SK hynix 據報正評估 Intel Foundry 作為 HBM4E 基底晶粒的第二供應商,但目前並非已確認的量產協議。 HBM4E 12 層樣品最高達每針腳 16 Gbps,功耗效率較上一代提升逾 20%;NVIDIA 的供應及產能承諾亦增至 2,790 億美元,令記憶體供應更加關鍵。
研究答案

Create a landscape editorial hero image for this Studio Global article: What is the reported but unconfirmed plan for SK Hynix to outsource production of HBM4E base dies to Intel Foundry, why is SK Hynix consider. Article summary: SK Hynix is reportedly evaluating—not signing—a deal under which Intel Foundry would fabricate some HBM4E logic base dies alongside TSMC. The apparent objective is to lower cost, secure capacity, and reduce reliance on o. Topic tags: general, news, general web, user generated. Style: premium digital editorial illustration, source-backed research mood, clean composition, high detail, modern web publication hero. Use reference image context only for broad subject, composition, and topical grounding; do not copy the exact image. Avoid: logos, brand marks, copyrighted characters, real person likenesses, fake screenshots, UI text, readable text, watermarks, charts w
SK hynix 據報正評估與 Intel Foundry 合作,讓 Intel 生產下一代 HBM4E 記憶體堆疊所用的部分邏輯基底晶粒,同時繼續與 TSMC 合作。重點是:這仍然只是評估中的可能方案,SK hynix、Intel 及 TSMC 都未有公開確認正式量產協議,因此不應解讀為已經落實的供應轉移。2
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對 SK hynix 來說,這是一項分散供應風險的部署。HBM4E 的需求隨着 AI 加速器市場升溫而增加,而底層的邏輯基底晶粒亦變得更昂貴、更重要。假如 Intel 能夠通過認證,SK hynix 就可以在 TSMC 以外增加一個合資格來源,在成本、產能及議價能力之間取得更大彈性。
HBM 並不只是將多層 DRAM 疊埋一齊。每個堆疊底部都有一層稱為 base die(基底晶粒) 的邏輯晶片。佢唔負責像 DRAM 層一樣儲存資料,而是協助管理記憶體介面、傳送訊號,並將記憶體堆疊連接到旁邊的 AI 加速器封裝。
隨着 HBM 走向更寬的連接介面、更高速度及更低功耗,基底晶粒的作用愈來愈似整個堆疊的「交通控制中心」。SK hynix 亦曾指出,HBM4 的發展令邏輯晶粒的重要性增加,因為它要改善 HBM 堆疊與邏輯晶片之間的連接,同時降低耗電量。7
SK hynix 在 HBM4 採用 TSMC 12nm 級製程製造基底晶粒。業界報道指,這類基底晶粒的製造成本,可能約為核心 DRAM 晶粒的 3 至 4 倍。當 HBM4E 需要擴大產量時,這個成本差距自然會令記憶體製造商考慮其他生產路徑;對於客製化程度較低的產品,最尖端製程亦未必每次都不可或缺。2
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分開向兩間晶圓代工廠採購,亦可以減低對單一供應商的依賴。不過,Intel 必須先證明自己能夠達到要求,包括良率、功耗、可靠性,以及與 SK hynix 既有 HBM 製程和封裝的兼容程度。至於兩間供應商日後各自負責幾多產量、何時正式投產,目前都未有定案。
SK hynix 已向主要客戶送出 HBM4E 12 層樣品。公司表示,樣品速度最高達 每針腳 16 Gbps,而功耗效率較上一代提升 逾 20%。1
