Swaysure方面已經招攬咗半導體業界嘅資深人才，包括搵咗一位前TSMC晶圓廠主管嚟營運呢間新廠。呢個計劃最早喺2026年7月由業界爆料人士傳出，之後畀Wccftech同Huawei Central等科技媒體報導。但係，華為至今都未正式確認呢個計劃，亦都未有公佈任何動工或投產時間表。

全球記憶體短缺：史上最嚴峻

呢個建廠計劃出現嘅時機，正正係記憶體行業面對前所未有嘅供應危機。個情況有幾得人驚？

DRAM價格狂飆

• 截至2025年第三季，DRAM合約價格按年急升171.8%。
• 2026年第一季，價格再按季飆升90–95%。
• DDR5伺服器記憶體價格喺過去一年升咗三到四倍。
• 市場研究機構TrendForce預計，2026年第二季常規DRAM合約價格會再升58%。
• 2025年全球DRAM收入達到1,657億美元，按年增長73%。

AI蠶食咗大約70%記憶體產能
分析師估計，2026年AI數據中心將會消耗高達70%嘅高階記憶體產能。三星、SK海力士同美光呢三大巨頭，都已經將生產線由消費級DRAM轉向AI GPU專用嘅高頻寬記憶體（HBM），導致常規DRAM供應真空。目前HBM已經佔據全球DRAM晶圓產能嘅23%，兩年前呢個數字仲係單位數。

SK海力士警告：2027年將係「史上最差」
2026年7月10日，SK海力士CEO郭魯正警告，記憶體行業將會喺2027年面臨**「史上最嚴重嘅供應短缺」，而且就算積極擴產，需求仍然會遠遠超過供應，持續到2030年之後**。佢話：「我哋預計出年將會係行業歷史上供應最緊張嘅一年。」 三星記憶體主管金載浚亦都喺2026年4月分別警告，記憶體產品嘅「嚴重短缺」會至少持續到2027年，需求滿足率跌至歷史新低。

華為自建廠點樣幫到手？

DRAM係華為嘅致命弱點。美國制裁令華為冇得向SK海力士、三星同美光呢啲頂級供應商買DRAM。而家全球短缺，喺現貨市場買貨仲要捱貴價，所以建立自己嘅DRAM供應鏈係唯一出路。

時間點好關鍵：就算Swaysure呢間廠要用2至3年先達到量產，佢投產嘅時候，正正會撞正SK海力士自己都預測嘅2027至2030年最嚴峻短缺期。

由28nm起步：28nm係非常成熟、產能充足嘅節點，可以用嚟生產DDR3/DDR4級別嘅DRAM——雖然唔係尖端HBM，但用喺華為嘅基站設備、網絡器材、舊款智能手機同物聯網產品就綽綽有餘。咁樣做，就可以將更高階嘅全球DRAM供應留畀華為嘅高端產品。

華為嘅晶圓廠王國同「中國三星」野心

呢間DRAM廠只係華為更大棋局嘅一部分。根據南韓媒體報導，華為喺中國直接或間接營運緊至少七間半導體製造公司，旗下有至少11間晶圓廠已經投產。業務涵蓋邏輯晶片、AI加速器，而家仲包括記憶體。

深圳觀瀾三晶圓廠集群：一間生產7nm智能手機/Ascend AI晶片（華為自己營運），一間由SiCarrier（由華為實驗室分拆出來、國企背景嘅設備商）營運，第三間就係Swaysure嘅DRAM廠。2025年初嘅衛星圖片顯示，呢啲廠房嘅建設進展好快。

「LogicFolding」突破：2026年5月，華為公開咗一種叫「LogicFolding」嘅全新晶片製造方法，目標係追近同台積電嘅差距，希望喺2031年用自家設備生產1.4nm晶片。

AI晶片產能擴張：華為正加速生產Ascend AI晶片——2025年大約生產25萬粒Ascend 910C，目標係2026年將整個Ascend系列嘅總產量提升到160萬粒。

