Micron：全球記憶體晶片荒或持續到 2028 年

HBM 成為市場最緊缺的記憶體

今輪記憶體緊缺其中一個核心原因，是 高頻寬記憶體（HBM）。

HBM 是一種堆疊式記憶體，通常與 AI GPU 一起封裝，用於 AI 訓練與推理運算。相比傳統 DRAM，它製造難度更高，需要：

• 更大的晶片面積
• 更先進封裝技術
• 額外晶圓產能

因為製造流程更複雜，HBM 每顆晶片消耗的製造資源遠高於普通記憶體。當晶片廠優先生產這些高價值 AI 產品時，市場上可用於 PC、手機等產品的 DRAM 產能就會減少。

不少業界報告亦指出，未來幾年的 HBM 產能其實已經被大型 AI 客戶 提前預訂，進一步加劇供應緊張。

為何新供應要等到 2028 年

即使晶片公司投入巨額資金擴產，半導體工廠從建設到真正量產需要相當長時間。

建立一座先進記憶體晶圓廠通常需要以下幾個階段：

1. 建設晶圓廠設施
2. 安裝製造設備
3. 製程調校與良率提升
4. 客戶認證與產品驗證

整個流程往往需要數年。Micron 指，即使新的晶圓廠在 2027 年開始運作，也要再過一段時間才會產生能改變市場供應的「實質產量」，因此真正緩解供應壓力可能要到 2027–2028 年之後。

Micron 的 2000 億美元擴產計劃

為應對 AI 帶來的長期需求，Micron 宣布在美國展開大規模投資。

公司計劃投入約 2000 億美元 發展半導體製造與研發，其中約 1500 億美元用於記憶體生產，500 億美元用於研發。

主要項目包括：

• Idaho（Boise）：興建新一代記憶體晶圓廠
• New York：打造最多四座晶圓廠的超大型晶片園區
• Virginia：升級現有 Manassas 工廠

其中 New York 項目有機會成為 美國史上最大規模的半導體製造基地之一。

不過即使項目順利推進，新產能仍需多年才會對全球市場產生實質影響。例如 Idaho 首座新廠預計約在 2027 年 才開始投產。

業界普遍預期供應緊張持續多年

Micron 的看法並非個別意見。Samsung 和 SK Hynix 等主要記憶體廠亦警告，AI 相關記憶體需求正以極快速度增加，而供應難以短期追上。

部分業界人士甚至認為，隨着全球 AI 數據中心持續擴張，晶圓產能不足問題可能延續多年。

對手機與消費電子市場的影響

AI 記憶體需求上升，亦開始影響其他電子產品。

由於晶片廠傾向把產能分配給利潤更高的 AI 記憶體產品，PC、智能手機及其他消費電子產品使用的 DRAM 供應變得更緊張。

結果可能包括：

• 記憶體價格上升
• 電子產品成本增加
• 製造商利潤受壓

記憶體產業可能進入 AI 超級周期

Micron 管理層認為，今次記憶體短缺並非傳統半導體周期波動，而是 AI 改變了整個需求結構。

隨着 AI 模型規模持續擴大、數據中心建設加速，以及 HBM 等高端記憶體需求急升，市場可能進入一個持續數年的 AI 驅動記憶體超級周期。

在新晶圓廠全面投產之前，全球記憶體供應很可能仍會維持緊張狀態。對科技產業而言，記憶體正逐漸成為下一個關鍵資源瓶頸。