中國先進晶片供應缺口，2035年或由92%大減至34%

高盛的核心判斷，不是中國可以完全做到先進晶片自給自足，而是未來十年有望大幅降低對進口的依賴。報告預測，中國以7納米或以下製程生產的晶圓，供應量到2035年將以年均46%的複合增長率上升，遠高於同期預計17%的需求增長率。即使如此，本土供應到期末亦只可滿足約66%需求，仍然留下34%的缺口。2913

2035年關鍵數字

高盛模型估算，中國對7納米或以下晶圓的每月需求，到2035年將增至約61.9萬片；本土供應則可能升至約41萬片，即每月仍短缺約20.9萬片。41014

相比之下，2025年中國本土產量只約佔國內需求8%，供應短缺率高達92%。由於預測中的供應增長跑贏需求增長，短缺率到2035年將降至34%。21214

指標	2025年	高盛2035年預測
本土供應佔先進晶圓需求	約8%	約66%
供應短缺率	92%	34%
每月本土供應	—	41萬片
每月國內需求	—	61.9萬片

要留意，以上是情境預測而非產量保證，前提是產能擴充、製造良率及客戶認證進度大致符合模型假設。

AI投資成為晶片擴產催化劑

這輪預測的投資邏輯，與人工智能基礎建設密切相關。高盛已將中國晶片業到2030年的資本開支預測上調至820億美元，較一年前估算高79%；該行預期，直至2030年前，中國晶片業投資將維持雙位數年度增長。

高盛亦估算，阿里巴巴、騰訊、字節跳動及百度四家公司，2026年合計AI資本開支約達1,020億美元。這批投資可刺激中國本土算力需求，並推動晶圓廠增加產能。

不過，需求增加和真正做到自給自足，始終是兩回事。AI投資可以帶來龐大晶片市場，卻不會自動解決先進晶圓製造涉及的設備、良率及製程控制難題。

SMIC是能否達標的關鍵

高盛的模型假設，中芯國際（SMIC）將主導中國相當部分先進製程產能擴建。假設包括：2026年至2031年期間，SMIC每年增加約3萬至5萬片的先進製程月產能；到2035年前，之後每年再增加約2萬片月產能。414

但有廠房和設備，並不等於能生產同等數量、而且成本具商業競爭力的合格晶片。預測分析引用的一份報告指出，SMIC若要填補預計缺口，先進製程良率可能需要由約23%提高至75%，相當於大幅提升至約三倍。3

因此，良率改善是高盛估算能否成立的最大條件之一。這個預測不應理解為SMIC將在技術上追平台積電（TSMC），而是建立在中國即使面對設備限制，仍能擴大產能並提升生產效率的情境之上。8

整體產能利用率高，不代表先進製程瓶頸已消失

SMIC近期的營運動力，或許解釋了分析師為何認為公司有能力加快擴產。路透社報道，SMIC每月產能已達相當於110萬片八吋晶圓，產能利用率為93.7%；公司亦在第二季增加了每月8,000片的12吋晶圓產能。

這些數字反映整體需求強勁，以及產能擴充正在進行，但不能單憑此證明中國已能以具競爭力的良率，生產足夠7納米或以下晶圓。真正較窄的問題仍是先進製程產出，而高盛的情境仍有賴針對特定製程作出改善。

光刻設備與出口管制仍是主要風險

光刻是整個預測中最核心的限制。中國受限於無法自由取得部分最先進製造設備，擴大先進製程及循原有設備路徑改善良率的難度更高。28

幾項風險互相牽連：

• 設備取得： 出口管制限制中國取得部分最先進生產工具。
• 良率提升： 若良率未能大幅上升，新增產能不會等比例轉化為可用晶片產出。
• 國產替代： 中國設備供應商需要逐步取代受限制的外國設備，並支援穩定的大批量生產。
• 需求落地： AI相關需求必須維持強勁，才足以支持預測中的投資及擴產規模。

所以，高盛的結論帶有明顯條件性。中國有機會大幅收窄先進晶片差距，但剩餘的34%缺口並非四捨五入後的小數，而是反映製造能力和供應鏈仍有未解限制。

CXMT面對另一場記憶體較量

高盛對先進晶圓的預測，主要針對邏輯晶片的7納米或以下製程；另一項相關但不同的發展，則是長鑫存儲（CXMT）擴大記憶體晶片產能。

高盛預測，在資本開支、良率提升及客戶認證等條件配合下，CXMT到2028年或可供應中國約50%的DRAM需求。其每月晶圓產能預計由2026年的約27萬片，升至2028年的44.7萬片，並於2030年達到66.5萬片。510

至於高頻寬記憶體（HBM），前景則較不確定。其中一項與高盛相關的預測指，HBM收入佔CXMT收入比例或由2026年的2%升至2030年的27%；另一項被引用的預測則估計，CXMT到2028年或可供應中國約40%的HBM需求。這些都是未來情境，並不代表CXMT目前已在高階HBM量產方面追上三星電子或SK海力士。10

現有業界數據亦顯示，CXMT與龍頭仍有距離。Counterpoint數據顯示，2026年第一季全球DRAM市場份額中，三星為38%、SK海力士29%，CXMT則為8%。 CXMT若按預測增長，可能在中國傳統DRAM市場對韓國供應商構成壓力，但這不等於已在先進HBM技術或全球供應能力上達到同一水平。

預測真正代表甚麼？

最清晰的訊息是，中國半導體策略可能在未來十年由高度依賴外部供應，轉向覆蓋大部分本土需求。若供應量能維持46%的年均增長，並跑贏高盛預計的17%需求增長，到2035年本土供應便可佔先進晶圓市場約三分之二。213

但「66%自給率」不等於技術獨立。這個結果需要持續的AI投資、SMIC一輪又一輪增加產能、顯著提高良率，以及在光刻設備限制下繼續推進製程。如果任何一項假設未能達標，實際供應缺口都可能大過高盛預測。

對半導體市場而言，這項預測的重要性有兩層：一方面，中國可能成為規模大得多的先進晶片產能來源；另一方面，預測亦說明這場競賽最難突破的地方，並不是市場需求，而是設備和良率這道瓶頸。