美國指控ASML最頂級EUV光刻機疑流入中國 ASML否認 新法案堵漏洞

美國官員引用嘅證據

美國憂慮背後嘅具體證據至今未有公開詳情。最先報道呢件事嘅《彭博新聞》係引述「知情人士」嘅講法，但冇描述到任何情報、航運記錄或者其他令盧特尼克介入嘅證據 。公開嘅報道入面，冇任何確認中國有EUV系統嘅目擊報告、冇被截獲嘅貨物、亦冇未經授權安裝嘅維修記錄。

不過，懷疑背後可能同以下背景有關：2025年12月，《路透社》報道話中國研究人員喺深圳成功研發出一個EUV光刻機嘅原型，形容呢個係中國嘅「曼哈頓計劃」，要喺AI晶片領域同西方競爭 。另外，有分析認為，部分可以用喺國產EUV研發嘅雙用途或限制較少嘅零部件，追蹤上有困難 。不過，呢啲發展同今次指控有冇直接關聯，仲未證實。

出口限制同《MATCH法案》嘅更大背景

• 現有EUV禁令：美國主導嘅出口管制已經禁止ASML向中國運送EUV系統。如果指控屬實，呢個將會係長期禁令嘅一次違規 。
• DUV管制（現狀）：較唔先進嘅深紫外光（DUV）浸沒式光刻機，可以生產到7納米節點嘅晶片，目前仍然有出口去中國，係下一波限制嘅主要目標 。
• 《MATCH法案》：2026年4月初，美國跨黨派國會議員提出咗《多邊技術控制硬體協調法案》（MATCH Act，H.R. 8170）。主要內容包括：
  • 全面禁止向中國等「關注國家」境內銷售「關鍵節點」半導體製造設備，包括DUV浸沒式光刻機同低溫蝕刻工具 。
  • 要求荷蘭、日本等盟國喺150日內，將出口限制同美國規則睇齊，否則美國會單方面擴大《外國直接產品規則》（Foreign Direct Product Rule）嘅管轄權，涵蓋所有含有美國技術嘅設備 。
  • 禁止為中國境內已經安裝嘅DUV機器提供維修服務 。
  • 呢個法案喺2026年4月下旬已經通過咗眾議院外交事務委員會，並作為更廣泛出口管制措施嘅一部分推進 。
  • 委員會表決前部分內容有縮減（例如全國範圍嘅低溫蝕刻工具禁令被刪除），但係針對DUV嘅限制維持不變 。

簡單講，《MATCH法案》係想將而家行政部門嘅出口管制變成法律，擴大禁令範圍，堵住DUV呢個漏洞，同時向盟國施壓要求配合——呢啲全部發生喺美國指控ASML可能違規出口EUV嘅同時，顯示就算最嚴格嘅現有禁令都面臨執法挑戰。