結構性問題：JEDEC厚度標準討論

Besi喺HBM相關收入嘅核心憂慮，係JEDEC正積極討論提高下一代HBM嘅最大封裝高度，容許記憶體廠商繼續用現有嘅熱壓合技術（TCB），而唔使轉用混合銅鍵合（HCB）。

• 2026年3月初，有報道話業界正討論將20層HBM堆疊（HBM4E、HBM5）嘅目標厚度定為825至900微米，比現行HBM4嘅775微米上限更寬鬆 。
• 2026年3月底，JEDEC已開始「正式討論」放寬標準 。
• 2026年4月1日，TrendForce報道JEDEC計劃將下一代HBM（由HBM4E開始）嘅高度規格放寬至約900微米 。
• 官方JEDEC HBM4標準（JESD270-4）喺2026年2月定稿，封裝厚度上限為775微米——相比之前約720微米已有所放寬，令16層HBM4唔需要用混合鍵合都做到 。

關鍵影響：如果JEDEC將上限提高到約900微米，記憶體廠商就可以繼續用現有嘅TC鍵合機多一至兩代，先至需要強制轉用混合鍵合，令Besi嘅收入機會推遲幾年 。

競爭對手嘅替代方案：iHBM同HCB

兩大記憶體廠商正開發降低混合鍵合迫切性嘅封裝創新，不過方向唔同。

• SK海力士喺2026年5月推出iHBM——一個將冷卻元件直接嵌入HBM封裝嘅散熱方案，基於其成熟嘅MR-MUF技術。公司話可以將熱阻降低30%，計劃用於包括HBM5在內嘅下一代產品 。MR-MUF本身導熱更好、空隙更少 。
• 三星力推混合銅鍵合（HCB），聲稱熱阻比TCB改善超過20%，支援16層或以上堆疊 。三星亦喺ECTC 2026上展示咗對比數據 。
• 關鍵係，三星同SK海力士都推遲咗喺HBM4量產中採用混合鍵合機，截至2026年2月，兩間公司都揀咗用TC鍵合機 。三星計劃喺後期HBM世代部分使用混合鍵合機，而SK海力士就建立咗試產線，正評估Besi嘅設備 。

Besi嘅2026年第一季業績：基本因素強勁

Besi喺2026年4月23日公布嘅Q1業績，各項指標都相當強勁：

• €2.697億嘅訂單比市場預期嘅約€2.5至2.6億高出約4% 。
• Besi管理層預計Q2 2026收入增長30至40% 。
• 收入增長由高階手機、2.5D AI/光電同數據中心需求帶動 。

不過，即使業績咁靚仔，股價仍然受壓——2月底公布Q4業績後曾跌約7% ，然後係3月同7月嘅消息主導式沽售。

管理層指引：樂觀，但同現實有矛盾

• 喺2026年6月18日嘅投資者日，Besi上調長遠收入同經營利潤率目標，理由係「2.5D AI相關數據中心同光電應用需求增加，以及混合鍵合喺邏輯、記憶體同共封裝光學嘅新用例」。
• 管理層指出整體市況同訂單勢頭自「Q2-25以來顯著改善」。
• 公司喺Q1訂單評論中特別提到「混合鍵合表現強勁」。
• 但係，7月6日嘅客戶延遲報告直接同三星期前投資者日嘅正面論述矛盾 。

長遠前景：採用，唔係放棄

• 混合鍵合仍然係20層或以上HBM（HBM4E、HBM5）嘅預期技術——問題係時間，唔係會唔會發生 。業界估算顯示，16層HBM需要晶圓厚度約30微米，而而家12層設計約50微米，喺775微米上限下幾乎冇咩空間 。
• 三星嘅HCB比TCB提供33%更高嘅堆疊能力，支援16層或以上 。
• 如果JEDEC放寬標準至約900微米，記憶體廠商就可以多一至兩代先需要強制用混合鍵合 。
• Besi喺邏輯、光電同共封裝光學嘅非HBM混合鍵合需求仍然強勁，提供咗多元化緩衝 。
• 公司自己上調長遠目標，反映管理層相信混合鍵合最終會跨越多個終端市場被採用，即使HBM時間表有變 。

總結

Besi嘅基本業務表現好好——訂單按年翻倍、利潤率擴張、管理層上調長遠目標。但股價受壓嘅原因，係一連串有關混合鍵合喺HBM嘅採用步伐正在減慢嘅消息：先係3月JEDEC厚度標準放寬嘅討論，然後係7月直接嘅客戶延遲消息。長遠嚟講，混合鍵合會成為20層以上HBM堆疊嘅必須技術，並且會擴散到邏輯同光電領域，呢個論述冇變；但短期嘅採用時間線被推後，造成咗顯著嘅股價波動。投資者正面對一個強勁嘅現在同一個延遲嘅未來之間嘅權衡。

