Intel 1.4nm (14A2) 晶片製程大革新：雙面供電架構曝光，路線圖里程碑全面睇，同TSMC正面對撼

Intel 衝擊 1.4nm 級晶片嘅道路，出現咗一個重大嘅技術轉向。根據最新業界報道，Intel 正考慮為其 14A2 製程版本引入一個重大改變——由標準嘅背面供電（backside power delivery），轉為同時由晶片正面同背面供電嘅「雙面供電架構」^M。

呢個轉變背後嘅最大推動力，係要應對來自 TSMC A14 同 Samsung SF1.4 嘅激烈競爭壓力，令 Intel 喺電晶體密度上保持優勢^M。

技術變革：雙面供電（Dual-Side Power Delivery）係乜？

Intel 基本版 14A 製程採用自家「PowerDirect」背面供電網絡（BSPDN），即係將電源路由由晶片背面處理^ME。而報道中嘅 14A2 變種就會行得更前：同時由晶片正面同背面供電^M。

呢種雙面架構嘅目標係實現更緊湊嘅金屬間距（metal pitch），從而提升電晶體密度^M。具體數字如下：

• 基本版 14A 嘅 M0 金屬間距： 28nm ^M
• 14A2 目標嘅 M0 金屬間距： 大約 21nm，呢個係靠雙面供電所帶嚟嘅雙重圖案曝光（double-patterning）改進而做到^M

考慮到基本版 14A 已經承諾比 Intel 18A 有高達約 30% 嘅晶片密度提升，14A2 理論上會帶嚟更大嘅密度增益——不過 Intel 暫時未有公布 14A2 嘅具體密度數字^ME。

點解要咁做？

呢個技術轉變，明顯係要反擊 TSMC 嘅 A14（1.4nm 級）同 Samsung 嘅 SF1.4^M。隨住 1.4nm 競爭愈嚟愈激烈，Intel 需要一個密度上嘅差異點，去超越基本版 14A 嘅表現。雙面供電就係其中一個方法，但同時會帶來技術挑戰，例如增加電阻，以及需要全新嘅複合供電結構^M。

Intel 14A / 14A2 關鍵路線圖里程碑

Intel CEO Lip-Bu Tan 已更新咗時間指引。以下係根據近期報道同 Intel 自家披露嘅關鍵時間表：

里程碑	日期 / 時間	來源
PDK 0.5 外部發佈	2026 年初（已派發）	EWD
PDK 0.9 外部發佈	2026 年 10 月	EWD
客戶承諾期	2026 下半年 – 2027 上半年	B
風險生產	2028 年	EGBWS
量產 (HVM)	2029 年	EGBWS

Tan 形容 PDK 0.9 係 14A 製程嘅「聖杯」（Holy Grail），係吸納客戶嘅關鍵檢查點^W。呢個時間表比起之前 2027 年風險生產嘅指引，大約推遲咗一年^S。

同 TSMC、Samsung 嘅時間線比併

公司	1.4nm 節點名稱	風險生產	量產
Intel	14A / 據報嘅 14A2 變種	2028 年	2029 年
TSMC	A14	來源未有提及	2028 年 BBT
Samsung	SF1.4	來源未有確認	來源未有確認

TSMC 計劃喺 2028 年開始量產其 A14 製程^BBT。值得留意嘅係，TSMC A14 第一個版本唔包背面供電，要等到 2029 年嘅 A14P 版本先會有^T。

Samsung 被提及係 1.4nm 競爭嘅一部份，但提供嘅來源未有確認其 SF1.4 嘅具體風險生產或量產時間^M。

關鍵結論： Intel 嘅 2029 年量產目標，比 TSMC 嘅 2028 年大約落後一年。不過 Tan 表示，Intel 認為 14A 嘅時間同 TSMC A14 好接近，大家都係定位喺 1.4nm 級別^W。Samsung 嘅時間線就未明朗^M。

更長遠嘅野心：10A 同 7A

CEO Lip-Bu Tan 已經確認，Intel 已啟動 14A 之後兩個製程節點嘅開發^G：

• 10A（1nm 級）—— 已進入早期開發階段^G
• 7A（低於 1nm）—— 同樣已進入早期開發階段^G

Tan 喺波士頓舉行嘅 J.P. Morgan 第54屆全球科技、媒體同通訊會議上透露咗呢啲資訊^G，顯示 Intel 正規劃一個橫跨多個「埃米世代」嘅長遠藍圖。

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總結

Intel 基本版 14A 節點採用 RibbonFET 2 環繞閘極（GAA）電晶體同 PowerDirect 背面供電，聲稱比 Intel 18A 有高達 30% 嘅晶片密度提升^E。而報道中嘅 14A2 變種正考慮引入 雙面供電架構 同更緊湊嘅 21nm M0 間距，以喺密度上同對手競爭^M。關鍵時間點包括 2026 年 10 月嘅 PDK 0.9、2028 年嘅風險生產，以及 2029 年嘅量產^EGBWS。呢個進度比 TSMC 嘅 A14（目標 2028 年量產）大約落後一年^BB。展望將來，Intel 正著手開發 10A 同 7A 等更先進嘅製程^G。