High-NA EUV 三強爭霸：Intel 搶先量產，Samsung 與 TSMC 押後到 1nm 同 2029

Intel 亦透露會喺嚟緊嘅 14A 製程繼續採用 High-NA EUV 。

Samsung：目標 1nm（A10）約 2030 年先用

Samsung 嘅時間表有明顯改變。喺 2026 年 NGL 會議上，Samsung 技術副總裁 ChangMin Park 話，公司計劃由 1nm（A10）製程開始，先用 High-NA EUV 做主要生產技術，時間大約係 2030 年 。Samsung 本來想喺 2nm 同 1.4nm 就用呢項技術，但需要進一步技術改良 。

• 過渡節點（2nm、1.4nm、初期 1nm）： 呢啲節點會繼續用傳統 0.33 NA EUV 加多重曝影；Samsung 已明確表態唔會用 High-NA 。

雖然量產時間保守，但 Samsung 已經安裝咗兩套 High-NA EUV 系統——一套喺 2025 年入咗華城園區，另一套喺 2026 年上半年——總投資超過 1 萬億韓圜 。不過，公司為咗控制成本，暫時唔會用嚟量產 。

2025 年初有報道話 Samsung 可能喺 2nm 用 High-NA 生產 Exynos 2600 同 Tesla 嘅新一代 AI 晶片 ，但最新官方講法已經推翻咗呢個預期 。

TSMC：最少等到 2029 年

TSMC 係三者中最謹慎嘅。行政總裁魏哲家（C.C. Wei）喺 2026 年第二季業績會上講，公司由 2nm（N2）到 A16 同 A14 節點都唔需要用 High-NA，幾時採用取決於技術能力、客戶成本敏感度同設備成熟度 。

• 目標節點同年份： 報道話 TSMC 嘅 A13 同 A12 節點（目標都係 2029 年左右）都冇預計要用 High-NA EUV 。有分析師話，可能要等到 A14（2028 年或之後）先會有意義嘅量產部署，但管理層公開講法令呢個時間表都受質疑 。
• 主要考慮： TSMC 最重視幫客戶控制成本同確保良率，認為每部約 4 億美元嘅 High-NA 工具，對佢哋短期路線圖嚟講唔值得 。

TSMC 已經收咗一部研發用嘅 High-NA 系統（EXE:5000），並喺 2025 年開始為 High-NA 掃描器開發製程技術，但量產部署就唔急 。

延遲對 ASML 嘅影響

ASML 整體收入前景仍然強勁。公司 2025 年總淨銷售額達 327 億歐元，第四季錄得破紀錄嘅 97 億歐元，年底訂單積壓達 388 億歐元 。2026 年，ASML 目標出貨超過 60 部 Low-NA EUV 系統——比 2025 年多約 25%——並計劃喺未來兩年每年將整體產能增加 30%，以應付強勁嘅 AI 晶片需求 。

TSMC 同 Samsung 將 High-NA 大量訂單推遲到 2020 年代末 / 2030 年，意味住 High-NA 嘅增速會比市場之前預期慢。分析師話，TSMC 嘅延遲特別「拖累 ASML 嘅高端業務前景」。客戶每延遲一次採購，可以慳返約 3.5 至 4 億歐元，但對 ASML 嚟講，意味住預期嘅數十億歐元 High-NA 收入要更耐先實現到 。

ASML 應對 High-NA 增速放緩嘅方法，係集中推廣下一代 EXE:5200B 系統（2025 年第二季首次出貨），並喺短期內依賴 Intel 同 SK hynix（用喺 DRAM）做主要 High-NA 客戶 。截至 2026 年初，ASML 已總共出貨 8 部 High-NA 系統 。

High-NA EUV 時間表總結

總結

Intel 喺 High-NA EUV 嘅先發優勢係實在嘅：佢係目前唯一量產相關邏輯產品嘅公司。Samsung 同 TSMC 都採取觀望態度，優先考慮成本同良率，而非搶先推出。對 ASML 嚟講，呢意味住 High-NA 嘅增長會循序漸進，而唔係爆炸式，但公司整體業務仍然穩健，全靠 AI 晶片製造帶動對成熟 Low-NA EUV 同 DUV 工具嘅強勁需求。