SK海力士於2026年7月2日宣布,計劃投資100萬億韓圜(約644億美元)在南韓擴建NAND快閃記憶體及先進封裝晶圓廠,係南韓整個半導體戰略嘅核心部分。 南韓總統李在明於6月29日公布一項涉及超過5千億美元嘅全國半導體及AI投資計劃,形容為「國家生存戰略」,三星及SK海力士將各自興建兩座新晶圓廠。

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喺2026年6月尾至7月初,南韓公布咗歷史上最大規模嘅聯合半導體投資計劃之一。SK海力士宣布投資644億美元擴建,總統李在明將之定性為「國家生存戰略」,但三星電子同SK海力士股價隨即下跌,因為投資者擔心供應過剩。同一時間,「大賣空」投資者Michael Burry將AI晶片升浪稱為「終結的開始」,並針對呢啲投資計劃開咗新嘅淡倉 。
喺2026年7月2日,SK海力士表示會投資100萬億韓圜(644億美元),用於擴建南韓嘅記憶體晶片生產設施,包括新型NAND快閃記憶體晶圓廠同先進封裝設施 。行政總裁郭魯正表示呢個計劃係南韓大規模投資行動嘅一部分,旨在把握AI需求嘅機遇
。呢個644億美元嘅數字,係整合咗2025年至2026年初公布嘅多項承諾:
清州M17工廠係整個路線圖中最大嘅單一項目。SK海力士更廣泛嘅計劃仲包括20萬億韓圜用於一個晶片封裝設施,預計2027年底前完成 。
呢個公布係一個更大嘅國家戰略嘅一部分。喺2026年6月29日,南韓總統李在明公布咗一個全面嘅AI同半導體工業計劃 。重點如下:
唔同媒體報道嘅總投資金額有出入,原因係有啲只計晶圓廠建設,有啲就包埋企業AI基礎設施嘅整體開支。路透社引用嘅晶片聯合投資金額係5760億美元 。《華爾街日報》報道三星同SK海力士單係四座新晶圓廠就會用超過5000億美元
。彭博將企業AI投資總額定為1350萬億韓圜(8800億美元)
。計劃中仲有一個目標:五年內將南韓記憶體晶片產能提升一倍
。
喺2026年6月29日,即超級計劃公布當日,市場反應明顯負面:
Michael Burry — 因為準確預測2008年樓市泡沫爆破而喺電影《大賣空》中被描繪嘅投資者 — 喺2026年6月底/7月初明確表示睇淡半導體同AI升浪。
喺佢2026年6月29日嗰周出版嘅**「Cassandra Unchained」** Substack通訊中,Burry將AI晶片升浪稱為**「終結的開始」** 。佢認為咁大規模嘅資本開支 — 包括南韓超過5000億美元嘅計劃 — 係AI周期嘅**「高峰信號」,歷史上,當投資出現狂熱跡象,通常就係泡沫頂部嘅標誌
。佢明確將當前情況類比為科網泡沫,話「歷史重演」**,並將當前晶片升浪同科網時代嘅絕對頂峰比較
。
Burry由2025年開始就一直就AI供應過剩風險發出警告。
喺2026年6月底,Burry開咗新嘅淡倉,唔單止針對半導體板塊,仲特別做淡Caterpillar(AI基建嘅代替指標)、Tesla同Applied Materials 。佢以每股1060.98美元嘅價格做淡Caterpillar,接近其歷史高位,而該股喺隨後嘅交易日隨即下跌
。
南韓呢次由三星同SK海力士主導、政府支持嘅半導體超級大計,係歷史上最大規模嘅聯合晶片投資行動,總額遠遠超過5000億美元。市場嘅即時反應係審慎:股價因為擔心供應過剩而下跌。Michael Burry嘅睇淡立場正正係建基於同一邏輯:佢認為呢次前所未有嘅產能擴張係一個經典信號,顯示AI投資周期正在見頂。呢個賭注最終會唔會贏,就要睇AI需求係咪能夠持續高速增長,足以吸納即將湧現嘅大量新記憶體晶片。
以上報道綜合路透社、彭博、CNBC、華爾街日報、財富雜誌、商業內幕等2026年6月底至7月初嘅已核實來源。
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SK海力士於2026年7月2日宣布,計劃投資100萬億韓圜(約644億美元)在南韓擴建NAND快閃記憶體及先進封裝晶圓廠,係南韓整個半導體戰略嘅核心部分。
SK海力士於2026年7月2日宣布,計劃投資100萬億韓圜(約644億美元)在南韓擴建NAND快閃記憶體及先進封裝晶圓廠,係南韓整個半導體戰略嘅核心部分。 南韓總統李在明於6月29日公布一項涉及超過5千億美元嘅全國半導體及AI投資計劃,形容為「國家生存戰略」,三星及SK海力士將各自興建兩座新晶圓廠。
消息公布當日,三星電子股價急跌4.8%,SK海力士一度跌近6%,市場憂慮大規模擴產會導致供應過剩,觸發全球科技股拋售。