AI 基建正在令記憶體市場由以往常見的景氣循環,變成一場「產能點樣分」的競賽。大型雲端服務商興建 AI 叢集,除了要用先進 AI 加速器,亦大量需要高頻寬記憶體(HBM)、伺服器用高密度 DRAM,以及龐大的 NAND 儲存空間。記憶體廠自然優先投放資源去這些價值較高的產品;與此同時,PC、手機及其他電子產品的需求仍在,令傳統記憶體市場可調度的供應更少。
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點解 AI 同時推高 DRAM 與 NAND 壓力?
最明顯的樽頸是 HBM。它是一種貼近先進 AI 處理器使用的專用 DRAM,生產既要用到稀缺的先進產能,亦依賴高要求的封裝技術。IDC 指出,現時供需失衡的首要推手是 AI 基建需求,尤其是 GPU 伺服器所需的 HBM 和高密度 DRAM;伺服器需求的增速,快過供應擴張速度。
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不過,影響唔止 HBM。AI 系統同樣需要容量大、速度快的儲存池,從而支撐企業級 NAND 需求。當記憶體廠將生產與投資轉投 AI 導向產品,傳統 DRAM 和 NAND 的買家就要爭產能,或者接受更高價格。IDC 認為,這種轉向高毛利 AI 記憶體的產能重新分配,已令消費電子市場出現供應短缺。
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點解供應緊張可能維持到 2027 年?
增加記憶體產量,唔係今日落單、下季就有貨。新產能要經過建廠、安裝設備、認證、提升良率等多個階段;先進 HBM 更加要配合專門封裝。Synopsys 行政總裁 Sassine Ghazi 表示,由於新產能上線需時,供應緊張會延續至 2026 年及 2027 年。
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Micron 亦表示,AI 正以快過業界新增供應的速度重塑需求,預期緊張情況會持續至 2027 年以後。
7 從 IDC 的供應預測亦可見限制所在:該機構預計 2026 年 DRAM 供應按年增長 16%、NAND 增長 17%,兩者均低於歷史常態。
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當然,並非每一類記憶體都會以同樣程度缺貨。HBM、伺服器 DRAM、客戶端 DRAM 及 NAND 的情況,可受合約條款、產品世代、廠商配額和終端市場需求影響而有很大差異。不過,核心問題一致:AI 帶動的需求升得太快,新增供應一時追唔上。
點樣傳導到 PC 同智能手機售價?
記憶體是裝置物料成本的重要部分。IDC 指出,智能手機與 PC 都要面對更高零件成本,正改寫產品本身的經濟帳。
8 廠商可以選擇自行吸收成本、加價、調整記憶體或儲存容量配置,甚至修改產品計劃。
IDC 對 2026 年的情境估算顯示:在中性情境下,智能手機平均售價可能上升 3% 至 5%;在較悲觀情境下,升幅可達 6% 至 8%。這是情境推演,並不代表每一部手機都必定加價。
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對下游零件供應商而言,主要風險是間接的:若 PC、手機或周邊產品變貴,客戶的出貨量、產品組合和庫存需求都可能改變。現有資料並無證據可量化 Sonix Technology 的特定財務影響、預測或業績指引,因此不能據此作出公司層面的結論。
Phison 對 NAND 的警告,應該點樣理解?
Phison 行政總裁潘健成(Khein-Seng Pua)警告,NAND 快閃記憶體在 2027 年可能出現最嚴重的短缺。
17 另有報道引述其說法指,新 NAND 產能可能要約四年才追得上需求;如果這個判斷成真,供需回復平衡的時間可能指向 2030 年或更後。
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較合理的理解是,這屬於風險展望,而唔係已塵埃落定的市場預測。現時有較廣泛支持的短期結論,是記憶體供應偏緊及價格偏高的狀況可持續至 2027 年。至於會否拖到 2030 年,要視乎新產能爬坡速度、良率改善、多少產能持續投向 AI 記憶體,以及 AI 基建需求能否維持現時步伐。
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新產能幾時先會真正幫到手?
SK hynix 在美國印第安納州的逾 40 億美元項目,正好反映供應回應的規模和長時間表。公司計劃在 2028 年 10 月前完成潔淨室,並在 2029 年第三季開始量產 HBM4E。行政總裁 Kwak Noh-jung 表示,他預期記憶體短缺會延續至 2030 年底。
這座設施在 2029 年底起可為美國帶來具意義的 HBM 封裝能力,但它並非所有記憶體類別的即時解藥。以新一代 HBM 為主的封裝廠,本身不會直接增加足夠晶圓供應,亦未必能解決傳統 DRAM 與 NAND 的各種限制。
對消費者與產業鏈意味住乜?
今次記憶體緊張,已不只是半導體市場的內行新聞,而是裝置廠的產品規劃問題,也是供應鏈採購問題。AI 資料中心正消耗本來可供更廣泛電子市場使用的記憶體產能,而替代產能往往要幾年先到位。
預計最明顯的壓力仍會落在 AI 導向記憶體與伺服器市場,並至少在 2027 年前外溢至消費級 DRAM 和 NAND 的價格。隨新產能陸續投產,個別環節或會先有紓緩;但若有人斷言市場會在某一年全面回復正常,仍應審慎看待,尤其當新增產能主要針對 HBM,而非整條記憶體供應鏈時。