美國收緊半導體設備出口,並不代表三星電子和SK海力士即時撤出中國。眼前的做法更像是「保留現有營運、分散未來投資」:中國廠房仍有供應價值,但設備能否輸入、廠房能否升級,愈來愈受美方許可左右。
由長期豁免改為逐年批核
三星在西安、SK海力士在無錫及大連等地設有生產設施。過去適用的「經驗證最終用戶」(VEU)豁免制度於2025年底告終;美國其後改為逐年發出設備出口許可,兩家公司獲批的2026年許可並非永久通行證。
這種安排令企業須按年申報所需設備,未來能否維持同等生產、添置設備或升級技術,都多了一重不確定性。南韓業界報道指,美國限制已收窄在中國投資及設備升級的空間,兩家公司因此也在美國、越南和日本尋找其他投資地點。
大連Mod B:安裝設備是否等於擴產?
爭議焦點之一,是SK海力士大連廠一處名為Mod B的空置生產空間。路透報道指,SK海力士旗下美國公司Solidigm希望在該處安裝設備生產NAND快閃記憶體,並把美國新建NAND廠的計劃與取得更多設備出口許可聯繫起來。報道亦指,大連廠2026年的許可限制了設備數量,當時尚未取得2027年的相關許可。
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SK海力士則表示,Mod B在2023年已建成,公司並非尋求擴大產能;相關設備安裝是在與美國政府磋商並獲其授權下進行。
12兩種說法涉及的許可範圍未必相同:既有設備安裝獲批,不等於新增設備申請或下一年度許可已獲批准。現有報道未能完全釐清美方會如何界定「完成既有廠房設備配置」與「擴大產能」。
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AI缺芯令現有產能更有價值
AI伺服器需求增加,記憶體供應因而吃緊。三星曾預期AI熱潮會令2026年晶片短缺加劇:記憶體業務或受惠,但手機、顯示屏等其他業務則可能面對成本壓力。三星與SK海力士合計佔DRAM市場約三分之二,兩大廠的產量變化對市場供應相當重要。
SK海力士行政總裁郭魯正更預期,2027年可能是記憶體業歷來供應最緊張的一年,需求超過供應的情況或延續至2030年以後。在這種市況下,保留已有生產設施有實際價值;但這不代表企業可以不受限制地在中國擴產或更新技術。
海外新廠不會即時補上缺口
SK海力士在美國印第安納州西拉法葉市的項目,主力是AI晶片封裝,下一代HBM4E預計於2029年第三季開始量產。這類新項目反映公司正分散投資,但其產品與大連廠生產的NAND並不相同,也不會即時取代當地供應。
南韓媒體報道,三星與SK海力士亦在考慮美國、越南和日本等地的生產投資;兩家公司另有在南韓西南部打造晶片產業園區的投資承諾。不過,現有資料不足以確認三星德州項目的具體投資總額、越南項目的詳情,或SK海力士在紐約州及俄亥俄州的選址進展,因此不宜把這些計劃說成已落實的替代產能。
對兩家公司而言,關鍵不是「留在中國」或「立即撤出」二選一,而是如何在許可限制下維持現有供應,同時把新增投資放到其他地區。AI帶動的缺芯令舊有產能更難輕易放棄;美國的逐年審批制度則令每一次設備輸入,都可能牽涉下一輪投資安排。
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