美光（Micron）的部署可以概括為「短期改線搶產量、長期建廠補供應」。目標是在 2026 年底前，將 HBM 的晶圓投入產能推高至每月約 10 萬片；當中最急切的任務，是增加面向 Nvidia 下一代 Vera Rubin AI 平台的 12 層 HBM4 供應。12

短期：用現有 DRAM 及設備投資，盡快推高 HBM4 比重

據報，美光計劃在年底前為 HBM 新增最多每月 6 萬片晶圓投入，令總 HBM 晶圓投入能力達約每月 10 萬片，即較 2025 年水平多逾一倍。12 這一輪擴張主要不是等全新晶圓廠落成，而是靠積極添置設備、調整既有 DRAM 生產資源，以及提升 12 層 HBM4 的產出比例來加速。

HBM 並不是普通 DRAM：它要把多層記憶體晶片垂直堆疊，再配合先進封裝，才可為 AI 加速器提供極高頻寬。因此，即使有晶圓產能，仍要過封裝、良率及客戶平台驗證幾關，才真正可以變成可交付的 HBM 供應。

Vera Rubin 是 HBM4 擴產的核心目標

美光的新一代產品焦點是 36GB、12 層堆疊的 HBM4。公開報道指，該產品自 2026 年首季起已作較大規模出貨，主要配合 Nvidia 即將推出的 Vera Rubin 平台。20

對美光而言，取得 Nvidia 平台的驗證尤其重要。HBM 競爭不是單純「做得幾多片」：供應商還要證明產品在高速傳輸、功耗、可靠性及量產良率上都達標，客戶才會將有限的 AI 加速器訂單分配過來。換句話說，10 萬片的目標可縮窄規模差距，但未必自動轉化成同等市佔。

訂單已見緊張，但 2027 年後仍要靠新產能接力

市場消息指出，美光 2026 年的 HBM 供應已售罄，部分 2027 年產能亦已由長期合約預訂。820 這代表 AI 伺服器客戶對 HBM 的需求仍然遠超供應，亦讓美光在定價及收入能見度方面得到支持。

不過，HBM 擴產周期長。市場分析估計，由擴產決定到真正形成供應，通常需時約 12 至 18 個月，而需求增長預計至少延續至 2026 年。4 所以，美光同時在亞洲擴充製造網絡，為下一階段供應預先鋪路：

• 台灣： 銅鑼廠預期在 2027 年開始投片，屬於往後 DRAM 供應的新增基地。11
• 新加坡： 美光計劃在未來 10 年投資 240 億美元興建先進晶圓廠，預計 2028 年下半年開始產出；公司表示項目主要支援 NAND 記憶體需求，因此不宜直接把這項產能全數視作 HBM 供應。2
• 日本廣島： 美光已展開約 **1.5 萬億日圓（約 93 億美元）**的廠房擴建，目標生產先進記憶體，包括 AI 處理器所需的 HBM，預計 2028 年夏季開始出貨。19

三強之爭：美光追產能，SK 海力士守領先，三星快速追上

HBM 現時仍是 SK 海力士、三星及美光的三方競賽。按 Counterpoint Research 的數據，2026 年第二季三星 HBM 收入市佔升至 33%，SK 海力士為 50%；三星正以 HBM4 拉升出貨，並以年底約 38% 市佔為目標。103

在 2026 年首季，SK 海力士市佔約 58%，三星與美光則各約 21%。14 SK 海力士的優勢在於與 Nvidia 長期合作所累積的量產和供應經驗；三星則在 HBM4 良率改善後加速反攻。美光若做到每月約 10 萬片 HBM 晶圓投入，固然會明顯強化其作為替代供應商的角色，但仍要面對兩邊夾擊。

重點：美光正由「供應受限的追趕者」變成必要的第三家供應商

美光的策略並非靠一座新廠即時扭轉局面，而是先把現有產線和設備投資集中到 HBM4，爭取 Vera Rubin 周期的供貨席位；再以台灣、日本及新加坡的長線投資，支援 2027 年後的記憶體需求。

這會令美光更有機會成為 AI 加速器供應鏈中的重要第二來源或第三來源。不過，真正決定成敗的，不只是宣稱的晶圓投入量，還包括 HBM4 良率、先進封裝能力、Nvidia 的採購分配，以及新產能能否如期落地。SK 海力士仍然是現階段的龍頭，而三星的加速追趕，令美光面對的是一場雙線競賽。