垂直整合目標：華為想做晒成個產業鏈——由設計、製造、封裝，到而家嘅記憶體——完全係三星嗰套整合元件製造商（IDM）模式。

中國自主記憶體嘅大戰略

Swaysure呢間DRAM廠係中國更廣泛嘅**「三倍產出」AI戰略**嘅一部分——即係國家要求喺2026年底前將國內AI處理器產能提升三倍。以下係啲關鍵背景：

• 中國嘅DRAM自給率仲低過5%。目前只有合肥長鑫（CXMT）係較具規模嘅本土DRAM生產商。
• 深圳市政府出錢支持Swaysure嘅廠，反映國家願意同時投資多個記憶體項目，以減少對韓國同美國供應商嘅依賴。
• 美國出口管制（限制ASML光刻機、KLA檢測工具同EDA軟件）令任何中國DRAM廠都好難突破28nm節點，但喺價格升咗四倍嘅市場入面，就算係28nm DRAM都有好大戰略價值。

關鍵風險同注意事項

• 呢個華為-Swaysure建廠計劃嘅消息來源係業界爆料人士同科技媒體，並唔係華為官方公佈，可信但未經確認。
• 由28nm起步意味住呢間廠唔會生產推動AI GPU需求嘅先進HBM3/HBM4——佢解決嘅係常規DRAM短缺，而唔係高端AI記憶體市場。
• 就算達到月產14萬片，呢間廠只能滿足華為自身DRAM需求嘅一小部分，更唔好講成個中國嘅需求。
• 起DRAM廠技術門檻好高，資本開支好大。睇返歷史教訓（例如福建晉華嘅失敗經驗），中國嘅DRAM項目成日都要面對設備制裁、良率同人才流失等難題。

總結：華為嘅DRAM建廠計劃係一場「防守性進攻」——佢針對嘅係史上最嚴重記憶體短缺、美國制裁切斷華為全球DRAM供應，以及中國建立本土記憶體產能嘅戰略需要。如果成功，華為就會由一個設計晶片但買記憶體嘅公司，轉型為全面垂直整合嘅裝置製造商，同時為中國提供第二個本土DRAM生產基地——尤其係而家全球記憶體價格已經升咗四倍，供應至少會緊張到2030年。不過，呢條路充滿技術、政治同執行上嘅風險，最終結果仍然係未知之數。

Swaysure方面已經招攬咗半導體業界嘅資深人才，包括搵咗一位前TSMC晶圓廠主管嚟營運呢間新廠。呢個計劃最早喺2026年7月由業界爆料人士傳出，之後畀Wccftech同Huawei Central等科技媒體報導。但係，華為至今都未正式確認呢個計劃，亦都未有公佈任何動工或投產時間表。

全球記憶體短缺：史上最嚴峻

呢個建廠計劃出現嘅時機，正正係記憶體行業面對前所未有嘅供應危機。個情況有幾得人驚？

DRAM價格狂飆

• 截至2025年第三季，DRAM合約價格按年急升171.8%。
• 2026年第一季，價格再按季飆升90–95%。
• DDR5伺服器記憶體價格喺過去一年升咗三到四倍。
• 市場研究機構TrendForce預計，2026年第二季常規DRAM合約價格會再升58%。
• 2025年全球DRAM收入達到1,657億美元，按年增長73%。

AI蠶食咗大約70%記憶體產能
分析師估計，2026年AI數據中心將會消耗高達70%嘅高階記憶體產能。三星、SK海力士同美光呢三大巨頭，都已經將生產線由消費級DRAM轉向AI GPU專用嘅高頻寬記憶體（HBM），導致常規DRAM供應真空。目前HBM已經佔據全球DRAM晶圓產能嘅23%，兩年前呢個數字仲係單位數。

SK海力士警告：2027年將係「史上最差」
2026年7月10日，SK海力士CEO郭魯正警告，記憶體行業將會喺2027年面臨**「史上最嚴重嘅供應短缺」，而且就算積極擴產，需求仍然會遠遠超過供應，持續到2030年之後**。佢話：「我哋預計出年將會係行業歷史上供應最緊張嘅一年。」 三星記憶體主管金載浚亦都喺2026年4月分別警告，記憶體產品嘅「嚴重短缺」會至少持續到2027年，需求滿足率跌至歷史新低。

