中國半導體自主化，其實正沿住兩條速度懸殊嘅路推進：一條係極紫外光刻（EUV），追趕期仍然要以十年計；另一條係供AI加速器使用嘅高頻寬記憶體（HBM），短期內已見到較具體嘅本土供應進展。

蔡司半導體製造技術部門主管Frank Rohmund認為，中國要自行開發出具競爭力嘅EUV光刻機，約15年係合理估算；UBS分析亦認為，中國距離具商業競爭力嘅整套EUV工具鏈，至少仍有十年差距。呢啲都係估計，唔係倒數日期；重點在於，做到一部可運作嘅機，同交付一套可長期支援晶圓廠量產、媲美ASML嘅平台，係兩回事。

EUV難處，唔止係造到一部光刻機

EUV係一套完整工業系統，並非一件獨立設備。要真正投產，必須同時掌握穩定光源、超高精度光學元件、光罩及薄膜、污染控制、量測技術、軟件、維修服務，以至能支援大規模晶圓廠運作嘅供應鏈。

市場對設備嘅要求亦非常苛刻：唔單止要喺實驗室成功曝光晶圓，而係要喺客戶產線維持吞吐量、套刻精度、開機率，同埋可重複嘅製程結果。因此，即使中國日後展示國產EUV原型機，亦唔代表即時補得上ASML喺量產平台方面累積多年嘅差距。

DUV有進展，但唔等於已追上EUV

中國喺浸沒式氬氟（ArF）深紫外光刻，即DUV，據報已有實質進展；上海微電子裝備（SMEE）相關設備目標約為28納米級。浸沒式DUV並非微不足道，因為它可以配合多重曝光（multi-patterning）製程，支援較先進嘅晶片生產。

不過，多重曝光意味要增加曝光次數、光罩及製程步驟，實際上會令流程更複雜、成本更高，良率風險亦較大；對於相關層數，EUV可減少呢類負擔。即使有DUV設備里程碑，亦唔應直接視為已證明可按ASML現有系統所要求嘅生產力及可靠性，穩定大規模量產。

換句話講，中國可藉DUV逐步擴大國產設備覆蓋、減低受海外設備限制嘅程度，但呢同掌握最先進邏輯晶片製程所用嘅EUV技術，仍有清晰分野。

出口管制拖慢前沿技術，亦可能加強本土替代誘因

美國主導嘅限制措施，令ASML嘅EUV設備無法出口到中國，最先進浸沒式DUV設備嘅取得亦收緊。這會限制中國短期取得生產尖端晶片所需嘅設備。

不過，Rohmund反對把管制延伸至較舊、被視為「成熟製程」用途嘅DUV設備，理由既有經濟亦有策略考量。成熟製程設備廣泛用於民用晶片生產；若再收緊，設備供應商會流失銷售，同時反而會提高中國以國產替代海外工具嘅誘因。

按呢個觀點，出口管制可以延緩中國接觸技術前沿，卻未必會削弱其研發替代方案嘅動機。真正要觀察嘅，始終係本土供應商能否把投資同原型，轉化成可靠、可高產量交付嘅設備。

CXMT的HBM3E：另一條時間線上嘅突破

記憶體方面，進度就屬另一回事。中國長鑫存儲（CXMT）據報已開始小批量生產HBM3E，並向包括阿里巴巴旗下T-Head及寒武紀在內嘅本土AI晶片開發商提供零件測試。現時產量仍有限，大規模生產能力亦尚未獲驗證。810

呢一步具有策略意義，但未足以與市場領先者並列。三星、SK hynix及Micron在先進HBM仍有既定優勢；報道指出，CXMT完成初期小批量階段後，正朝提升產量方向推進。68

對中國AI加速器開發商而言，即使早期國產選項未成熟，已可減少供應鏈單一依賴，並提供客戶驗證及導入嘅路徑。對三星同SK hynix嚟講，短期競爭壓力較可能集中喺中國市場，而唔係即時改寫整個高端全球HBM市場格局。

真正要睇嘅，係量產證據

評估中國半導體能力，唔應用一個數字概括。光刻方面，距離具競爭力嘅EUV生態系統仍然非常遠，按Rohmund與UBS嘅估算，大約是十年或更長；AI記憶體方面，CXMT嘅HBM3E工作則反映，中國可在供應鏈某些環節走得更快。

下一個值得關注嘅訊號，唔係單一原型機或試產公告，而係持續嘅良率、可靠度、客戶認證及產能表現——無論係SMEE嘅DUV設備、未來國產EUV平台，抑或CXMT嘅HBM產出。

