呢種雙面架構嘅目標係實現更緊湊嘅金屬間距（metal pitch），從而提升電晶體密度。具體數字如下：

• 基本版 14A 嘅 M0 金屬間距： 28nm
• 14A2 目標嘅 M0 金屬間距： 大約 21nm，呢個係靠雙面供電所帶嚟嘅雙重圖案曝光（double-patterning）改進而做到

考慮到基本版 14A 已經承諾比 Intel 18A 有高達約 30% 嘅晶片密度提升，14A2 理論上會帶嚟更大嘅密度增益——不過 Intel 暫時未有公布 14A2 嘅具體密度數字。

點解要咁做？

呢個技術轉變，明顯係要反擊 TSMC 嘅 A14（1.4nm 級）同 Samsung 嘅 SF1.4。隨住 1.4nm 競爭愈嚟愈激烈，Intel 需要一個密度上嘅差異點，去超越基本版 14A 嘅表現。雙面供電就係其中一個方法，但同時會帶來技術挑戰，例如增加電阻，以及需要全新嘅複合供電結構。

Intel 14A / 14A2 關鍵路線圖里程碑

Intel CEO Lip-Bu Tan 已更新咗時間指引。以下係根據近期報道同 Intel 自家披露嘅關鍵時間表：

Tan 形容 PDK 0.9 係 14A 製程嘅「聖杯」（Holy Grail），係吸納客戶嘅關鍵檢查點。呢個時間表比起之前 2027 年風險生產嘅指引，大約推遲咗一年。

同 TSMC、Samsung 嘅時間線比併

TSMC 計劃喺 2028 年開始量產其 A14 製程。值得留意嘅係，TSMC A14 第一個版本唔包背面供電，要等到 2029 年嘅 A14P 版本先會有。

Samsung 被提及係 1.4nm 競爭嘅一部份，但提供嘅來源未有確認其 SF1.4 嘅具體風險生產或量產時間。

關鍵結論： Intel 嘅 2029 年量產目標，比 TSMC 嘅 2028 年大約落後一年。不過 Tan 表示，Intel 認為 14A 嘅時間同 TSMC A14 好接近，大家都係定位喺 1.4nm 級別。Samsung 嘅時間線就未明朗。

更長遠嘅野心：10A 同 7A

CEO Lip-Bu Tan 已經確認，Intel 已啟動 14A 之後兩個製程節點嘅開發：

• 10A（1nm 級）—— 已進入早期開發階段
• 7A（低於 1nm）—— 同樣已進入早期開發階段

Tan 喺波士頓舉行嘅 J.P. Morgan 第54屆全球科技、媒體同通訊會議上透露咗呢啲資訊，顯示 Intel 正規劃一個橫跨多個「埃米世代」嘅長遠藍圖。

總結

Intel 基本版 14A 節點採用 RibbonFET 2 環繞閘極（GAA）電晶體同 PowerDirect 背面供電，聲稱比 Intel 18A 有高達 30% 嘅晶片密度提升。而報道中嘅 14A2 變種正考慮引入 雙面供電架構 同更緊湊嘅 21nm M0 間距，以喺密度上同對手競爭。關鍵時間點包括 2026 年 10 月嘅 PDK 0.9、2028 年嘅風險生產，以及 2029 年嘅量產。呢個進度比 TSMC 嘅 A14（目標 2028 年量產）大約落後一年。展望將來，Intel 正著手開發 10A 同 7A 等更先進嘅製程。

呢種雙面架構嘅目標係實現更緊湊嘅金屬間距（metal pitch），從而提升電晶體密度。具體數字如下：

• 基本版 14A 嘅 M0 金屬間距： 28nm
• 14A2 目標嘅 M0 金屬間距： 大約 21nm，呢個係靠雙面供電所帶嚟嘅雙重圖案曝光（double-patterning）改進而做到

考慮到基本版 14A 已經承諾比 Intel 18A 有高達約 30% 嘅晶片密度提升，14A2 理論上會帶嚟更大嘅密度增益——不過 Intel 暫時未有公布 14A2 嘅具體密度數字。

點解要咁做？

呢個技術轉變，明顯係要反擊 TSMC 嘅 A14（1.4nm 級）同 Samsung 嘅 SF1.4。隨住 1.4nm 競爭愈嚟愈激烈，Intel 需要一個密度上嘅差異點，去超越基本版 14A 嘅表現。雙面供電就係其中一個方法，但同時會帶來技術挑戰，例如增加電阻，以及需要全新嘅複合供電結構。

Intel 14A / 14A2 關鍵路線圖里程碑

Intel CEO Lip-Bu Tan 已更新咗時間指引。以下係根據近期報道同 Intel 自家披露嘅關鍵時間表：

Tan 形容 PDK 0.9 係 14A 製程嘅「聖杯」（Holy Grail），係吸納客戶嘅關鍵檢查點。呢個時間表比起之前 2027 年風險生產嘅指引，大約推遲咗一年。

同 TSMC、Samsung 嘅時間線比併

TSMC 計劃喺 2028 年開始量產其 A14 製程。值得留意嘅係，TSMC A14 第一個版本唔包背面供電，要等到 2029 年嘅 A14P 版本先會有。

Samsung 被提及係 1.4nm 競爭嘅一部份，但提供嘅來源未有確認其 SF1.4 嘅具體風險生產或量產時間。

關鍵結論： Intel 嘅 2029 年量產目標，比 TSMC 嘅 2028 年大約落後一年。不過 Tan 表示，Intel 認為 14A 嘅時間同 TSMC A14 好接近，大家都係定位喺 1.4nm 級別。Samsung 嘅時間線就未明朗。

更長遠嘅野心：10A 同 7A

CEO Lip-Bu Tan 已經確認，Intel 已啟動 14A 之後兩個製程節點嘅開發：

• 10A（1nm 級）—— 已進入早期開發階段
• 7A（低於 1nm）—— 同樣已進入早期開發階段

Tan 喺波士頓舉行嘅 J.P. Morgan 第54屆全球科技、媒體同通訊會議上透露咗呢啲資訊，顯示 Intel 正規劃一個橫跨多個「埃米世代」嘅長遠藍圖。

總結

Intel 基本版 14A 節點採用 RibbonFET 2 環繞閘極（GAA）電晶體同 PowerDirect 背面供電，聲稱比 Intel 18A 有高達 30% 嘅晶片密度提升。而報道中嘅 14A2 變種正考慮引入 雙面供電架構 同更緊湊嘅 21nm M0 間距，以喺密度上同對手競爭。關鍵時間點包括 2026 年 10 月嘅 PDK 0.9、2028 年嘅風險生產，以及 2029 年嘅量產。呢個進度比 TSMC 嘅 A14（目標 2028 年量產）大約落後一年。展望將來，Intel 正著手開發 10A 同 7A 等更先進嘅製程。