高盛的2026年預測，重點不是中國可以完全擺脫海外晶片供應商，而是先進晶片供應缺口有望大幅收窄。

按該行模型，中國7納米及以下晶圓的本地供應量，將於2025至2035年間以46%的複合年增長率上升，遠高於同期預計17%的需求增長。到2035年，供應量或達每月約41萬片，而需求約為61.9萬片，意味本地供應可覆蓋約66%需求，仍有約20.9萬片、即34%的缺口。26

換句話說，中國可能由目前高度依賴進口，走到能夠自行生產大部分所需的先進製程晶圓；但距離「完全自給自足」，仍然有一段距離。

供應增長遠快過需求，但缺口未會消失

高盛預計，AI伺服器將成為先進晶片需求的主要推動力。AI伺服器相關晶圓需求，預計每年增長約42%，生成式人工智能的訓練及推理工作負載，將持續帶動高性能處理器及記憶體需求。1016

按高盛估算：

• 2025年： 中國本地供應只覆蓋約8%需求，短缺率約92%。
• 2035年： 本地供應增至每月約41萬片，需求則約61.9萬片。
• 剩餘缺口： 每月約20.9萬片，相當於預計需求的34%。68

數字顯示，這是一輪大規模追趕，而不是一步到位的全面自主化。中國在高盛的情境下可生產大部分先進晶圓，但仍要依靠進口或外部生產滿足逾三分之一需求。

AI投資同時推高需求和產能

人工智能投資在這個預測中扮演雙重角色：一方面創造對AI加速器、伺服器及記憶體的需求；另一方面亦為晶圓廠、設備、封裝及本土供應鏈提供資金支持。

高盛已將中國半導體業到2030年的資本開支預測上調至820億美元，並預期此前維持雙位數年度增長。1720 該行亦估計，阿里巴巴、騰訊、字節跳動及百度在2026年的AI相關資本開支合計約為1,020億美元。2022

不過，投入資金不代表即時可以變成可用的先進晶片。資本開支可以支持興建晶圓廠、購買製造設備、發展封裝技術及建立本地零部件供應，但最終產量仍取決於設備供應、工藝成熟度、良率和客戶驗證。這個投資周期能否持續多年，將直接影響高盛預測能否落地。

中芯國際是最關鍵的執行變數

高盛的先進邏輯晶片情境，很大程度建基於中芯國際（SMIC）的擴產及工藝改善。該行假設，中芯國際在2026至2031年間，每年新增約3萬至5萬片先進製程晶圓的月產能；2032至2035年，則每年再增加約2萬片月產能。912

同時，高盛預期先進製程良率會由2026年的約23%，提升至2030年的50%，再於2035年升至75%。910

良率是指製造出來的晶粒中，符合規格、可以實際使用的比例。晶圓廠即使有大量名義產能，如果瑕疵率偏高，最終能交付的合格晶片數量仍會大打折扣。因此，良率提升並非枝節，而是高盛供應增長預測的核心部分。

與台積電比較，成本壓力仍然明顯

高盛假設中芯國際到2035年的75%良率，仍低於報道所指台積電成熟7納米製程逾90%的良率。台積電自2018年起已大量生產7納米晶片。13

兩者比較反映，晶圓數量並不能單獨代表競爭力。良率較低，意味着要投入更多晶圓，才可以取得同樣數量的合格晶粒；對複雜的AI晶片而言，這會推高每粒晶片成本，降低實際有效產能，亦令大規模生產更具挑戰。

光刻設備仍是最難突破的樽頸

高盛預測中最重要的限制，仍然是光刻設備。中國可以利用深紫外光刻（DUV）設備，配合多重曝光等方法，生產7納米級別晶片；但這種做法一般比採用極紫外光刻（EUV）更複雜、更慢，成本亦更高。23

在相關出口限制下，中國無法取得ASML的EUV設備。因此，單靠增加資金和興建晶圓廠，未必足以消除技術、良率及成本差距。更多設備可以提高名義產能，但沒有最先進光刻工具，製程工程、設備可用率、零部件供應及良率改善的重要性便會更高。23

這亦解釋了為何高盛的結論是「減少依賴」，而不是「完全獨立」。66%的覆蓋率，取決於中國能否透過規模效應、持續工藝學習，以及穩定取得DUV設備和相關投入，去彌補缺乏EUV所帶來的限制。

