呢個建廠計劃出現嘅時機,正正係記憶體行業面對前所未有嘅供應危機。個情況有幾得人驚?
DRAM價格狂飆
AI蠶食咗大約70%記憶體產能
分析師估計,2026年AI數據中心將會消耗高達70%嘅高階記憶體產能。三星、SK海力士同美光呢三大巨頭,都已經將生產線由消費級DRAM轉向AI GPU專用嘅高頻寬記憶體(HBM),導致常規DRAM供應真空
。目前HBM已經佔據全球DRAM晶圓產能嘅23%,兩年前呢個數字仲係單位數
。
SK海力士警告:2027年將係「史上最差」
2026年7月10日,SK海力士CEO郭魯正警告,記憶體行業將會喺2027年面臨**「史上最嚴重嘅供應短缺」,而且就算積極擴產,需求仍然會遠遠超過供應,持續到2030年之後**。佢話:「我哋預計出年將會係行業歷史上供應最緊張嘅一年。」
三星記憶體主管金載浚亦都喺2026年4月分別警告,記憶體產品嘅「嚴重短缺」會至少持續到2027年,需求滿足率跌至歷史新低
。
由28nm起步:28nm係非常成熟、產能充足嘅節點,可以用嚟生產DDR3/DDR4級別嘅DRAM——雖然唔係尖端HBM,但用喺華為嘅基站設備、網絡器材、舊款智能手機同物聯網產品就綽綽有餘。咁樣做,就可以將更高階嘅全球DRAM供應留畀華為嘅高端產品。
深圳觀瀾三晶圓廠集群:一間生產7nm智能手機/Ascend AI晶片(華為自己營運),一間由SiCarrier(由華為實驗室分拆出來、國企背景嘅設備商)營運,第三間就係Swaysure嘅DRAM廠。2025年初嘅衛星圖片顯示,呢啲廠房嘅建設進展好快
。
總結:華為嘅DRAM建廠計劃係一場「防守性進攻」——佢針對嘅係史上最嚴重記憶體短缺、美國制裁切斷華為全球DRAM供應,以及中國建立本土記憶體產能嘅戰略需要。如果成功,華為就會由一個設計晶片但買記憶體嘅公司,轉型為全面垂直整合嘅裝置製造商,同時為中國提供第二個本土DRAM生產基地——尤其係而家全球記憶體價格已經升咗四倍,供應至少會緊張到2030年。不過,呢條路充滿技術、政治同執行上嘅風險,最終結果仍然係未知之數。