中國追趕EUV光刻機，距離前沿技術還有多遠？

中國距離自家研發極紫外光（EUV）光刻機，可能仍有一段不短的路。德國光學企業蔡司半導體部門主管Frank Rohmund認為，估計中國需要約 15年 才能研發出自己的EUV光刻機，是「合理的假設」；不過他亦指出，中國實際進度難以量化。瑞銀的分析則認為，未來十年內要發展出可取代ASML頂尖EUV技術的方案，機會不大。兩者都是估算，並非確定時間表，而且所指的技術里程碑亦不完全相同。13

EUV追趕，難在整套技術與供應鏈

光刻是把電路圖案轉移到晶片上的關鍵製程。EUV是目前先進晶片製造競賽的焦點之一；瑞銀的評估，主要談中國能否研發出可替代ASML頂尖EUV技術的設備。Rohmund則提醒，中國的研發進度難以準確量度，因此「15年」不應當成倒數計時。13

難題亦不止於造出一部機器。蔡司是ASML EUV系統的關鍵光學元件供應商之一，反映這類設備背後還牽涉高度專門化的零件與供應鏈。2

DUV或較快有進展，但不等於追上EUV

較近期可能取得進展的，是較舊一代的浸潤式深紫外光（DUV）光刻設備。據報瑞銀分析師預計，中國或可在 兩至五年 內，讓浸潤式DUV系統達至大量生產。3

不過，DUV與EUV是不同技術路線。DUV量產若有進展，代表本土設備製造能力或有所提升，並不等於中國已突破EUV技術，亦不代表已能取代ASML最先進的系統。3

出口管制限制設備取得，也可能推動自主研發

目前，EUV系統不能出口到中國；部分較先進的浸潤式DUV設備出口亦須申請許可。這些限制減少中國取得外國設備的途徑，但Rohmund警告，若管制進一步擴大，也可能令中國更有動力加快自主創新。2311

因此，出口限制的長遠影響未必能簡單理解為只會拉大技術差距。管制會限制設備供應，但蔡司主管的提醒是，亦可能增加中國發展本土替代方案的誘因。現有資料未能確定這種推動作用會令差距以多快速度收窄。2

AI需求升溫，蔡司增加產能應對

AI相關需求亦正在影響半導體設備市場。據報，為應對半導體光學元件需求增加，蔡司已擴充半導體製造總部，並在另一個地點興建額外產能；公司表示，如有需要，亦可進一步擴產。

這反映的是蔡司因應市場需求增加產能，並非資料所述的專為中國EUV研發或出口管制而訂的計劃。半導體設備業一方面要面對先進微影技術競爭，另一方面亦要應付光學元件需求上升帶來的供應挑戰。

目前能得出的結論

綜合兩項估算，中國在DUV方面或較快達至量產，但EUV追趕仍以十年或更長時間作單位。蔡司提出的約15年，是設備供應商主管的判斷；瑞銀的十年評估則屬分析師預測，兩者都不是保證實現的時間表。13

現階段較清晰的幾點是：蔡司光學元件是ASML EUV供應鏈的重要一環；出口管制一方面限制設備取得，另一方面亦可能刺激本土研發；而AI相關需求正促使蔡司增加產能。這些因素將如何交織，會影響半導體設備市場走向，但現有報道未能確定中國何時、或能否追上現有EUV系統。23