上海臨港對第四代半導體嘅做法，可以概括成一句：市場未到，先將條路鋪好。

上海喺2024年3月率先將第四代半導體列入未來產業培育重點，臨港喺2025年5月啟動相關未來產業集聚區，去到2026年7月再公布首份專門嘅集聚區建設行動方案。方案訂下目標：到2028年集聚不少於50間相關企業，產業規模力爭突破人民幣50億元。18

不過，呢個唔代表第四代半導體即將喺短期內大規模商用。相反，臨港而家做緊嘅，更似係一個面向長周期嘅「投資、觀察同工程驗證」階段：趁需求真正形成之前，先減少技術由實驗室走到市場時遇到嘅摩擦。7

三步棋：由定方向到建集群

臨港嘅布局大致分三步：

• 2024年3月：政策先行。 上海喺內地率先將第四代半導體列為未來產業重點，開始由材料、器件、工藝到應用作全鏈條布局。28
• 2025年5月：設立產業集聚區。 臨港啟動全國首個第四代半導體未來產業集聚區，將政策方向轉化成具體嘅產業承載空間。811
• 2026年7月：推出行動方案。 《第四代半導體未來產業集聚區建設行動方案（2026—2028年）》提出企業數量同產業規模目標，並規劃由基礎研究、技術攻關、概念驗證、工程化驗證，一路去到場景示範同規模化應用嘅培育鏈。116

方案將重點材料分成兩大方向：

1. 超寬禁帶半導體：以氧化鎵（Ga₂O₃）、金剛石同氮化鋁（AlN）為代表；
2. 超窄禁帶半導體：以銻化銦（InSb）同銻化鎵（GaSb）為代表。1

呢啲材料對應嘅潛在用途，包括高壓功率器件、射頻通信、深紫外光電、紅外探測、量子傳感，以及極端環境電子等領域。1

截至2026年，臨港已經聚集十幾間相關材料同器件企業，涵蓋氧化鎵、金剛石、氮化鋁同銻化物等方向；報道指，相關企業數目佔上海同類企業一半以上。26

點解市場未成熟，都要先投資？

臨港睇中嘅，係半導體產業嘅「時間窗口」。一種新材料要真正形成產業，唔係等材料本身成熟就夠，仲要同步建立器件設計、製造工藝、設備、供應鏈同下游應用。如果等到市場需求明朗先開始補齊呢啲環節，可能已經錯過建立競爭優勢嘅時機。2

但第四代半導體嘅技術周期本身相當長。以氧化鎵為例，相關器件嘅首個公開成果直到2012年先出現；上海方面參考第三代半導體嘅發展路徑估計，實際應用可能要到2040年之後。7

所以，臨港並唔係將第四代半導體包裝成即刻可以取代現有材料嘅成熟產品，而係先做技術篩選同工程驗證。到2028年，真正值得觀察嘅指標，可能包括企業數量、材料同器件樣品、試驗線、應用示範，以及資本同客戶關係，而唔單止係氧化鎵有冇已經大規模上市。17

換句話講，臨港想將「等市場成熟」嘅時間，變成累積工程能力、產業關係同客戶反饋嘅時間。

氧化鎵有咩吸引力？高壓應用同潛在成本優勢

氧化鎵係臨港重點關注嘅超寬禁帶材料之一。相關企業將佢定位喺中高壓至特高壓功率器件，認為喺新能源車、超高壓電網等場景，碳化矽等第三代半導體面對更高電壓時可能遇到耐壓限制，而氧化鎵就有機會向更高電壓方向發展。49

成本亦係呢條技術路線嘅重要吸引力。報道指，氧化鎵可以採用液相或熔體相關方法製備；相對碳化矽較為嚴苛嘅氣相製備路線，規模化之後理論上可能有整倍數級別嘅降本空間。753

但要留意，呢度講嘅「降本」係對未來規模化生產嘅技術預期，唔係已經由市場價格證實嘅結果。晶體質量、缺陷控制、外延工藝、器件可靠性、產能同良率，全部都會影響氧化鎵幾時可以真正商業化。

除咗功率器件，臨港亦留意高頻通信濾波器等用途。相關報道認為，現有材料喺未來高頻通信元件上可能逐步接近物理性能極限，令系統廠商有需要尋找新材料同新器件架構。7

至於金剛石、氮化鋁同銻化物，就分別可能對應高功率散熱、射頻、深紫外同紅外等方向。不過，各種材料嘅技術成熟度同商業化路徑並唔一樣，唔可以當成同一條即將量產嘅路線。

司南孵化器：將「論文」推近「產品」

臨港搭建嘅唔係一間單獨實驗室，而係一個將科研、技術驗證、製造、應用同資本串埋一齊嘅產業化網絡。

司南半導體超級孵化器聚焦車規級芯片同寬禁帶半導體，採用「創新資源導入＋專業服務＋園區資源＋孵化投資聯動＋跟投激勵」嘅模式。3637

佢牽頭建設嘅超寬禁帶半導體概念驗證中心，涵蓋前沿材料製備、器件設計、工藝製造驗證、測試同市場論證，目標係同時判斷一個項目嘅技術可行性同商業潛力。37

傳統科研轉化往往係「先發表成果，再搵客戶」。臨港想做嘅，就係將產業需求提早帶入研發過程：由器件設計同工藝驗證階段開始，逐步完成樣品測試、試製路徑、應用測試同商業化評估。537

