三星據報同意採用台積電的 3 奈米製程，為英偉達定製高頻寬記憶體 NVHBM 生產底層晶粒。若報道屬實，這會是三星一向「一站式」生產做法的一次明顯例外，但範圍只限英偉達這款產品，並不代表三星要退出 HBM 業務。相關公司目前未有公開確認這項安排。 3235

英偉達據報要求供應商採用共同規格

據報道引述業界消息，英偉達要求三星、SK 海力士和美光，為 NVHBM 的底層晶粒採用台積電 3 奈米製程，並以第六代 1c DRAM 製造堆疊在上方的記憶體晶粒。報道指三星經內部評估後接受要求。 15

兩種晶粒分工不同：底層晶粒位於 HBM 堆疊底部，負責邏輯功能；核心晶粒則是上方一層層的記憶體。若各供應商依照共同規格生產，英偉達便可在較一致的平台上整合和驗證記憶體。不過，採用同一製程規格，不等於各家的成品完全相同；目前也未有多方公開確認這項要求。 535

一站式生產模式，為何會出現例外？

三星的 HBM 一站式生產模式，是由三星自行製造邏輯功能的底層晶粒，以及上方的記憶體晶粒。按目前報道，NVHBM 的底層晶粒會採用台積電製程，三星則繼續擔任記憶體供應商。換言之，三星為這款產品讓出一個製造環節，而不是放棄整個 HBM 業務。 32

報道亦指，三星會繼續為標準 HBM 產品自行生產底層晶粒。這顯示三星的做法較像是按客戶要求作選擇，而非全面轉向外判。 11

NVHBM 為何特別重視底層晶粒？

英偉達的定製設計據報把記憶體控制器由處理器晶粒移到 HBM 底層晶粒，令底層晶粒不再只是支撐記憶體堆疊的基座，而是承載更多邏輯功能的關鍵部分。 40 英偉達曾表示，與標準 HBM4E 相比，NVHBM 的頻寬最高可提升 30%，HBM 耗電量可降低 15%；這些是產品公布的數據，並不代表每套系統都必定取得相同提升。 43

底層晶粒承擔更多功能，有助理解為何製程會成為這宗報道的焦點。不過，現有資料講的是據報提出的要求和接受安排，並非公開的技術文件，亦未能證明實際效能或量產結果。

報道說了甚麼，仍有哪些未知？

如果安排屬實，這反映英偉達或能影響不同記憶體供應商如何為其定製產品安排生產。對三星而言，取捨是為了配合英偉達指定的製程，減少自行掌控 NVHBM 底層晶粒製造的空間。 15

但現階段仍有重要限制：路透社是轉述《首爾經濟日報》的報道，另一報道亦指出，相關公司未有確認具體製造安排。 3235 因此，關於良率比較、三星自家製程作後備方案，或台積電產能安排的說法，都不應當作已確定的結果。

最穩妥的理解是：三星據報願意為 NVHBM 彈性調整一站式生產模式，但未有證據顯示這套模式已經過時。英偉達的產品要求可能優先於三星自行製造底層晶粒的偏好；至於其他 HBM 產品，三星據報仍會繼續自行生產。

三星據報同意採用台積電的 3 奈米製程，為英偉達定製高頻寬記憶體 NVHBM 生產底層晶粒。若報道屬實，這會是三星一向「一站式」生產做法的一次明顯例外，但範圍只限英偉達這款產品，並不代表三星要退出 HBM 業務。相關公司目前未有公開確認這項安排。 3235

英偉達據報要求供應商採用共同規格

據報道引述業界消息，英偉達要求三星、SK 海力士和美光，為 NVHBM 的底層晶粒採用台積電 3 奈米製程，並以第六代 1c DRAM 製造堆疊在上方的記憶體晶粒。報道指三星經內部評估後接受要求。 15

兩種晶粒分工不同：底層晶粒位於 HBM 堆疊底部，負責邏輯功能；核心晶粒則是上方一層層的記憶體。若各供應商依照共同規格生產，英偉達便可在較一致的平台上整合和驗證記憶體。不過，採用同一製程規格，不等於各家的成品完全相同；目前也未有多方公開確認這項要求。 535

一站式生產模式，為何會出現例外？

三星的 HBM 一站式生產模式，是由三星自行製造邏輯功能的底層晶粒，以及上方的記憶體晶粒。按目前報道，NVHBM 的底層晶粒會採用台積電製程，三星則繼續擔任記憶體供應商。換言之，三星為這款產品讓出一個製造環節，而不是放棄整個 HBM 業務。 32

報道亦指，三星會繼續為標準 HBM 產品自行生產底層晶粒。這顯示三星的做法較像是按客戶要求作選擇，而非全面轉向外判。 11

NVHBM 為何特別重視底層晶粒？

英偉達的定製設計據報把記憶體控制器由處理器晶粒移到 HBM 底層晶粒，令底層晶粒不再只是支撐記憶體堆疊的基座，而是承載更多邏輯功能的關鍵部分。 40 英偉達曾表示，與標準 HBM4E 相比，NVHBM 的頻寬最高可提升 30%，HBM 耗電量可降低 15%；這些是產品公布的數據，並不代表每套系統都必定取得相同提升。 43

底層晶粒承擔更多功能，有助理解為何製程會成為這宗報道的焦點。不過，現有資料講的是據報提出的要求和接受安排，並非公開的技術文件，亦未能證明實際效能或量產結果。

報道說了甚麼，仍有哪些未知？

如果安排屬實，這反映英偉達或能影響不同記憶體供應商如何為其定製產品安排生產。對三星而言，取捨是為了配合英偉達指定的製程，減少自行掌控 NVHBM 底層晶粒製造的空間。 15

但現階段仍有重要限制：路透社是轉述《首爾經濟日報》的報道，另一報道亦指出，相關公司未有確認具體製造安排。 3235 因此，關於良率比較、三星自家製程作後備方案，或台積電產能安排的說法，都不應當作已確定的結果。

最穩妥的理解是：三星據報願意為 NVHBM 彈性調整一站式生產模式，但未有證據顯示這套模式已經過時。英偉達的產品要求可能優先於三星自行製造底層晶粒的偏好；至於其他 HBM 產品，三星據報仍會繼續自行生產。