修訂後嘅條例大幅收緊申請程序。申請人必須基於真實嘅創作活動提交申請,嚴禁弄虛作假 。同時新增 原創性聲明 要求,提交嘅複製件或圖紙必須清楚標示設計中具有原創性嘅部分 。對於明顯唔符合原創標準嘅申請,必須予以駁回 。
即使已經註冊,保護亦非一勞永逸:任何第三方都可以請求 撤銷 唔符合要求嘅註冊;一旦被撤銷,該專有權被視為自始不存在 。保護範圍以登記嘅複製件或圖紙為準,原創性聲明可用於解釋設計嘅獨創性 。
對知識產權執法嚟講,呢項改動可能最為關鍵:法院而家可以對 故意、情節嚴重嘅侵權行爲 判處懲罰性賠償 。賠償金額以權利人嘅實際損失或侵權人嘅獲利為基礎計算,對於情節嚴重嘅案件,法院可以處以 1至5倍 嘅懲罰性賠償 。呢項規定呼應咗中國整體知識產權法嘅趨勢——提高侵權成本,打擊抄襲行為 。
新條例釐清咗佈圖設計嘅許可及共有權利,簡化咗芯片設計商業化嘅路徑 。
最值得留意嘅係,佈圖設計 首次可以作為貸款抵押品,為國內無晶圓廠設計公司提供咗利用知識產權融資嘅渠道 。呢項規定直接對應咗小型芯片設計公司長期以嚟嘅資金瓶頸問題。
條例亦明確將保護範圍擴展至 光子集成電路同量子集成電路,唔再局限於傳統電子集成電路 ,呢個係面向下一代計算架構嘅前瞻性佈局。
呢次修訂係對美國不斷收緊嘅先進芯片製造設備及技術出口管制嘅直接回應 。北京將呢項舉措定位為推動 科技自給自足 同保護本土芯片知識產權免受外國壓力嘅一部分 。通過提升知識產權保護標準,中國希望激勵本土創新,吸引芯片設計者喺中國嘅法律框架內註冊同商業化佢哋嘅設計 。
中國半導體產業嘅強勁勢頭,為呢次監管改革提供咗經濟背景:
呢套新規將更強嘅知識產權執法同更靈活嘅商業化工具結合埋一齊,目標係創造一個可以支撐中國快速擴張嘅半導體產業、應對外部技術封鎖嘅法律環境。