直接顯示這套商業邏輯的訊號。 1

但「產品線更闊」不等於很快成為主要NAND供應商。真正要做到商業規模，仍要經歷製程開發、良率提升、客戶驗證及量產爬坡等關卡。

對長江存儲、三星、SK hynix與美光有何影響？

過去，CXMT主要做DRAM，長江存儲（YMTC）則是中國較成熟的NAND專門廠商。CXMT若推進NAND，兩者原本較清晰的分工便會愈來愈模糊。另一方面，路透社亦曾報道，YMTC已向客戶送交低功耗DRAM樣品，顯示兩家公司正逐步踩入對方原有的市場範圍。 1

放眼全球，CXMT將成為三星電子、SK hynix及美光之外，另一個潛在NAND競爭者。不過，不能因為一條研發試產線，就將CXMT與這些已有成熟技術、量產規模及客戶認證體系的廠商相提並論。現時已知的是早期研發與試產計劃，而非大規模商業產能。 1

幾個最重要、但仍未揭曉的問題

路透社報道未有交代以下關鍵資料：

• 何時開線： 未有公布研發試產線何時投入運作。 1
• 會否量產： CXMT未有公開確認，試產線日後會否升級為高產量商用NAND廠。 1
• 技術細節： 未披露製程節點、堆疊層數、NAND架構，或任何指定的堆疊、鍵合技術。 1
• 產能與出貨： 未有晶圓投片目標、良率、出貨日期、銷售目標或商業供應量。 1

這些資料缺一不可。研發線可以累積製程經驗、製作客戶樣品，但本身不會在短期內顯著增加NAND供應。因此，現階段沒有足夠公開證據顯示，CXMT的NAND會很快紓緩全球儲存晶片短缺，或成為SSD與伺服器儲存市場的重要貨源。 1

唔好將CXMT幾個不同項目混為一談

另一個北京晶圓廠構想

路透社在8月報道，CXMT正考慮在北京亦莊興建第二座12吋記憶體晶圓廠，並與一個有地方政府支持的科技製造中心商討融資。這是潛在擴產項目，但報道沒有證實它是商用NAND廠，亦沒有提供已落實的NAND量產時間表。 3

HBM是另一條DRAM技術路線

CXMT亦據報已小量生產HBM3E，阿里巴巴旗下平頭哥及寒武紀等中國晶片設計商，正把這類記憶體與其處理器作測試。HBM是供AI運算使用的堆疊式DRAM，不是NAND快閃記憶體。 2

另有報道指，CXMT早期HBM3試產良率約為25%，而大規模量產的參考水平約為80%。這個數字只關乎HBM製造，不能當成NAND良率，更不能用來判斷北京NAND研發線的進展。 17

未有證據證實北京NAND線採用XStacking

9月18日的路透社報道沒有提及XStacking，亦沒有點名任何NAND鍵合或堆疊製程。根據現有資料，無法把某一種NAND技術、製程節點或量產路線圖，歸因於CXMT這個北京項目。 1

一句講晒

CXMT據報布局北京NAND研發試產線，戰略意義在於它有機會由DRAM延伸至儲存記憶體，並在供應緊張的周期中擴大客戶基礎；同時，這也可能加劇其與YMTC在中國市場的競爭，長遠增加全球NAND市場的競爭變數。 1

但目前它仍然是早期項目。要判斷是否真正改變市場，還要等幾項硬指標：開線日期、技術規格、客戶認證、商業產能、良率，以及有沒有明確決定轉入大規模量產。