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對 AI 系統而言,HBM 是非常關鍵的一環。更快的記憶體可以更有效率地向加速器供應資料,而較佳的功耗效率則有助減輕大型 AI 數據中心的能源及冷卻負擔。但效能越高,生產鏈上每一個環節——由 DRAM、基底晶粒到最終封裝——就越需要穩定而且可以大量複製的產能。
同一時間,AI 產業亦正在提前鎖定供應。NVIDIA 的供應及產能承諾據報由 1,190 億美元增至 2,790 億美元,而記憶體採購是其中一個主要推動因素。這個數字涵蓋更廣泛的供應鏈及基礎設施承諾,並不代表 NVIDIA 單獨向 SK hynix 採購 2,790 億美元 HBM;但它反映出 AI 硬件商正努力確保每一個關鍵生產環節。
市場容易將 Intel 的兩項可能角色混為一談,但 HBM 生產其實涉及多個不同工序。
第一個工序是喺晶圓上製造邏輯基底晶粒;第二個工序則是將 HBM 堆疊與 AI 加速器整合到同一個最終封裝之內。兩者有關聯,但並不是同一件事。
TSMC 的 CoWoS 是一系列 2.5D 先進封裝技術,透過高密度互連結構,將 AI 加速器與多組 HBM 整合在一起。Intel 的 EMIB,全名為 Embedded Multi-die Interconnect Bridge,則是在封裝基板內嵌細小矽橋,建立高密度晶粒對晶粒連接,而不是依賴一塊完整的大型矽中介層。報道指,SK hynix 正測試以 Intel EMIB 為基礎的封裝方式整合 HBM,並評估相關材料及零件。
因此,Intel 理論上可能在供應鏈兩個層面參與:
但兩者必須分開分析。測試封裝技術,並不能證明 Intel 將會生產基底晶粒;即使基底晶粒通過認證,也不代表 Intel 已經成為完整 AI 封裝的供應商。
對 Intel 而言,即使只取得 SK hynix 一部分 HBM 基底晶粒訂單,亦會是 Intel Foundry 爭取外部客戶的重要示範。HBM 同時要求先進製程、可靠性及封裝整合,若 Intel 能夠由評估階段走到穩定的量產,將可用實際客戶案例證明其晶圓代工及先進封裝能力。
不過,真正的商業意義取決於 Intel 能否做到可重複、達到產量要求的生產,而不是單純獲得一項測試合作。
對 TSMC 來說,如果只是失去部分基底晶粒業務,短期直接收入影響可能有限。更值得留意的是策略層面的轉變:一個可信的替代供應商,可能削弱 TSMC 在 HBM 相關邏輯製造上的獨家優勢,亦會令 SK hynix 在價格及產能談判上多一張牌。2
但目前尚未公布實際產量分配,所以這仍然只是可能性,而不是已經發生的結果。
Samsung 及 Micron 亦可能留意 Intel 的封裝方案。報道指,兩家公司曾評估 Intel 封裝方式的兼容性,但這並不等於已經公布採用計劃。Intel 要吸引更多記憶體客戶,仍要證明 EMIB 在效能、功耗、成本及量產可靠性方面符合要求。
這次潛在的 HBM 合作,建立在兩家公司已有的商業關係之上,但不能與過往交易混為一談。
2020 年,Intel 同意以 90 億美元出售旗下 NAND 記憶體及儲存業務予 SK hynix,交易包括 SSD 業務、NAND 資產及位於大連的設施。首階段交易涉及 70 億美元,並於 2021 年 12 月完成。
另外,市場亦曾報道 SK hynix 被視為 Intel 俄亥俄州晶圓廠的潛在合作夥伴。不過,SK hynix 否認有收購計劃,而且該報道與 HBM4E 基底晶粒方案是兩回事。 兩者最多只反映出,記憶體製造商與 Intel 的晶圓代工及封裝業務之間,可能存在更廣泛的合作空間。
現階段,Intel 方案最合理的理解,是 SK hynix 為供應鏈作出的對沖部署。基底晶粒成本據報偏高,AI 客戶正積極鎖定記憶體及產能,而 HBM4E 對邏輯、功耗及封裝的要求亦進一步提高,這些因素都令 SK hynix 有理由尋找第二個來源。
但「有第二個來源」本身並不代表供應鏈一定成功。Intel 仍需要證明其方案能在量產規模下,達到合適的良率、功耗特性、可靠性、知識產權整合及封裝兼容性。
所以,在 SK hynix、Intel 或 TSMC 確認正式生產協議或產量分配之前,最準確的結論是:SK hynix 正探索 Intel 作為 TSMC 以外的潛在補充,而不是已經全面取代 TSMC。
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SK hynix 據報正評估 Intel Foundry 作為 HBM4E 基底晶粒的第二供應商,但目前並非已確認的量產協議。
SK hynix 據報正評估 Intel Foundry 作為 HBM4E 基底晶粒的第二供應商,但目前並非已確認的量產協議。 HBM4E 12 層樣品最高達每針腳 16 Gbps,功耗效率較上一代提升逾 20%;NVIDIA 的供應及產能承諾亦增至 2,790 億美元,令記憶體供應更加關鍵。
Intel 可能在兩個不同環節參與:生產邏輯基底晶粒,以及以 EMIB 協助先進封裝;任何測試或認證,都不代表 SK hynix 已將大批產量由 TSMC 轉走。