資本機制亦係其中一環。臨港探索「撥改投」，嘗試將部分科技支持由無償資助轉成較接近股權投資嘅方式；2025年首批已有8個創新試點項目簽約，顯示呢個機制已經由概念進入實際操作。33

另外，臨港啟航基金被報道為5億元規模、面向種子期同初創企業嘅天使基金。不過，現有資料顯示佢係服務臨港早期科技企業嘅綜合性資金，未能證實只會投資第四代半導體項目。33

司南孵化器嘅一個案例，亦反映出「孵化器加應用場景」嘅工作方式。由上海交通大學團隊創立嘅芯擎宇能進入孵化體系後，獲得資本對接、潔淨實驗室、中試線建設、設備供應商同工業場景等支援，並同寶鋼熱軋廠推進工業餘熱回收技術驗證。22

不過，呢個案例本身係熱電芯片項目，唔可以直接當成第四代半導體已經實現商業化嘅證據。佢更能夠說明嘅係：臨港點樣組織科研成果，令項目由實驗室逐步接觸到試製、客戶需求同市場驗證。

2028年，真正要睇乜？

臨港嘅目標唔係喺兩年內證明所有第四代半導體都可以量產，而係建立一個夠密集嘅材料、器件、工藝、設備同應用生態。

如果到2028年，臨港可以形成50間以上企業、公共研發同中試驗證能力、持續嘅應用示範，以及由早期資本同客戶接力組成嘅產業網絡，當氧化鎵、金剛石、氮化鋁或銻化物跨過性能同成本門檻時，就有機會更快進入商業化階段。15

當然，呢套策略亦有風險：技術周期可能長過政策周期，部分材料亦可能長期停留喺實驗室或者小規模驗證階段。對臨港而言，最關鍵嘅唔係提早宣布成功，而係能唔能夠持續用真實測試、試生產同客戶需求，篩走不可行路線，再將最有潛力嘅項目推向可複製、可交付嘅產品。

上海臨港對第四代半導體嘅做法，可以概括成一句：市場未到，先將條路鋪好。

上海喺2024年3月率先將第四代半導體列入未來產業培育重點，臨港喺2025年5月啟動相關未來產業集聚區，去到2026年7月再公布首份專門嘅集聚區建設行動方案。方案訂下目標：到2028年集聚不少於50間相關企業，產業規模力爭突破人民幣50億元。18

不過，呢個唔代表第四代半導體即將喺短期內大規模商用。相反，臨港而家做緊嘅，更似係一個面向長周期嘅「投資、觀察同工程驗證」階段：趁需求真正形成之前，先減少技術由實驗室走到市場時遇到嘅摩擦。7

三步棋：由定方向到建集群

臨港嘅布局大致分三步：

• 2024年3月：政策先行。 上海喺內地率先將第四代半導體列為未來產業重點，開始由材料、器件、工藝到應用作全鏈條布局。28
• 2025年5月：設立產業集聚區。 臨港啟動全國首個第四代半導體未來產業集聚區，將政策方向轉化成具體嘅產業承載空間。811
• 2026年7月：推出行動方案。 《第四代半導體未來產業集聚區建設行動方案（2026—2028年）》提出企業數量同產業規模目標，並規劃由基礎研究、技術攻關、概念驗證、工程化驗證，一路去到場景示範同規模化應用嘅培育鏈。116

方案將重點材料分成兩大方向：

1. 超寬禁帶半導體：以氧化鎵（Ga₂O₃）、金剛石同氮化鋁（AlN）為代表；
2. 超窄禁帶半導體：以銻化銦（InSb）同銻化鎵（GaSb）為代表。1

呢啲材料對應嘅潛在用途，包括高壓功率器件、射頻通信、深紫外光電、紅外探測、量子傳感，以及極端環境電子等領域。1

截至2026年，臨港已經聚集十幾間相關材料同器件企業，涵蓋氧化鎵、金剛石、氮化鋁同銻化物等方向；報道指，相關企業數目佔上海同類企業一半以上。26

點解市場未成熟，都要先投資？

臨港睇中嘅，係半導體產業嘅「時間窗口」。一種新材料要真正形成產業，唔係等材料本身成熟就夠，仲要同步建立器件設計、製造工藝、設備、供應鏈同下游應用。如果等到市場需求明朗先開始補齊呢啲環節，可能已經錯過建立競爭優勢嘅時機。2

