性能同效率提升: IBM 聲稱新設計相較於其 2nm 架構,可帶來高達 50% 嘅性能提升,或高達 70% 嘅能源效率改進。呢啲都係基於研究階段嘅預測,並非來自商業產品嘅實際測量 。
SRAM 縮放:40% 嘅改進 喺片上記憶體密度方面。IBM 形容呢個係業界十幾年來最大嘅記憶體增益。相關結果喺 2026 年 VLSI 技術研討會上發表 。
NanoStack 係一種 3D 垂直電晶體架構。佢唔再繼續喺平面上縮小電晶體(好似 FinFET 同傳統納米片設計咁),而係採用晶圓鍵合技術,將納米片電晶體垂直堆疊喺三維空間 。
呢種架構實際上係一種互補場效電晶體(CFET)。具體嚟講,佢將 n 型同 p 型電晶體垂直疊放,而唔係並排放置,咁樣可以大幅節省晶片面積,同時縮短電訊號喺佢哋之間傳輸嘅距離 。IBM 形容 NanoStack 係一種「通用框架」用嚟佈置電晶體 。公司已經展示咗一個喺 0.7nm 節點上運作嘅原型晶片——呢個係首次公開展示功能正常嘅亞納米 CMOS 邏輯 。
IBM 明確指出,呢項技術目前仍處於研究階段。公司預計合作夥伴大約需要五年時間先可以實現商業生產 。IBM 自身並唔營運晶片製造廠房。佢哋會將 NanoStack 設計授權畀製造合作夥伴同晶圓代工廠,呢個模式同 IBM 過往商業化半導體突破嘅做法一致 。公司仲規劃咗一條更長遠嘅路線圖,目標係邁向 0.1nm(1 埃)節點 。
IBM 將 0.7nm 節點定位為首個公開披露嘅亞納米技術,宣告半導體行業正式進入所謂嘅「埃時代」。公司估計,採用 7A 晶片嘅 AI 加速器理論上可達到約 7,000 TOPS(每秒萬億次運算),相比目前領先節點大約 1,500 TOPS,提升約 4.7 倍 。IBM 嘅呢項宣布被廣泛視為公司喺邁向埃級節點嘅競賽中,與代工龍頭台積電、三星同英特爾競爭嘅重要部署 。
所有性能同效率數據都係 IBM 基於研究階段製程嘅預測,並非已出貨產品。公司提出嘅五年商用化時間表,以及對授權合作夥伴嘅依賴,係重要嘅限制因素。正如 IBM 全球半導體研發副總裁 Huiming Bu 喺發布會上所講:「Nanostack 唔係單一創新,而係一個器件平台,可以支援未來十年嘅縮放。我哋正準備將佢推向量產。」