長鑫存儲：DRAM進展或快過HBM

在記憶體方面，高盛對長鑫存儲（CXMT）的看法較為樂觀。該行預計，在擴產、良率提升及客戶驗證順利的前提下，CXMT到2028年或可供應中國約50%的DRAM需求。相關產能估算顯示，其每月晶圓產能可能由2026年的27萬片，升至2028年的44.7萬片，並於2030年達到66.5萬片。5

但高頻寬記憶體（HBM）是另一回事。與高盛相關的報道預測，CXMT到2028年或可滿足中國約40%的HBM需求；其他報道則指出，CXMT在HBM製程技術、晶片堆疊及封裝、可靠性認證和生產規模方面，仍落後於三星及SK海力士。930

傳統DRAM產能增加，並不等於已經具備AI級HBM的競爭力。HBM除了要求記憶體晶粒製造，亦需要高難度封裝、堆疊、可靠性測試及客戶認證。受限於先進光刻技術，CXMT較有機會先在傳統DRAM替代進口方面取得進展，至於短期內追上全球領先HBM供應商，難度則高得多。

哪些因素可能令2035年目標落空？

高盛提出的66%是模型情境，並非已經實現的產量，也不是業界保證會達到的目標。它需要多項條件同時成立：

• 中芯國際按預期增加先進製程產能；
• 良率由23%大幅提升至75%；
• 中國維持半導體及AI相關資本開支；
• DUV設備、零部件及配套設備繼續可供使用；
• 本地客戶持續採用中國製處理器及記憶體；
• CXMT能將擴產轉化為通過認證、可商業化交付的DRAM及HBM產出。359

如果擴產工程延誤、良率改善不及預期、設備供應受阻，或客戶認證進度較慢，中國到2035年所需的進口量便會高過模型估算。

結論：依賴程度下降，不代表站上技術最前線

高盛的預測指出，中國先進晶片產業未來十年可能大幅追近本地需求。7納米及以下晶圓供應若以每年46%的速度增長，本地覆蓋率可由2025年的約8%，提升至2035年的約66%，供應短缺率則由92%降至34%。26

但這仍不是先進製程全面自給。中芯國際能否提升良率、光刻設備限制能否透過工藝及規模加以抵消，以及CXMT能否在HBM領域完成客戶認證，都是尚未解決的問題。

較合理的解讀是：中國或會顯著減少對進口先進晶片的依賴，但在技術、良率和成本方面，與產業最前線仍可能存在持續差距。

高盛的2026年預測，重點不是中國可以完全擺脫海外晶片供應商，而是先進晶片供應缺口有望大幅收窄。

按該行模型，中國7納米及以下晶圓的本地供應量，將於2025至2035年間以46%的複合年增長率上升，遠高於同期預計17%的需求增長。到2035年，供應量或達每月約41萬片，而需求約為61.9萬片，意味本地供應可覆蓋約66%需求，仍有約20.9萬片、即34%的缺口。26

換句話說，中國可能由目前高度依賴進口，走到能夠自行生產大部分所需的先進製程晶圓；但距離「完全自給自足」，仍然有一段距離。

供應增長遠快過需求，但缺口未會消失

高盛預計，AI伺服器將成為先進晶片需求的主要推動力。AI伺服器相關晶圓需求，預計每年增長約42%，生成式人工智能的訓練及推理工作負載，將持續帶動高性能處理器及記憶體需求。1016

按高盛估算：

• 2025年： 中國本地供應只覆蓋約8%需求，短缺率約92%。
• 2035年： 本地供應增至每月約41萬片，需求則約61.9萬片。
• 剩餘缺口： 每月約20.9萬片，相當於預計需求的34%。68

數字顯示，這是一輪大規模追趕，而不是一步到位的全面自主化。中國在高盛的情境下可生產大部分先進晶圓，但仍要依靠進口或外部生產滿足逾三分之一需求。

AI投資同時推高需求和產能

人工智能投資在這個預測中扮演雙重角色：一方面創造對AI加速器、伺服器及記憶體的需求；另一方面亦為晶圓廠、設備、封裝及本土供應鏈提供資金支持。

高盛已將中國半導體業到2030年的資本開支預測上調至820億美元，並預期此前維持雙位數年度增長。1720 該行亦估計，阿里巴巴、騰訊、字節跳動及百度在2026年的AI相關資本開支合計約為1,020億美元。2022

不過，投入資金不代表即時可以變成可用的先進晶片。資本開支可以支持興建晶圓廠、購買製造設備、發展封裝技術及建立本地零部件供應，但最終產量仍取決於設備供應、工藝成熟度、良率和客戶驗證。這個投資周期能否持續多年，將直接影響高盛預測能否落地。