結構性問題：JEDEC厚度標準討論

Besi喺HBM相關收入嘅核心憂慮，係JEDEC正積極討論提高下一代HBM嘅最大封裝高度，容許記憶體廠商繼續用現有嘅熱壓合技術（TCB），而唔使轉用混合銅鍵合（HCB）。

• 2026年3月初，有報道話業界正討論將20層HBM堆疊（HBM4E、HBM5）嘅目標厚度定為825至900微米，比現行HBM4嘅775微米上限更寬鬆 。
• 2026年3月底，JEDEC已開始「正式討論」放寬標準 。
• 2026年4月1日，TrendForce報道JEDEC計劃將下一代HBM（由HBM4E開始）嘅高度規格放寬至約900微米 。
• 官方JEDEC HBM4標準（JESD270-4）喺2026年2月定稿，封裝厚度上限為775微米——相比之前約720微米已有所放寬，令16層HBM4唔需要用混合鍵合都做到 。

關鍵影響：如果JEDEC將上限提高到約900微米，記憶體廠商就可以繼續用現有嘅TC鍵合機多一至兩代，先至需要強制轉用混合鍵合，令Besi嘅收入機會推遲幾年 。

競爭對手嘅替代方案：iHBM同HCB

兩大記憶體廠商正開發降低混合鍵合迫切性嘅封裝創新，不過方向唔同。

• SK海力士喺2026年5月推出iHBM——一個將冷卻元件直接嵌入HBM封裝嘅散熱方案，基於其成熟嘅MR-MUF技術。公司話可以將熱阻降低30%，計劃用於包括HBM5在內嘅下一代產品 。MR-MUF本身導熱更好、空隙更少 。
• 三星力推混合銅鍵合（HCB），聲稱熱阻比TCB改善超過20%，支援16層或以上堆疊 。三星亦喺ECTC 2026上展示咗對比數據 。
• 關鍵係，三星同SK海力士都推遲咗喺HBM4量產中採用混合鍵合機，截至2026年2月，兩間公司都揀咗用TC鍵合機 。三星計劃喺後期HBM世代部分使用混合鍵合機，而SK海力士就建立咗試產線，正評估Besi嘅設備 。

Besi嘅2026年第一季業績：基本因素強勁

Besi喺2026年4月23日公布嘅Q1業績，各項指標都相當強勁：

• €2.697億嘅訂單比市場預期嘅約€2.5至2.6億高出約4% 。
• Besi管理層預計Q2 2026收入增長30至40% 。
• 收入增長由高階手機、2.5D AI/光電同數據中心需求帶動 。

不過，即使業績咁靚仔，股價仍然受壓——2月底公布Q4業績後曾跌約7% ，然後係3月同7月嘅消息主導式沽售。

管理層指引：樂觀，但同現實有矛盾

• 喺2026年6月18日嘅投資者日，Besi上調長遠收入同經營利潤率目標，理由係「2.5D AI相關數據中心同光電應用需求增加，以及混合鍵合喺邏輯、記憶體同共封裝光學嘅新用例」。
• 管理層指出整體市況同訂單勢頭自「Q2-25以來顯著改善」。
• 公司喺Q1訂單評論中特別提到「混合鍵合表現強勁」。
• 但係，7月6日嘅客戶延遲報告直接同三星期前投資者日嘅正面論述矛盾 。

長遠前景：採用，唔係放棄

• 混合鍵合仍然係20層或以上HBM（HBM4E、HBM5）嘅預期技術——問題係時間，唔係會唔會發生 。業界估算顯示，16層HBM需要晶圓厚度約30微米，而而家12層設計約50微米，喺775微米上限下幾乎冇咩空間 。
• 三星嘅HCB比TCB提供33%更高嘅堆疊能力，支援16層或以上 。
• 如果JEDEC放寬標準至約900微米，記憶體廠商就可以多一至兩代先需要強制用混合鍵合 。
• Besi喺邏輯、光電同共封裝光學嘅非HBM混合鍵合需求仍然強勁，提供咗多元化緩衝 。
• 公司自己上調長遠目標，反映管理層相信混合鍵合最終會跨越多個終端市場被採用，即使HBM時間表有變 。

總結

Besi嘅基本業務表現好好——訂單按年翻倍、利潤率擴張、管理層上調長遠目標。但股價受壓嘅原因，係一連串有關混合鍵合喺HBM嘅採用步伐正在減慢嘅消息：先係3月JEDEC厚度標準放寬嘅討論，然後係7月直接嘅客戶延遲消息。長遠嚟講，混合鍵合會成為20層以上HBM堆疊嘅必須技術，並且會擴散到邏輯同光電領域，呢個論述冇變；但短期嘅採用時間線被推後，造成咗顯著嘅股價波動。投資者正面對一個強勁嘅現在同一個延遲嘅未來之間嘅權衡。