但第四代半導體嘅技術周期本身相當長。以氧化鎵為例，相關器件嘅首個公開成果直到2012年先出現；上海方面參考第三代半導體嘅發展路徑估計，實際應用可能要到2040年之後。7

所以，臨港並唔係將第四代半導體包裝成即刻可以取代現有材料嘅成熟產品，而係先做技術篩選同工程驗證。到2028年，真正值得觀察嘅指標，可能包括企業數量、材料同器件樣品、試驗線、應用示範，以及資本同客戶關係，而唔單止係氧化鎵有冇已經大規模上市。17

換句話講，臨港想將「等市場成熟」嘅時間，變成累積工程能力、產業關係同客戶反饋嘅時間。

氧化鎵有咩吸引力？高壓應用同潛在成本優勢

氧化鎵係臨港重點關注嘅超寬禁帶材料之一。相關企業將佢定位喺中高壓至特高壓功率器件，認為喺新能源車、超高壓電網等場景，碳化矽等第三代半導體面對更高電壓時可能遇到耐壓限制，而氧化鎵就有機會向更高電壓方向發展。49

成本亦係呢條技術路線嘅重要吸引力。報道指，氧化鎵可以採用液相或熔體相關方法製備；相對碳化矽較為嚴苛嘅氣相製備路線，規模化之後理論上可能有整倍數級別嘅降本空間。753

但要留意，呢度講嘅「降本」係對未來規模化生產嘅技術預期，唔係已經由市場價格證實嘅結果。晶體質量、缺陷控制、外延工藝、器件可靠性、產能同良率，全部都會影響氧化鎵幾時可以真正商業化。

除咗功率器件，臨港亦留意高頻通信濾波器等用途。相關報道認為，現有材料喺未來高頻通信元件上可能逐步接近物理性能極限，令系統廠商有需要尋找新材料同新器件架構。7

至於金剛石、氮化鋁同銻化物，就分別可能對應高功率散熱、射頻、深紫外同紅外等方向。不過，各種材料嘅技術成熟度同商業化路徑並唔一樣，唔可以當成同一條即將量產嘅路線。

司南孵化器：將「論文」推近「產品」

臨港搭建嘅唔係一間單獨實驗室，而係一個將科研、技術驗證、製造、應用同資本串埋一齊嘅產業化網絡。

司南半導體超級孵化器聚焦車規級芯片同寬禁帶半導體，採用「創新資源導入＋專業服務＋園區資源＋孵化投資聯動＋跟投激勵」嘅模式。3637

佢牽頭建設嘅超寬禁帶半導體概念驗證中心，涵蓋前沿材料製備、器件設計、工藝製造驗證、測試同市場論證，目標係同時判斷一個項目嘅技術可行性同商業潛力。37

傳統科研轉化往往係「先發表成果，再搵客戶」。臨港想做嘅，就係將產業需求提早帶入研發過程：由器件設計同工藝驗證階段開始，逐步完成樣品測試、試製路徑、應用測試同商業化評估。537

資本機制亦係其中一環。臨港探索「撥改投」，嘗試將部分科技支持由無償資助轉成較接近股權投資嘅方式；2025年首批已有8個創新試點項目簽約，顯示呢個機制已經由概念進入實際操作。33

另外，臨港啟航基金被報道為5億元規模、面向種子期同初創企業嘅天使基金。不過，現有資料顯示佢係服務臨港早期科技企業嘅綜合性資金，未能證實只會投資第四代半導體項目。33

司南孵化器嘅一個案例，亦反映出「孵化器加應用場景」嘅工作方式。由上海交通大學團隊創立嘅芯擎宇能進入孵化體系後，獲得資本對接、潔淨實驗室、中試線建設、設備供應商同工業場景等支援，並同寶鋼熱軋廠推進工業餘熱回收技術驗證。22

不過，呢個案例本身係熱電芯片項目，唔可以直接當成第四代半導體已經實現商業化嘅證據。佢更能夠說明嘅係：臨港點樣組織科研成果，令項目由實驗室逐步接觸到試製、客戶需求同市場驗證。

2028年，真正要睇乜？

臨港嘅目標唔係喺兩年內證明所有第四代半導體都可以量產，而係建立一個夠密集嘅材料、器件、工藝、設備同應用生態。

如果到2028年，臨港可以形成50間以上企業、公共研發同中試驗證能力、持續嘅應用示範，以及由早期資本同客戶接力組成嘅產業網絡，當氧化鎵、金剛石、氮化鋁或銻化物跨過性能同成本門檻時，就有機會更快進入商業化階段。15

當然，呢套策略亦有風險：技術周期可能長過政策周期，部分材料亦可能長期停留喺實驗室或者小規模驗證階段。對臨港而言，最關鍵嘅唔係提早宣布成功，而係能唔能夠持續用真實測試、試生產同客戶需求，篩走不可行路線，再將最有潛力嘅項目推向可複製、可交付嘅產品。