中芯國際是最關鍵的執行變數

高盛的先進邏輯晶片情境，很大程度建基於中芯國際（SMIC）的擴產及工藝改善。該行假設，中芯國際在2026至2031年間，每年新增約3萬至5萬片先進製程晶圓的月產能；2032至2035年，則每年再增加約2萬片月產能。912

同時，高盛預期先進製程良率會由2026年的約23%，提升至2030年的50%，再於2035年升至75%。910

良率是指製造出來的晶粒中，符合規格、可以實際使用的比例。晶圓廠即使有大量名義產能，如果瑕疵率偏高，最終能交付的合格晶片數量仍會大打折扣。因此，良率提升並非枝節，而是高盛供應增長預測的核心部分。

與台積電比較，成本壓力仍然明顯

高盛假設中芯國際到2035年的75%良率，仍低於報道所指台積電成熟7納米製程逾90%的良率。台積電自2018年起已大量生產7納米晶片。13

兩者比較反映，晶圓數量並不能單獨代表競爭力。良率較低，意味着要投入更多晶圓，才可以取得同樣數量的合格晶粒；對複雜的AI晶片而言，這會推高每粒晶片成本，降低實際有效產能，亦令大規模生產更具挑戰。

光刻設備仍是最難突破的樽頸

高盛預測中最重要的限制，仍然是光刻設備。中國可以利用深紫外光刻（DUV）設備，配合多重曝光等方法，生產7納米級別晶片；但這種做法一般比採用極紫外光刻（EUV）更複雜、更慢，成本亦更高。23

在相關出口限制下，中國無法取得ASML的EUV設備。因此，單靠增加資金和興建晶圓廠，未必足以消除技術、良率及成本差距。更多設備可以提高名義產能，但沒有最先進光刻工具，製程工程、設備可用率、零部件供應及良率改善的重要性便會更高。23

這亦解釋了為何高盛的結論是「減少依賴」，而不是「完全獨立」。66%的覆蓋率，取決於中國能否透過規模效應、持續工藝學習，以及穩定取得DUV設備和相關投入，去彌補缺乏EUV所帶來的限制。

長鑫存儲：DRAM進展或快過HBM

在記憶體方面，高盛對長鑫存儲（CXMT）的看法較為樂觀。該行預計，在擴產、良率提升及客戶驗證順利的前提下，CXMT到2028年或可供應中國約50%的DRAM需求。相關產能估算顯示，其每月晶圓產能可能由2026年的27萬片，升至2028年的44.7萬片，並於2030年達到66.5萬片。5

但高頻寬記憶體（HBM）是另一回事。與高盛相關的報道預測，CXMT到2028年或可滿足中國約40%的HBM需求；其他報道則指出，CXMT在HBM製程技術、晶片堆疊及封裝、可靠性認證和生產規模方面，仍落後於三星及SK海力士。930

傳統DRAM產能增加，並不等於已經具備AI級HBM的競爭力。HBM除了要求記憶體晶粒製造，亦需要高難度封裝、堆疊、可靠性測試及客戶認證。受限於先進光刻技術，CXMT較有機會先在傳統DRAM替代進口方面取得進展，至於短期內追上全球領先HBM供應商，難度則高得多。

哪些因素可能令2035年目標落空？

高盛提出的66%是模型情境，並非已經實現的產量，也不是業界保證會達到的目標。它需要多項條件同時成立：

• 中芯國際按預期增加先進製程產能；
• 良率由23%大幅提升至75%；
• 中國維持半導體及AI相關資本開支；
• DUV設備、零部件及配套設備繼續可供使用；
• 本地客戶持續採用中國製處理器及記憶體；
• CXMT能將擴產轉化為通過認證、可商業化交付的DRAM及HBM產出。359

如果擴產工程延誤、良率改善不及預期、設備供應受阻，或客戶認證進度較慢，中國到2035年所需的進口量便會高過模型估算。

結論：依賴程度下降，不代表站上技術最前線

高盛的預測指出，中國先進晶片產業未來十年可能大幅追近本地需求。7納米及以下晶圓供應若以每年46%的速度增長，本地覆蓋率可由2025年的約8%，提升至2035年的約66%，供應短缺率則由92%降至34%。26

但這仍不是先進製程全面自給。中芯國際能否提升良率、光刻設備限制能否透過工藝及規模加以抵消，以及CXMT能否在HBM領域完成客戶認證，都是尚未解決的問題。

較合理的解讀是：中國或會顯著減少對進口先進晶片的依賴，但在技術、良率和成本方面，與產業最前線仍可能存在持續差距。