CXMT（長鑫存儲）的G5平台投產，標誌住佢由受本土市場支持的DRAM供應商，向主流DRAM及流動記憶體的量產競爭者再行前一步。呢一步會削弱三星、SK hynix同美光長年主導市場的格局，但未足以顛覆三巨頭，因為AI伺服器最關鍵的HBM（高頻寬記憶體）仍然係佢哋的強項。65

G5突破重點：唔止係縮細製程，而係提高產出

G5採用四重圖形化（quadruple patterning），把記憶體陣列主動區半間距做到11.95nm。簡單講，即係透過重複曝光與蝕刻等工序，做出更細密的電路圖案。值得留意的是，11.95nm是特定核心結構的量度，未必可直接同其他廠商標示的「12nm級」製程一對一比較。24

更實際的競爭力來自產能和成本：CXMT表示，G5每片晶圓可產出的總晶粒數，較上一代至少增加50%。晶圓上可切出的合格記憶體晶粒愈多，理論上愈有利降低每粒成本、增加可供貨數量；這代表G5不只是研發展示，而是向量產經濟效益推進。123

24Gb LPDDR5X：切入更高密度流動裝置市場

CXMT已將兩款採用G5製造的24Gb LPDDR5X產品投入量產。LPDDR5X是為手機及手提式電子裝置而設、較慳電的DRAM類型；24Gb容量亦比其上一代同類產品高50%。這使CXMT可切入更高密度、較高效能的流動記憶體市場，並藉中國龐大的手機及消費電子供應鏈累積客戶認證和量產經驗。126

市佔上升，意味已具商業規模，但不等於全面追平

有報道指CXMT在2026年第二季已佔全球DRAM收入約10%。對一間中國DRAM廠而言，跨過雙位數市佔是重要門檻，說明其供應與商業規模已不可忽略。142

但市佔不等於技術、產品組合或利潤率已跟三大廠看齊。三星、SK hynix及美光在高端DDR5、LPDDR、HBM、先進封裝，以及全球客戶的長期驗證方面，仍有更深的累積。短期內，CXMT較可能在主流DRAM和面向中國市場的供應上帶來價格壓力，而三大廠則守住門檻更高、毛利更好的AI記憶體市場。26

國產設備協作有助自主，但未到「完全自主」

G5以多重圖形化方式推進，反映中國即使受最先進微影設備限制，仍可用較複雜的製程整合去縮小DRAM差距。CXMT與中國設備商擴大協作，亦會為本土設備業者帶來訂單、製程知識和改善良率的機會，提升供應鏈韌性。72

不過，先進DRAM絕非只靠曝光設備：沉積、蝕刻、量測、材料、良率控制和封裝，每一環都極具挑戰。因此，這是中國記憶體供應鏈能力的實質進展，不應被演繹成全套設備已完全自主。

真正難關仍是HBM

一般DRAM或LPDDR5X，跟AI加速器所用的HBM不是同一級挑戰。HBM要把多層DRAM透過TSV（矽穿孔）堆疊，再配合先進封裝、散熱與功耗管理，並要通過GPU或AI加速器客戶嚴格認證，最終還要能穩定大批量交貨。

業界估計，中國在HBM方面仍較韓國落後約3年，而一般DRAM的差距約為2年。5 即使有關小批量HBM3E送交客戶作認證的報道屬實，亦只代表研發與驗證進展，未代表已建立可與三大廠競爭的成熟量產能力。4

**結論：**G5是中國記憶體產業一次真實而重要的突破。CXMT已有能力擴大較先進的通用及流動DRAM供應，減少對海外供應商的依賴，亦令原本由三家公司主導的市場變得沒那麼穩固。較準確的短期圖像，是DRAM逐漸形成「四強」競爭：CXMT成為有力的價格和供應挑戰者；但在AI導向的HBM，中國距離技術全面自主、或取代三星、SK hynix與美光，仍有一段距離。