美光（Micron）的部署可以概括為「短期改線搶產量、長期建廠補供應」。目標是在 2026 年底前，將 HBM 的晶圓投入產能推高至每月約 10 萬片；當中最急切的任務，是增加面向 Nvidia 下一代 Vera Rubin AI 平台的 12 層 HBM4 供應。12

短期：用現有 DRAM 及設備投資，盡快推高 HBM4 比重

據報，美光計劃在年底前為 HBM 新增最多每月 6 萬片晶圓投入，令總 HBM 晶圓投入能力達約每月 10 萬片，即較 2025 年水平多逾一倍。12 這一輪擴張主要不是等全新晶圓廠落成，而是靠積極添置設備、調整既有 DRAM 生產資源，以及提升 12 層 HBM4 的產出比例來加速。

HBM 並不是普通 DRAM：它要把多層記憶體晶片垂直堆疊，再配合先進封裝，才可為 AI 加速器提供極高頻寬。因此，即使有晶圓產能，仍要過封裝、良率及客戶平台驗證幾關，才真正可以變成可交付的 HBM 供應。

Vera Rubin 是 HBM4 擴產的核心目標

美光的新一代產品焦點是 36GB、12 層堆疊的 HBM4。公開報道指，該產品自 2026 年首季起已作較大規模出貨，主要配合 Nvidia 即將推出的 Vera Rubin 平台。20

對美光而言，取得 Nvidia 平台的驗證尤其重要。HBM 競爭不是單純「做得幾多片」：供應商還要證明產品在高速傳輸、功耗、可靠性及量產良率上都達標，客戶才會將有限的 AI 加速器訂單分配過來。換句話說，10 萬片的目標可縮窄規模差距，但未必自動轉化成同等市佔。

訂單已見緊張，但 2027 年後仍要靠新產能接力

市場消息指出，美光 2026 年的 HBM 供應已售罄，部分 2027 年產能亦已由長期合約預訂。820 這代表 AI 伺服器客戶對 HBM 的需求仍然遠超供應，亦讓美光在定價及收入能見度方面得到支持。

不過，HBM 擴產周期長。市場分析估計，由擴產決定到真正形成供應，通常需時約 12 至 18 個月，而需求增長預計至少延續至 2026 年。4 所以，美光同時在亞洲擴充製造網絡，為下一階段供應預先鋪路：

• 台灣： 銅鑼廠預期在 2027 年開始投片，屬於往後 DRAM 供應的新增基地。11
• 新加坡： 美光計劃在未來 10 年投資 240 億美元興建先進晶圓廠，預計 2028 年下半年開始產出；公司表示項目主要支援 NAND 記憶體需求，因此不宜直接把這項產能全數視作 HBM 供應。2
• 日本廣島： 美光已展開約 **1.5 萬億日圓（約 93 億美元）**的廠房擴建，目標生產先進記憶體，包括 AI 處理器所需的 HBM，預計 2028 年夏季開始出貨。19

三強之爭：美光追產能，SK 海力士守領先，三星快速追上

HBM 現時仍是 SK 海力士、三星及美光的三方競賽。按 Counterpoint Research 的數據，2026 年第二季三星 HBM 收入市佔升至 33%，SK 海力士為 50%；三星正以 HBM4 拉升出貨，並以年底約 38% 市佔為目標。103

在 2026 年首季，SK 海力士市佔約 58%，三星與美光則各約 21%。14 SK 海力士的優勢在於與 Nvidia 長期合作所累積的量產和供應經驗；三星則在 HBM4 良率改善後加速反攻。美光若做到每月約 10 萬片 HBM 晶圓投入，固然會明顯強化其作為替代供應商的角色，但仍要面對兩邊夾擊。

重點：美光正由「供應受限的追趕者」變成必要的第三家供應商

美光的策略並非靠一座新廠即時扭轉局面，而是先把現有產線和設備投資集中到 HBM4，爭取 Vera Rubin 周期的供貨席位；再以台灣、日本及新加坡的長線投資，支援 2027 年後的記憶體需求。

這會令美光更有機會成為 AI 加速器供應鏈中的重要第二來源或第三來源。不過，真正決定成敗的，不只是宣稱的晶圓投入量，還包括 HBM4 良率、先進封裝能力、Nvidia 的採購分配，以及新產能能否如期落地。SK 海力士仍然是現階段的龍頭，而三星的加速追趕，令美光面對的是一場雙線競賽。