呢個 QLC 版本係喺大會現場做 live demo 正式亮相 。其實早喺 2026 年 7 月,Sandisk 同 Kioxia 已經開始出樣本俾客戶測試 BiCS10 嘅 1Tb TLC NAND(三層儲存),密度超過 29 Gb/mm² 。今次嘅 QLC 版本就係再進一步,利用每 cell 儲存 4 bit 嘅架構將密度推到新高。
Sandisk 同 SK hynix 透過 Open Compute Project(OCP) 發布咗 第一個 High Bandwidth Flash(HBF)技術規格 。呢個規格定義咗一個全新嘅記憶體階層,定位喺 HBM 同傳統 SSD 之間,專為 AI 推理工作負載而設——特別係嗰啲 model 太大、HBM 唔夠位放嘅情況。
HBF 嘅目標係填補 HBM(快但容量有限)同傳統 SSD(容量大但慢)之間嘅速度容量差距 。Sandisk 話 HBF 可以喺相近成本下提供比 HBM 多 8 到 16 倍嘅容量。佢哋仲話用 Llama 3.1 405B 參數模型做模擬,HBF 嘅性能同理論上「無限容量 HBM」嘅差異只有 2.2% 。
開放標準已經發布,記憶體樣本預計 2026 年底出貨,商用產品預期 2027 年初推出 。
時間:2026 年 8 月 5 日(星期三)上午 11:40(太平洋時間),地點:Santa Clara Convention Center Mission City Ballroom。由 Sandisk 嘅 Jim Elliott(CRO)、Khurram Ismail(CPO)同 Alper Ilkbahar(CTO)主講,重點討論系統級優化同 NAND 喺 AI 推理規模化嘅角色 。
由執行副總裁 Kim Chun-sung 同副總裁 Kang Uk-song 主持,喺開幕日(8 月 4 日)舉行,探討分層記憶體方案 。
8 月 6 日上午 9:45(太平洋時間),由 Sandisk 副總裁 Rajeev Nagabhirava、SK hynix 副總裁 Lim Eui-cheol 同 Google DeepMind 高級職員工程師 Xiaoyu Ma 對談。討論 HBF 如何解決 AI 推理嘅 compute-memory gap 。
註: 呢個座談會名稱已經由多個官方來源確認,包括 Sandisk 嘅新聞稿同 SK hynix 嘅官方公告。建議最終議程以 FMS 2026 現場公布為準,但「Breaking the Memory Wall」呢個主題喺官方報導中一直有列出 。
呢兩個宣布直接針對 AI 基礎設施嘅兩大痛點:儲存密度同記憶體頻寬。BiCS10 QLC NAND 令 SSD 可以更密集、更省電,適合訓練數據湖同高容量儲存層。而 HBF 就係一個全新嘅記憶體類別,有望大幅降低 AI 推理嘅延遲同成本,喺 accelerator 旁邊提供又快又大嘅記憶體,唔使一味靠 HBM 擴張。
透過 OCP 做開放標準,加上 Google 同 Tenstorrent 撐腰,業界似乎想將呢個新記憶體層標準化,而唔係各自為政搞封閉方案 。