Besi股價受兩個消息拖累:2026年7月6日跌6.7%,因《華爾街日報》指主要客戶推遲混合鍵合技術採用;3月6日曾跌13%,因ZDNet Korea報道JEDEC討論放寬HBM厚度標準。 JEDEC正考慮將HBM4E/HBM5嘅封裝厚度由775微米放寬至約900微米,令記憶體廠商可沿用現有嘅熱壓合技術多一至兩代,從而推遲Besi嘅混合鍵合設備需求。
研究答案

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BE Semiconductor Industries(Besi)嘅股價喺2026年反覆受壓,一方面公司交出亮麗嘅業績,但另一方面行業層面嘅信號顯示,其核心技術混合鍵合(hybrid bonding)喺高頻寬記憶體(HBM)嘅採用時間線正被推遲。簡單講:訂單爆燈,但市場擔心轉型步伐比預期慢。以下係詳細拆解。
2026年7月6日,Besi股價急跌6.7%,收報**€254.80**,因為《華爾街日報》報道有幾個主要客戶推遲採用Besi嘅混合鍵合技術 W。呢次跌勢同今年早段嘅模式一致——2026年3月6日,Besi股價曾急瀉約13%,原因係ZDNet Korea報道JEDEC參與者討論放寬HBM厚度標準,可能減少混合鍵合嘅需求 UW。
Besi喺HBM相關收入嘅核心憂慮,係JEDEC正積極討論提高下一代HBM嘅最大封裝高度,容許記憶體廠商繼續用現有嘅熱壓合技術(TCB),而唔使轉用混合銅鍵合(HCB)。
關鍵影響:如果JEDEC將上限提高到約900微米,記憶體廠商就可以繼續用現有嘅TC鍵合機多一至兩代,先至需要強制轉用混合鍵合,令Besi嘅收入機會推遲幾年 TT。
兩大記憶體廠商正開發降低混合鍵合迫切性嘅封裝創新,不過方向唔同。
Besi喺2026年4月23日公布嘅Q1業績,各項指標都相當強勁:
| 指標 | Q1 2026 | 按年變動 |
|---|---|---|
| 收入 | €1.849億 | +28.3% |
| 訂單(bookings) | €2.697億 | +104.5% |
| 純利 | €5,160萬 | +63.8% |
| 純利率 | 27.9% | 之前21.9% |
| 毛利率 | 63.5% | — |
不過,即使業績咁靚仔,股價仍然受壓——2月底公布Q4業績後曾跌約7% I,然後係3月同7月嘅消息主導式沽售。
Besi嘅基本業務表現好好——訂單按年翻倍、利潤率擴張、管理層上調長遠目標。但股價受壓嘅原因,係一連串有關混合鍵合喺HBM嘅採用步伐正在減慢嘅消息:先係3月JEDEC厚度標準放寬嘅討論,然後係7月直接嘅客戶延遲消息。長遠嚟講,混合鍵合會成為20層以上HBM堆疊嘅必須技術,並且會擴散到邏輯同光電領域,呢個論述冇變;但短期嘅採用時間線被推後,造成咗顯著嘅股價波動。投資者正面對一個強勁嘅現在同一個延遲嘅未來之間嘅權衡。
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Besi股價受兩個消息拖累:2026年7月6日跌6.7%,因《華爾街日報》指主要客戶推遲混合鍵合技術採用;3月6日曾跌13%,因ZDNet Korea報道JEDEC討論放寬HBM厚度標準。
Besi股價受兩個消息拖累:2026年7月6日跌6.7%,因《華爾街日報》指主要客戶推遲混合鍵合技術採用;3月6日曾跌13%,因ZDNet Korea報道JEDEC討論放寬HBM厚度標準。 JEDEC正考慮將HBM4E/HBM5嘅封裝厚度由775微米放寬至約900微米,令記憶體廠商可沿用現有嘅熱壓合技術多一至兩代,從而推遲Besi嘅混合鍵合設備需求。
三星同SK海力士各自開發替代散熱方案——三星嘅混合銅鍵合(HCB)同SK海力士嘅iHBM——都減低咗即時轉用混合鍵合嘅熱管理壓力,不過長遠嚟講混合鍵合仍係20層或以上HBM嘅必須技術。