ASML夥台積電推12吋光罩：High-NA EUV瞄準更巨型AI數據中心晶片

ASML宣布聯同台積電（TSMC）牽頭成立產業合作倡議，並歡迎其他High-NA採用者及供應商加入，推動High-NA極紫外光（EUV）微影由沿用多年的6吋光罩，轉用12吋大尺寸光罩。核心目的係保留High-NA更精細嘅製圖能力，同時令系統可以更有效率地製造Nvidia等公司所需、面積極大嘅AI及數據中心處理器晶片。10

關鍵問題：更精細，卻一度不利做「巨無霸」晶片

現時主流EUV系統採用0.33數值孔徑（NA）光學系統，曝光視場足以應付大型晶片。新一代High-NA則將NA提高至0.55，有助提高特徵密度；不過，其非對稱（anamorphic）光學設計令曝光視場在一個方向縮小。若繼續使用現有6吋光罩，單次可印製嘅晶片面積會較細，製造特大AI／數據中心晶片時便可能要將圖案分段曝光後再「拼接」。1314

ASML表示，High-NA平台可達到8納米關鍵尺寸（critical dimension），為後續採用更細微特徵嘅晶片世代而設。145

12吋光罩正正針對上述限制：更大光罩可容納更多曝光內容，減少大型設計所需嘅拼接曝光。ASML與台積電預期，這可提高晶圓廠生產力、壓低造芯成本，亦讓晶片製造商更充分運用High-NA嘅優勢。10

邊間廠已經用緊或評估中？

• Intel進度最前。經過2024年起嘅試驗後，Intel已在2026年把High-NA設備用於部分代號Panther Lake處理器嘅生產。12
• Intel及SK hynix均被列為計劃採用High-NA嘅廠商；包括Intel在內嘅晶片商亦一直測試相關設備。45
• 台積電係12吋光罩倡議嘅共同牽頭者，計劃先以既有6吋光罩導入High-NA，之後才過渡至大光罩方案。10
• Samsung已宣布擴大與ASML在High-NA方面嘅合作，計劃把技術用於未來DRAM生產，並加入12吋光罩倡議。9

至於台積電、Samsung同SK hynix各自確切嘅量產日期，現有資料只支持其參與、評估或計劃採用，未足以確認三者各自明確嘅投產時間。將它們一概定為2027至2028年量產嘅說法，並無足夠可靠資料支持。4935

2031年試產、2033年生產就緒

ASML與台積電設定嘅目標係：2031年建立12吋光罩試產線，並在2033年令完整微影系統達到先進製程生產就緒。10

市場報道稱，大光罩方案可望帶來約40%生產力提升；ASML官方公布則確認方向是提高生產力及降低成本，但在所提供內容中未列出具體百分比。810

要留意，這個約40%預期，並不等於ASML現行EUV設備本身嘅吞吐量升幅。ASML現有NXE:3800E系統每小時可處理220片晶圓，較NXE:3600D高37%；兩者屬不同指標，不能直接混為一談。1