更誇張係局部金屬間距。SMIC N+3 做到 最小金屬間距(M0)只有 32.5 nm——比起 Intel 用 18A 製程出貨嘅 Panther Lake 處理器嗰個 36 nm 金屬間距,足足緊湊咗約 10% 。SemiAnalysis 好小心咁強調,呢個係精心挑選出嚟嘅指標,並唔代表成個製程真係追平咗對手 。
要留意,呢一切完全冇用到 EUV(極紫外光)光刻機,係全靠極進取嘅深紫外光(DUV)多重圖案化技術同設計-技術協同優化(DTCO)砌出嚟 。結果係工程學上一次實打實嘅突破,但 SemiAnalysis 再三提醒背後嘅代價:製程極之複雜、良率偏低,而且成本高昂,令到 N+3 喺成熟度同成本上跟本冇得同台積電 N6 比 。
報告入面一直將 N+3 定性為 SMIC 嘅 第三代 7nm 級別製程,而唔係真正嘅 5nm 製程 。TechInsights 喺 2025 年 12 月嗰份早過 STEEL 出嘅拆解報告,結論亦差唔多,話 N+3 密度大約係 6nm 級別,低過台積電同三星真正嘅 5nm 製程 。
SemiAnalysis 綜合跑分數據之後,將麒麟 9030 Pro 定位為大概落後而家啲旗艦 SoC 三年左右——不過喺好多測試項目入面,差距睇落仲要大得多 。
CPU
GPU
能源效率
效率差距比起純性能差距更大。SemiAnalysis 舉咗個好震撼嘅對比:Apple 嘅低功耗效率核心,用緊大約 1W 功耗就做到比華為大核(用緊 4.5W)高出 20% 嘅整數性能 。SemiAnalysis 分析,個根源唔係設計能力問題——華為嘅核心設計水平其實追近咗行業一線嘅上一代——而係製造工藝嘅缺陷。Apple 同 Qualcomm 用緊台積電 N4、N3P 呢啲先進製程,令佢哋喺電壓-頻率曲線上有根本性優勢,呢啲嘢 SMIC 單靠 DUV 多重圖案化嘅 N+3 根本做唔到 。
SemiAnalysis 將華為嘅 LogicFolding(邏輯摺疊) 計劃,定位為被斷絕 EUV 光刻機供應之後嘅直接戰略回應——即係由傳統嘅電晶體微縮,轉向以 3D 堆疊做主要縮放手段 。華為喺 2026 年 5 月 25 日上海舉行嘅 IEEE ISCAS 2026 會議上,由海思總裁何庭波公開詳細講解咗呢套架構 。
Tau (τ) 縮放定律
何庭波提出咗 Tau 縮放定律,作為摩爾定律嘅替代框架。核心唔再係幾何級嘅電晶體縮細,而係透過垂直整合同更緊密嘅晶粒互連,集中縮減訊號傳輸時間 。
LogicFolding 架構
LogicFolding 將數碼、模擬同記憶體電路垂直堆疊成多層「活性層」,用先進嘅混合鍵合技術縮短跨晶粒嘅關鍵路徑 。華為聲稱,喺固定製程節點上,呢個做法可以令晶體管密度提升 55%,能源效率提升 41% 。公司仲話,過去六年已經用呢啲原則設計同量產咗 381 款晶片 。
路線圖目標係 2031 年實現 1.4nm 級別量產——而且全程唔使用 EUV 。即將喺 2026 年秋季推出嘅 Kirin 2026 SoC,預計晶體管密度會達到約 238 MTr/mm²,追平 Intel 18A 嘅密度,大核頻率會上到 3.1 GHz 。之後逐年迭代嘅頻率目標係:3.39 GHz(2027年)、3.71 GHz(2028年)同 3.97 GHz(2029年)。SemiAnalysis 亦有提及,華為喺 2026 年呢代晶片嘅混合鍵合間距已經做到 1.5 µm,下年會再縮到 1 µm,令到互連密度比起競爭對手高 16 到 36 倍 。
值得留意嘅隱憂
SemiAnalysis 指出,華為自己嘅技術論文暗示,用喺 Ascend AI 加速器系列嘅密集 3D LogicFolding,可能要推遲到 2030 年左右先實現,近期嘅 Ascend 晶片仍然會沿用 2.5D 封裝同小晶片(Chiplet)設計 。呢個情況造成咗一條分裂嘅時間線:消費者級嘅 Kirin SoC 會率先試用 LogicFolding 架構,而高階 AI 晶片就要滯後好幾年 。拆解報告同時提醒,雖然 N+3 嘅個別指標好亮眼,但根本性嘅製程差距依然好大,令到 LogicFolding 成為一個必要、但尚未被證實可行嘅長期賭博 。