無錫2026晶片大會：AI數據中心基建料至2028年吸金逾4萬億美元

AI基建成為2026集成電路（無錫）創新發展大會最鮮明的主題。與會企業高層和官員的訊息很清楚：AI帶來的並非只是加速器晶片需求，而是一輪牽動記憶體、先進封裝、互連、供電、散熱及製造設備的系統級擴建。

不過，會上提出的龐大數字屬於業界預測及企業管理層評估，並非官方保證。 5

至2028年，AI數據中心基建或涉逾4萬億美元

SEMI中國總裁馮莉表示，預計到2028年，全球新建數據中心基礎設施投資將超過4萬億美元；當中半導體開支約2.8萬億美元，即佔整體投資一半以上。 5

這個估算突顯，市場焦點不能只放在AI加速器。要把大型AI系統真正部署落地，還需要高頻寬記憶體、封裝與互連技術、生產設備、電源元件及冷卻系統配合。

全球IC市場：稱2026年已破1萬億美元

華虹宏力董事長兼總經理白鵬表示，AI熱潮令全球集成電路（IC）產業規模在2026年已突破1萬億美元，較此前提及的2030年預期早約四年；他估計2026年市場規模有望達約1.6萬億美元。 5

這是把增長解讀為由AI推動的結構性擴張，而非一般半導體週期反彈。不過，市場規模及達標時間仍取決於需求、產能擴充，以及整體科技和經濟環境，因此應視為管理層的前瞻判斷。

HBM急升，但供應仍然「卡脖子」

高頻寬記憶體（HBM）是會上最受關注的供應瓶頸之一。馮莉稱，2026年全球HBM市場料增長近60%至546億美元，接近整體DRAM市場的四成。 5

即使三星、SK海力士及美光據報已將70%的新增及可調配產能傾向HBM，產能缺口仍達50%至60%。 5 換句話說，擴大AI算力不只是買到處理器便可以，還要取得足以支援運算的記憶體和封裝產能。

後摩爾時代：封裝、供電、散熱變成主戰場

中國科學院微電子研究所副所長曹立強表示，先進封裝是後摩爾時代持續提升系統效能的重要路徑。他指出，混合鍵合可把互連密度由傳統封裝每平方毫米數十個I/O連接，提高至每平方毫米逾100萬個I/O連接。 5

他亦提到，供電架構或會由平面三級供電轉向垂直兩級供電。隨晶片功耗上升，散熱必須更進一步；大會以Nvidia為例，稱其已採用兩相浸沒式冷卻。 5

這些技術其實都在處理同一問題：AI效能愈來愈取決於能否把晶片、記憶體、電力和熱能視作一個整體，高效率地協同管理。

中國設備業與製造產能布局

大會亦聚焦中國半導體設備企業的發展。馮莉表示，在2025年全球十大半導體設備公司排名中，北方華創排第5，中微公司排第8。 5

白鵬稱，中國半導體設備行業在2017至2025年的複合年增長率為57%，高於全球的26%；他預期未來數年內地設備業增長可達全球平均的兩至三倍。 5 另馮莉引述SEMI預測，中國在主流半導體製造產能的佔比，到2028年可達42%。 7

這些都是業界評估，不能直接等同在每一個製造環節均已實現自主供應；但反映大會關注的，是從設備、製造到封裝的一整條能力鏈。

江蘇、無錫加碼產業聯盟和研發平台

江蘇在會上成立集成電路產業聯盟，以輪值主席機制連結企業、大學、研究機構及公共技術平台。 4 大會亦啟用先進製程材料重點實驗室，並推動高密度光電微系統集成及先進基板、AI算力供電集成電路等重點實驗室。 49

江蘇同時展示5項技術和產品，涵蓋先進封裝、射頻、高端檢測、AI算力及高速互連，包括無錫盛合晶微的2.5D／3D先進封裝研發平台、矽基氮化鎵射頻晶片、高解像度電子束缺陷檢測設備、AI算力服務平台及互連晶片。 510

無錫稱，當地集中了江蘇約70%的重點晶圓製造企業，月產能超過100萬片8吋等效晶圓；2025年集成電路產業產值逾人民幣2,800億元，並在中國內地城市的全球IC產業綜合競爭力中排名第3。 47

復旦微電子擬開放FPGA Agent平台試用

復旦微電子董事長兼總經理張衛認為，FPGA與AI智能體協作，可能改變傳統開發模式。他表示，產品迭代週期有望由以月計縮短至數星期、甚至數日，並建立更緊密的開發與驗證閉環。 57

公司表示，將於9月開放fmfpga agent FPGA開發平台試用。 5 這亦呼應大會另一條主線：AI一方面推高硬件需求，另一方面亦被視為加快晶片設計及驗證的工具。

重點不只是「更多晶片」

無錫大會的核心判斷，是AI基建正重整半導體產業的優先次序：記憶體、封裝、供電、散熱、設備及設計效率，均成為不可忽視的環節。4萬億美元基建投資估算和1.6萬億美元IC市場預測，展示講者眼中的增長規模；但HBM的供應缺口也說明，能否把產能和系統能力真正落地，將與需求本身同樣重要。 5