華為自建廠點樣幫到手？

DRAM係華為嘅致命弱點。美國制裁令華為冇得向SK海力士、三星同美光呢啲頂級供應商買DRAM。而家全球短缺，喺現貨市場買貨仲要捱貴價，所以建立自己嘅DRAM供應鏈係唯一出路。

時間點好關鍵：就算Swaysure呢間廠要用2至3年先達到量產，佢投產嘅時候，正正會撞正SK海力士自己都預測嘅2027至2030年最嚴峻短缺期。

由28nm起步：28nm係非常成熟、產能充足嘅節點，可以用嚟生產DDR3/DDR4級別嘅DRAM——雖然唔係尖端HBM，但用喺華為嘅基站設備、網絡器材、舊款智能手機同物聯網產品就綽綽有餘。咁樣做，就可以將更高階嘅全球DRAM供應留畀華為嘅高端產品。

華為嘅晶圓廠王國同「中國三星」野心

呢間DRAM廠只係華為更大棋局嘅一部分。根據南韓媒體報導，華為喺中國直接或間接營運緊至少七間半導體製造公司，旗下有至少11間晶圓廠已經投產。業務涵蓋邏輯晶片、AI加速器，而家仲包括記憶體。

深圳觀瀾三晶圓廠集群：一間生產7nm智能手機/Ascend AI晶片（華為自己營運），一間由SiCarrier（由華為實驗室分拆出來、國企背景嘅設備商）營運，第三間就係Swaysure嘅DRAM廠。2025年初嘅衛星圖片顯示，呢啲廠房嘅建設進展好快。

「LogicFolding」突破：2026年5月，華為公開咗一種叫「LogicFolding」嘅全新晶片製造方法，目標係追近同台積電嘅差距，希望喺2031年用自家設備生產1.4nm晶片。

AI晶片產能擴張：華為正加速生產Ascend AI晶片——2025年大約生產25萬粒Ascend 910C，目標係2026年將整個Ascend系列嘅總產量提升到160萬粒。

垂直整合目標：華為想做晒成個產業鏈——由設計、製造、封裝，到而家嘅記憶體——完全係三星嗰套整合元件製造商（IDM）模式。

中國自主記憶體嘅大戰略

Swaysure呢間DRAM廠係中國更廣泛嘅**「三倍產出」AI戰略**嘅一部分——即係國家要求喺2026年底前將國內AI處理器產能提升三倍。以下係啲關鍵背景：

• 中國嘅DRAM自給率仲低過5%。目前只有合肥長鑫（CXMT）係較具規模嘅本土DRAM生產商。
• 深圳市政府出錢支持Swaysure嘅廠，反映國家願意同時投資多個記憶體項目，以減少對韓國同美國供應商嘅依賴。
• 美國出口管制（限制ASML光刻機、KLA檢測工具同EDA軟件）令任何中國DRAM廠都好難突破28nm節點，但喺價格升咗四倍嘅市場入面，就算係28nm DRAM都有好大戰略價值。

關鍵風險同注意事項

• 呢個華為-Swaysure建廠計劃嘅消息來源係業界爆料人士同科技媒體，並唔係華為官方公佈，可信但未經確認。
• 由28nm起步意味住呢間廠唔會生產推動AI GPU需求嘅先進HBM3/HBM4——佢解決嘅係常規DRAM短缺，而唔係高端AI記憶體市場。
• 就算達到月產14萬片，呢間廠只能滿足華為自身DRAM需求嘅一小部分，更唔好講成個中國嘅需求。
• 起DRAM廠技術門檻好高，資本開支好大。睇返歷史教訓（例如福建晉華嘅失敗經驗），中國嘅DRAM項目成日都要面對設備制裁、良率同人才流失等難題。

總結：華為嘅DRAM建廠計劃係一場「防守性進攻」——佢針對嘅係史上最嚴重記憶體短缺、美國制裁切斷華為全球DRAM供應，以及中國建立本土記憶體產能嘅戰略需要。如果成功，華為就會由一個設計晶片但買記憶體嘅公司，轉型為全面垂直整合嘅裝置製造商，同時為中國提供第二個本土DRAM生產基地——尤其係而家全球記憶體價格已經升咗四倍，供應至少會緊張到2030年。不過，呢條路充滿技術、政治同執行上嘅風險，最終結果仍然係未知之數。