記憶晶片大牛市急速降溫：DRAM升幅急縮、股票大冧市、中國供應威脅逼近

全球記憶晶片市場喺2026年上半年經歷咗歷史上最爆炸嘅牛市之一。但呢個升浪正在急速減速。TrendForce最新預測，常規DRAM合約價喺Q3 2026嘅按季升幅只係得13-18%——同Q1嘅90-95%同Q2嘅58-65%相比，真係天淵之別 。

以下係導致呢個升浪放緩嘅五個關鍵因素。

1. DRAM價格升幅由歷史高位急劇收窄

常規DRAM合約價喺Q2 2026按季升咗大約58-65%，之前Q1仲創紀錄咁升咗90-95% 。呢個癲狂嘅升幅而家已經散咗。

TrendForce最新記憶體定價調查預測，常規DRAM合約價喺Q3 2026按季升幅只係得13-18%，部分估計更加收窄到13-17% 。放緩原因有兩個：高基數效應——價格已經好高，再大升嘅難度增加；同埋消費者購買力限制——PC同手機生產商對歷史高位嘅合約價表示抗拒，限制咗進一步加價 。

關鍵係：價格仍在上升——呢個唔係跌價——但升速正在急劇放緩 。

2. 摩根士丹利將週期標記為「晚期階段」

摩根士丹利對記憶體週期嘅睇法一向備受市場關注，而佢哋嘅訊號已經轉趨審慎。

2026年6月，該行警告記憶體價格飆升可能引發「晶片通脹」（chipflation），因為裝置製造商面臨利潤壓力 。到7月，摩根士丹利亞洲科技團隊表示，由AI帶動嘅儲存熱潮正接近轉捩點，記憶體定價動能可能會喺Q4 2026見頂 。

該行嘅核心結論係：價格嘅「變化率」正在見頂，即使整個週期未完 。不過，摩根士丹利同時又話呢次股票拋售係「買入機會」，話調整似乎已經結束，令投資者接收到一啲混雜訊號 。

3. 主要記憶體股票經歷咗一次急劇回調

AI記憶體股票喺12個月內爆升超過600%之後，已經蒸發咗三成至五成嘅升幅 。跌勢廣泛而深入：

• Micron Technology由高位跌咗約33%；7月底某日更單日跌7%，之後持續下滑 。
• SanDisk一個月內跌咗45%，業績指引低過市場預期後單日再跌11% 。
• SK Hynix喺韓國主導嘅跌市中跌6%，其後因為董事會批准咗380億美元新建晶圓廠，再跌5% 。
• Roundhill Memory DRAM ETF由高位跌咗大約30%，反映整個板塊嘅全面退潮 。

截至2026年8月初，Micron、Samsung、SK Hynix同DRAM ETF都較近期收市高位跌超過20%，令呢個2026年最熱門嘅交易之一陷入熊市區域 。

4. 中國生產商CXMT同YMTC加劇供應壓力

分析師指出，中國記憶體廠商嘅產能擴張係一個關鍵嘅轉折風險 。

• **CXMT（長鑫存儲）**計劃喺2028年前將DRAM產能幾乎翻倍，為之前供應極度緊張嘅市場增加大量供應 。
• **YMTC（長江存儲）**亦在擴充NAND產能，引發市場對2026年底同2027年供應過剩嘅擔憂 。

分析師同機構投資者都將呢點視為主要結構性風險：當超大型雲端服務商嘅需求增長開始放緩，中國嘅新增供應可能令市場轉為供應過剩 。

5. 消費市場需求已到成本極限

創紀錄嘅合約價正正撞上消費者嘅購買力天花板。TrendForce指出，PC同智能手機等消費市場嘅客戶已達到購買力極限，導致Q3 2026嘅加價幅度更為溫和 。

與此同時，部分分析師認為，HBM特定短缺正在緩解，因為供應正逐步追趕NVIDIA相關嘅需求，可能會令呢個升浪嘅其中一個主要動力減弱 。

總結：係「暫停」定係真正嘅週期轉向？

記憶體週期仍然處於正數區域——2026年Q3價格仍在上升。但升幅已由Q1/Q2嘅爆炸性階段急劇放緩。配合分析師嘅晚期週期觀點、股市大幅調整、消費者對價格嘅抗拒，以及中國產能即將大規模上線，都指向價格動能喺今年稍後時間見頂 。

摩根士丹利自己亦承認呢啲晚期訊號，但佢哋認為由AI驅動嘅結構性短缺將持續到2027-2028年 。投資者而家嘅核心辯論係：呢個究竟係一個長牛週期中嘅「暫停」，定係真正下行週期嘅開端？現有證據傾向於「改善率」已見頂——但唔一定係絕對價格見頂 。