消息公布當日,Lam Research 嘅股價(LRCX)上升咗 3.3% 至 3.6%,喺 2026 年 8 月 13 日以大約 337 美元 收市 。呢次升勢延續咗今年以來嘅強勁反彈,主要受惠於持續嘅記憶體同邏輯晶片資本開支
。分析師普遍保持樂觀:喺 32 位覆蓋該股嘅分析師中,有 26 位給予「買入」評級,共識評級為「溫和買入」,Oppenheimer 等機構給予嘅平均目標價約為 400 美元
。不過,亦有分析師對半導體週期嘅 timing 同估值風險提出咗啲警示
。
呢項投資嘅戰略意義在於半導體製造嘅一個結構性轉變。AI 加速器、高頻寬記憶體(HBM)同環繞閘極(GAA)電晶體架構,都需要 每片晶圓有更多嘅蝕刻同沉積步驟——GAA 晶片需要嘅製程步驟比平面 FinFET 設計大約多 30% 。呢種每片晶圓所需製程步驟嘅結構性增加,並唔係因為出貨量增加,而係直接擴闊咗 Lam 嘅潛在市場規模。
AI 驅動嘅資本開支而家已經落到晶圓廠設備呢個層面。Lam 喺最近嘅業績電話會議中,將 2026 年嘅晶圓廠設備(WFE)市場規模預測上調到 1400 億美元,高過之前嘅 1350 億美元,管理層仲話走勢偏向樂觀 。CEO Timothy Archer 表示,公司預計 2026 年嘅晶圓廠設備開支會達到 1500 億美元嘅低位水平 。
作為蝕刻同沉積工具嘅主要供應商,Lam 喺結構上係受惠於呢個趨勢。Yole Group 嘅分析師 John West 指出:「AI 相關嘅投資正在帶動沉積同蝕刻強度嘅需求」,而 Lam 嘅蝕刻同沉積產品組合係直接對應緊業界向 3D 架構同先進封裝嘅轉變 。
通過建立能夠處理多 50% 實驗嘅實驗室容量,Lam 實際上係壓縮緊自己嘅創新週期,以配合客戶急於大規模部署 GAA、3D NAND、HBM 同先進封裝嘅步伐。呢個賭注嘅核心係:實驗室內部嘅速度,可以部分抵消外部製造複雜性所帶嚟嘅時間損失 ,而 Lam 嘅設備技術將會繼續成為整個晶片行業 AI 發展藍圖嘅一個關鍵因素。