GaN係一種寬能隙(WBG)半導體。佢嘅材料特性令佢比起傳統矽有根本優勢:
現有技術文獻一致記錄咗呢啲優勢。有業界比較話GaN電晶體「快10倍、細10倍」;另一來源指出GaN FET嘅反向恢復電荷係零,開關損耗比矽低4至5倍。
雖然GaN好有優勢,但普及一直畀三個障礙阻住:
Minysa嘅做法係推出集成式GaN閘極驅動器ASIC同即插即用電源模組(包括系統級封裝解決方案),將難搞嘅驅動器集成同保護功能做晒落一粒晶片度。正如Venture Kick自己嘅介紹咁講,Minysa嘅目標係令GaN「變到主流電源電子製造商都用得起」。
Minysa最初主力係歐洲太空電源電子領域,嗰度對抗輻射、效率同微型化要求極高。公司已經正式加入ESA Business Incubation Centre Switzerland(ESA BIC Switzerland),可以接觸到太空生態圈同策略夥伴。
更廣嘅目標市場總值超過50億美元,包括:
根據公開資料,Minysa正喺度開發用於太空嘅抗輻射GaN IC,已經同太空同工業客戶有合作。公司喺自己嘅材料入面話,佢哋嘅目標係「由瑞士出發,為歐洲太空工業打造自主半導體技術」。
要留意嘅係,四個太空客戶嘅具體名同兩個ESA資助計劃嘅名稱,喺現有公開報道入面(Tech.eu、Venture Kick、punkt4、Moneycab)冇清楚列出。歐洲GaN生態圈入面有更早期嘅ESA開發工作,例如GANIC4S計劃,夥伴包括Thales Alenia Space同IMEC,但呢啲計劃係Minysa現有商業進展之前嘅事,同Minysa自己嘅產品路線圖有分別。
Minysa正正係針對GaN電源電子最難搞嘅工程問題:閘極驅動器。將保護、感應同監控功能集成落一粒晶片,消除咗令GaN無辦法普及嘅設計障礙。憑住Venture Kick嘅€163K資金同由太空邁向電動車嘅清晰路徑,Minysa正準備成為新一代電源系統嘅關鍵推動者——更細、更涼、效率更高。
GaN係一種寬能隙(WBG)半導體。佢嘅材料特性令佢比起傳統矽有根本優勢:
現有技術文獻一致記錄咗呢啲優勢。有業界比較話GaN電晶體「快10倍、細10倍」;另一來源指出GaN FET嘅反向恢復電荷係零,開關損耗比矽低4至5倍。
雖然GaN好有優勢,但普及一直畀三個障礙阻住:
Minysa嘅做法係推出集成式GaN閘極驅動器ASIC同即插即用電源模組(包括系統級封裝解決方案),將難搞嘅驅動器集成同保護功能做晒落一粒晶片度。正如Venture Kick自己嘅介紹咁講,Minysa嘅目標係令GaN「變到主流電源電子製造商都用得起」。
Minysa最初主力係歐洲太空電源電子領域,嗰度對抗輻射、效率同微型化要求極高。公司已經正式加入ESA Business Incubation Centre Switzerland(ESA BIC Switzerland),可以接觸到太空生態圈同策略夥伴。
更廣嘅目標市場總值超過50億美元,包括:
根據公開資料,Minysa正喺度開發用於太空嘅抗輻射GaN IC,已經同太空同工業客戶有合作。公司喺自己嘅材料入面話,佢哋嘅目標係「由瑞士出發,為歐洲太空工業打造自主半導體技術」。
要留意嘅係,四個太空客戶嘅具體名同兩個ESA資助計劃嘅名稱,喺現有公開報道入面(Tech.eu、Venture Kick、punkt4、Moneycab)冇清楚列出。歐洲GaN生態圈入面有更早期嘅ESA開發工作,例如GANIC4S計劃,夥伴包括Thales Alenia Space同IMEC,但呢啲計劃係Minysa現有商業進展之前嘅事,同Minysa自己嘅產品路線圖有分別。
Minysa正正係針對GaN電源電子最難搞嘅工程問題:閘極驅動器。將保護、感應同監控功能集成落一粒晶片,消除咗令GaN無辦法普及嘅設計障礙。憑住Venture Kick嘅€163K資金同由太空邁向電動車嘅清晰路徑,Minysa正準備成為新一代電源系統嘅關鍵推動者——更細、更涼、效率更高。