CXMT（長鑫存儲）的G5平台投產，標誌住佢由受本土市場支持的DRAM供應商，向主流DRAM及流動記憶體的量產競爭者再行前一步。呢一步會削弱三星、SK hynix同美光長年主導市場的格局，但未足以顛覆三巨頭，因為AI伺服器最關鍵的HBM（高頻寬記憶體）仍然係佢哋的強項。65

G5突破重點：唔止係縮細製程，而係提高產出

G5採用四重圖形化（quadruple patterning），把記憶體陣列主動區半間距做到11.95nm。簡單講，即係透過重複曝光與蝕刻等工序，做出更細密的電路圖案。值得留意的是，11.95nm是特定核心結構的量度，未必可直接同其他廠商標示的「12nm級」製程一對一比較。24

更實際的競爭力來自產能和成本：CXMT表示，G5每片晶圓可產出的總晶粒數，較上一代至少增加50%。晶圓上可切出的合格記憶體晶粒愈多，理論上愈有利降低每粒成本、增加可供貨數量；這代表G5不只是研發展示，而是向量產經濟效益推進。123

24Gb LPDDR5X：切入更高密度流動裝置市場

CXMT已將兩款採用G5製造的24Gb LPDDR5X產品投入量產。LPDDR5X是為手機及手提式電子裝置而設、較慳電的DRAM類型；24Gb容量亦比其上一代同類產品高50%。這使CXMT可切入更高密度、較高效能的流動記憶體市場，並藉中國龐大的手機及消費電子供應鏈累積客戶認證和量產經驗。126

市佔上升，意味已具商業規模，但不等於全面追平

有報道指CXMT在2026年第二季已佔全球DRAM收入約10%。對一間中國DRAM廠而言，跨過雙位數市佔是重要門檻，說明其供應與商業規模已不可忽略。142

但市佔不等於技術、產品組合或利潤率已跟三大廠看齊。三星、SK hynix及美光在高端DDR5、LPDDR、HBM、先進封裝，以及全球客戶的長期驗證方面，仍有更深的累積。短期內，CXMT較可能在主流DRAM和面向中國市場的供應上帶來價格壓力，而三大廠則守住門檻更高、毛利更好的AI記憶體市場。26

國產設備協作有助自主，但未到「完全自主」

G5以多重圖形化方式推進，反映中國即使受最先進微影設備限制，仍可用較複雜的製程整合去縮小DRAM差距。CXMT與中國設備商擴大協作，亦會為本土設備業者帶來訂單、製程知識和改善良率的機會，提升供應鏈韌性。72

不過，先進DRAM絕非只靠曝光設備：沉積、蝕刻、量測、材料、良率控制和封裝，每一環都極具挑戰。因此，這是中國記憶體供應鏈能力的實質進展，不應被演繹成全套設備已完全自主。

真正難關仍是HBM

一般DRAM或LPDDR5X，跟AI加速器所用的HBM不是同一級挑戰。HBM要把多層DRAM透過TSV（矽穿孔）堆疊，再配合先進封裝、散熱與功耗管理，並要通過GPU或AI加速器客戶嚴格認證，最終還要能穩定大批量交貨。

業界估計，中國在HBM方面仍較韓國落後約3年，而一般DRAM的差距約為2年。5 即使有關小批量HBM3E送交客戶作認證的報道屬實，亦只代表研發與驗證進展，未代表已建立可與三大廠競爭的成熟量產能力。4

**結論：**G5是中國記憶體產業一次真實而重要的突破。CXMT已有能力擴大較先進的通用及流動DRAM供應，減少對海外供應商的依賴，亦令原本由三家公司主導的市場變得沒那麼穩固。較準確的短期圖像，是DRAM逐漸形成「四強」競爭：CXMT成為有力的價格和供應挑戰者；但在AI導向的HBM，中國距離技術全面自主、或取代三星、SK hynix與美光，仍有一段距離。