中國半導體自主化，其實正沿住兩條速度懸殊嘅路推進：一條係極紫外光刻（EUV），追趕期仍然要以十年計；另一條係供AI加速器使用嘅高頻寬記憶體（HBM），短期內已見到較具體嘅本土供應進展。

蔡司半導體製造技術部門主管Frank Rohmund認為，中國要自行開發出具競爭力嘅EUV光刻機，約15年係合理估算；UBS分析亦認為，中國距離具商業競爭力嘅整套EUV工具鏈，至少仍有十年差距。呢啲都係估計，唔係倒數日期；重點在於，做到一部可運作嘅機，同交付一套可長期支援晶圓廠量產、媲美ASML嘅平台，係兩回事。

EUV難處，唔止係造到一部光刻機

EUV係一套完整工業系統，並非一件獨立設備。要真正投產，必須同時掌握穩定光源、超高精度光學元件、光罩及薄膜、污染控制、量測技術、軟件、維修服務，以至能支援大規模晶圓廠運作嘅供應鏈。

市場對設備嘅要求亦非常苛刻：唔單止要喺實驗室成功曝光晶圓，而係要喺客戶產線維持吞吐量、套刻精度、開機率，同埋可重複嘅製程結果。因此，即使中國日後展示國產EUV原型機，亦唔代表即時補得上ASML喺量產平台方面累積多年嘅差距。

DUV有進展，但唔等於已追上EUV

中國喺浸沒式氬氟（ArF）深紫外光刻，即DUV，據報已有實質進展；上海微電子裝備（SMEE）相關設備目標約為28納米級。浸沒式DUV並非微不足道，因為它可以配合多重曝光（multi-patterning）製程，支援較先進嘅晶片生產。

不過，多重曝光意味要增加曝光次數、光罩及製程步驟，實際上會令流程更複雜、成本更高，良率風險亦較大；對於相關層數，EUV可減少呢類負擔。即使有DUV設備里程碑，亦唔應直接視為已證明可按ASML現有系統所要求嘅生產力及可靠性，穩定大規模量產。

換句話講，中國可藉DUV逐步擴大國產設備覆蓋、減低受海外設備限制嘅程度，但呢同掌握最先進邏輯晶片製程所用嘅EUV技術，仍有清晰分野。

出口管制拖慢前沿技術，亦可能加強本土替代誘因

美國主導嘅限制措施，令ASML嘅EUV設備無法出口到中國，最先進浸沒式DUV設備嘅取得亦收緊。這會限制中國短期取得生產尖端晶片所需嘅設備。

不過，Rohmund反對把管制延伸至較舊、被視為「成熟製程」用途嘅DUV設備，理由既有經濟亦有策略考量。成熟製程設備廣泛用於民用晶片生產；若再收緊，設備供應商會流失銷售，同時反而會提高中國以國產替代海外工具嘅誘因。

按呢個觀點，出口管制可以延緩中國接觸技術前沿，卻未必會削弱其研發替代方案嘅動機。真正要觀察嘅，始終係本土供應商能否把投資同原型，轉化成可靠、可高產量交付嘅設備。

CXMT的HBM3E：另一條時間線上嘅突破

記憶體方面，進度就屬另一回事。中國長鑫存儲（CXMT）據報已開始小批量生產HBM3E，並向包括阿里巴巴旗下T-Head及寒武紀在內嘅本土AI晶片開發商提供零件測試。現時產量仍有限，大規模生產能力亦尚未獲驗證。810

呢一步具有策略意義，但未足以與市場領先者並列。三星、SK hynix及Micron在先進HBM仍有既定優勢；報道指出，CXMT完成初期小批量階段後，正朝提升產量方向推進。68

對中國AI加速器開發商而言，即使早期國產選項未成熟，已可減少供應鏈單一依賴，並提供客戶驗證及導入嘅路徑。對三星同SK hynix嚟講，短期競爭壓力較可能集中喺中國市場，而唔係即時改寫整個高端全球HBM市場格局。

真正要睇嘅，係量產證據

評估中國半導體能力，唔應用一個數字概括。光刻方面，距離具競爭力嘅EUV生態系統仍然非常遠，按Rohmund與UBS嘅估算，大約是十年或更長；AI記憶體方面，CXMT嘅HBM3E工作則反映，中國可在供應鏈某些環節走得更快。

下一個值得關注嘅訊號，唔係單一原型機或試產公告，而係持續嘅良率、可靠度、客戶認證及產能表現——無論係SMEE嘅DUV設備、未來國產EUV平台，抑或CXMT嘅HBM產出。