另一方面，郭魯正嘅上司、SK集團會長崔泰源喺2026年3月同6月多次公開警告，全球記憶體短缺將會持續到2030年，並指出記憶體價格急升可能會損害AI生態系統嘅長遠健康發展。為咗應對呢個短缺，SK海力士宣布未來五年將晶圓產能翻倍，投資100兆韓圜（約643.8億美元）興建新晶片廠，其中包括2029年前建成嘅80兆韓圜（約514.6億美元）NAND工廠。

黃仁勳同Mehrotra嘅警告點樣吻合

三位CEO都一致認為，今次嘅記憶體短缺係結構性問題，唔係週期性嘅庫存調整，而且會持續多年。

共通點： 三位CEO都話短缺係供應面結構性嘅，因為新晶圓廠需時多年先投產，加上AI需求持續飆升，所以唔會喺短期內解決。

支持呢個前景嘅關鍵供需數據

• 晶圓供應缺口： 晶圓供應較需求落後超過20%，預計呢個缺口至少會持續到2030年。
• DRAM價格走勢： 由於供應緊張，記憶體定價已進入「每小時定價」模式。崔泰源警告價格急升可能會損害AI生態系統。
• HBM佔用DRAM產能： HBM（高頻寬記憶體）需求爆炸性增長，客戶已提前數年預留供應。三星報告指出，由於HBM消耗咗越來越多DRAM晶圓產能，需求滿足率已跌至歷史新低。三星記憶體主管Kim Jaejune警告，「顯著短缺」將會持續至少到2027年。
• 創紀錄嘅供應緊張： 三星同SK海力士喺2026年4月發出警告，話供應出現創紀錄嘅緊張情況，客戶已開始預訂2027年嘅記憶體產能。

美光擴大美國投資計劃

2026年7月9日，美光宣布大幅加快美國投資計劃：

• $2500億美元美國目標： 美光將2035年前嘅美國投資目標提高到超過2500億美元，比之前嘅目標有顯著增加，主要受AI記憶體需求帶動。
• 紐約克萊（Clay）廠房： 美光喺紐約克萊嘅大型晶圓廠地盤澆灌咗第一桶混凝土，並提前進入垂直建設階段。呢個廠區計劃最多容納四間晶圓廠，預計將成為美國史上最大嘅半導體製造基地。工程已於2026年1月動工，目標係2030年開始生產。
• 30億美元供應鏈投資： 美光另宣布會增加美國半導體供應鏈投資，加強國內晶片製造基建。（具體嘅30億美元數字細節喺現有搜尋結果中未完全確認，可能係更大計劃嘅一部分。）

結構性短缺嘅成因（預計持續到2030年後）

多個因素疊加造成呢個CEO們認為會持續到2030年之後嘅短缺：

• 多年客戶壓價： 美光CEO Mehrotra直接指出，客戶多年嚟激進嘅價格談判令記憶體定價「大幅下跌」，令業界喺AI需求爆發前長期投資不足。佢話「有啲客戶將我哋行業嘅價格壓到好低」。
• 全新晶圓廠需時長： 新無塵室由動工到投產需時數年——Mehrotra特別向Jim Cramer解釋「業界需要全新產能」，而呢啲項目需時好長。
• AI需求難以滿足： AI對HBM同其他記憶體晶片嘅需求增長遠超業界增產能力。
• 半導體生產結構性限制： SK會長崔泰源提到「半導體生產嘅結構性限制」，認為短缺會持續多四到五年。
• 需求滿足率創新低： 需求滿足率跌至歷史低位，客戶已預訂2027年產能。
• 多年供應鏈瓶頸： 黃仁勳指出，由晶圓到封裝到矽光子，所有環節一齊受限。

另一方面，郭魯正嘅上司、SK集團會長崔泰源喺2026年3月同6月多次公開警告，全球記憶體短缺將會持續到2030年，並指出記憶體價格急升可能會損害AI生態系統嘅長遠健康發展。為咗應對呢個短缺，SK海力士宣布未來五年將晶圓產能翻倍，投資100兆韓圜（約643.8億美元）興建新晶片廠，其中包括2029年前建成嘅80兆韓圜（約514.6億美元）NAND工廠。

黃仁勳同Mehrotra嘅警告點樣吻合

三位CEO都一致認為，今次嘅記憶體短缺係結構性問題，唔係週期性嘅庫存調整，而且會持續多年。

共通點： 三位CEO都話短缺係供應面結構性嘅，因為新晶圓廠需時多年先投產，加上AI需求持續飆升，所以唔會喺短期內解決。

支持呢個前景嘅關鍵供需數據

• 晶圓供應缺口： 晶圓供應較需求落後超過20%，預計呢個缺口至少會持續到2030年。
• DRAM價格走勢： 由於供應緊張，記憶體定價已進入「每小時定價」模式。崔泰源警告價格急升可能會損害AI生態系統。
• HBM佔用DRAM產能： HBM（高頻寬記憶體）需求爆炸性增長，客戶已提前數年預留供應。三星報告指出，由於HBM消耗咗越來越多DRAM晶圓產能，需求滿足率已跌至歷史新低。三星記憶體主管Kim Jaejune警告，「顯著短缺」將會持續至少到2027年。
• 創紀錄嘅供應緊張： 三星同SK海力士喺2026年4月發出警告，話供應出現創紀錄嘅緊張情況，客戶已開始預訂2027年嘅記憶體產能。

美光擴大美國投資計劃

2026年7月9日，美光宣布大幅加快美國投資計劃：

• $2500億美元美國目標： 美光將2035年前嘅美國投資目標提高到超過2500億美元，比之前嘅目標有顯著增加，主要受AI記憶體需求帶動。
• 紐約克萊（Clay）廠房： 美光喺紐約克萊嘅大型晶圓廠地盤澆灌咗第一桶混凝土，並提前進入垂直建設階段。呢個廠區計劃最多容納四間晶圓廠，預計將成為美國史上最大嘅半導體製造基地。工程已於2026年1月動工，目標係2030年開始生產。
• 30億美元供應鏈投資： 美光另宣布會增加美國半導體供應鏈投資，加強國內晶片製造基建。（具體嘅30億美元數字細節喺現有搜尋結果中未完全確認，可能係更大計劃嘅一部分。）

結構性短缺嘅成因（預計持續到2030年後）

多個因素疊加造成呢個CEO們認為會持續到2030年之後嘅短缺：

• 多年客戶壓價： 美光CEO Mehrotra直接指出，客戶多年嚟激進嘅價格談判令記憶體定價「大幅下跌」，令業界喺AI需求爆發前長期投資不足。佢話「有啲客戶將我哋行業嘅價格壓到好低」。
• 全新晶圓廠需時長： 新無塵室由動工到投產需時數年——Mehrotra特別向Jim Cramer解釋「業界需要全新產能」，而呢啲項目需時好長。
• AI需求難以滿足： AI對HBM同其他記憶體晶片嘅需求增長遠超業界增產能力。
• 半導體生產結構性限制： SK會長崔泰源提到「半導體生產嘅結構性限制」，認為短缺會持續多四到五年。
• 需求滿足率創新低： 需求滿足率跌至歷史低位，客戶已預訂2027年產能。
• 多年供應鏈瓶頸： 黃仁勳指出，由晶圓到封裝到矽光子，所有環節一齊受限。