AI 伺服器搶記憶體，三星電子據報作出嘅選擇唔係「放棄 DDR5」，而係重排後段製程產能：把新增、較常規嘅 DDR5 記憶體模組同部分 SSD 組裝及測試交畀外判半導體封裝測試（OSAT）夥伴，自家喺韓國嘅有限空間則優先留畀 AI 硬件急需嘅高頻寬記憶體（HBM）同先進封裝。814

外判嘅係新增產能，不是 DDR5 業務本身

據業界報道，三星要求 OSAT 合作夥伴擴充傳統記憶體模組產線，用以承接新增需求，包括供 PC、手提電腦同伺服器使用嘅 DDR5 模組，以及部分 SSD 工作。89

幾個據報參與擴產嘅夥伴，反映三星把常規後段工序分散到海外：

• Dreamtech 正擴充印度諾伊達（Noida）廠嘅 DDR5 模組產線。8
• Hanyang Digitech 正加碼越南廠嘅設備及自動化投資。11
• SFA Semicon 據報將三星溫陽部分 DDR5 測試及模組設備移往菲律賓，以承接更多外判工作量。11

重點係，三星並非不再供應傳統記憶體，而係唔打算為每一輪 DDR5 模組需求增長，都動用自家韓國後段廠去擴產。

點解 DDR5 可外判，HBM 就要爭自家產能？

DDR5 模組組裝相對標準化：將已封裝嘅 DRAM 元件、被動元件安裝到印刷電路板（PCB），再做測試驗證。呢類工序適合交由具規模同品質能力嘅 OSAT 廠處理。5

HBM 就複雜得多。佢涉及多層記憶體晶粒堆疊、專用互連與鍵合、散熱，以及更嚴格嘅測試流程。隨住 AI 加速器需求上升，關鍵樽頸唔只係 DRAM 晶圓供應，而係有冇足夠先進封裝產能，將晶粒製成 HBM 成品。現有廠房面積同設備自然變成兵家必爭。

天安、溫陽：逐步轉為 HBM 重鎮

三星據報正重新分配天安及溫陽園區嘅封裝空間和設備，轉投 HBM 與先進封裝產線。據報公司正籌備喺溫陽興建一個投資約 6 兆韓圜、以 HBM 為主嘅新設施，但完成需時數年。8

天安亦屬近期調整一環。業界報道指，三星會逐步縮減當地 Exynos 手機應用處理器（AP）嘅封裝工作，並把相關設備改作 HBM 封裝；轉換期間，既有 Exynos 產品仍可能繼續喺該廠處理。1233

此外，三星亦被報道會在天安及溫陽投入合共 56 兆韓圜，建立新一代 HBM 生產基地。3744 因此，6 兆韓圜嘅溫陽項目應視為更大規模 HBM 擴張布局中一個具體報道項目，而非整個區域投資額。

越南廠：補足常規 DRAM、NAND 測試

三星計劃喺越南設立嘅半導體測試廠，角色係配合韓國 HBM 擴張，而唔係取代韓國嘅 HBM 生產。路透社查閱嘅公司提案顯示，呢個位於越南北部、投資 15 億美元嘅設施，將集中測試 DRAM 與 NAND 晶片，預定於 2027 年 11 月投入運作。17

另有報道指，三星正考慮把部分通用 DRAM 和 NAND 嘅封裝、測試工作，由天安及溫陽轉往越南。若成事，可將較成熟嘅後段工序外移，騰出韓國產能畀 HBM；不過，三星未有公開確認詳細轉移安排。1821

對消費者同伺服器市場意味住咩？

呢個策略核心係「產能分工」，唔係 DDR5 退場。三星仍要服務 PC、伺服器及其他傳統記憶體客戶；據報改動針對嘅，是新增模組組裝及測試產能，而唔係停止 DDR5 產品或 DRAM 製造。89

AI 熱潮改變咗記憶體供應鏈嘅價值排序：HBM 封裝愈來愈係限制擴產速度嘅關鍵。三星據報透過外判常規工序、改裝現有設備，再加上新廠投資，優先取得 HBM 產能。至於每間合作夥伴實際承接多少產量、設備何時完成轉移，現階段不少細節仍主要來自業界消息，日後仍可能調整。812

AI 伺服器搶記憶體，三星電子據報作出嘅選擇唔係「放棄 DDR5」，而係重排後段製程產能：把新增、較常規嘅 DDR5 記憶體模組同部分 SSD 組裝及測試交畀外判半導體封裝測試（OSAT）夥伴，自家喺韓國嘅有限空間則優先留畀 AI 硬件急需嘅高頻寬記憶體（HBM）同先進封裝。814

外判嘅係新增產能，不是 DDR5 業務本身

據業界報道，三星要求 OSAT 合作夥伴擴充傳統記憶體模組產線，用以承接新增需求，包括供 PC、手提電腦同伺服器使用嘅 DDR5 模組，以及部分 SSD 工作。89

幾個據報參與擴產嘅夥伴，反映三星把常規後段工序分散到海外：

• Dreamtech 正擴充印度諾伊達（Noida）廠嘅 DDR5 模組產線。8
• Hanyang Digitech 正加碼越南廠嘅設備及自動化投資。11
• SFA Semicon 據報將三星溫陽部分 DDR5 測試及模組設備移往菲律賓，以承接更多外判工作量。11

重點係，三星並非不再供應傳統記憶體，而係唔打算為每一輪 DDR5 模組需求增長，都動用自家韓國後段廠去擴產。

點解 DDR5 可外判，HBM 就要爭自家產能？

DDR5 模組組裝相對標準化：將已封裝嘅 DRAM 元件、被動元件安裝到印刷電路板（PCB），再做測試驗證。呢類工序適合交由具規模同品質能力嘅 OSAT 廠處理。5

HBM 就複雜得多。佢涉及多層記憶體晶粒堆疊、專用互連與鍵合、散熱，以及更嚴格嘅測試流程。隨住 AI 加速器需求上升，關鍵樽頸唔只係 DRAM 晶圓供應，而係有冇足夠先進封裝產能，將晶粒製成 HBM 成品。現有廠房面積同設備自然變成兵家必爭。

天安、溫陽：逐步轉為 HBM 重鎮

三星據報正重新分配天安及溫陽園區嘅封裝空間和設備，轉投 HBM 與先進封裝產線。據報公司正籌備喺溫陽興建一個投資約 6 兆韓圜、以 HBM 為主嘅新設施，但完成需時數年。8

天安亦屬近期調整一環。業界報道指，三星會逐步縮減當地 Exynos 手機應用處理器（AP）嘅封裝工作，並把相關設備改作 HBM 封裝；轉換期間，既有 Exynos 產品仍可能繼續喺該廠處理。1233

此外，三星亦被報道會在天安及溫陽投入合共 56 兆韓圜，建立新一代 HBM 生產基地。3744 因此，6 兆韓圜嘅溫陽項目應視為更大規模 HBM 擴張布局中一個具體報道項目，而非整個區域投資額。

越南廠：補足常規 DRAM、NAND 測試

三星計劃喺越南設立嘅半導體測試廠，角色係配合韓國 HBM 擴張，而唔係取代韓國嘅 HBM 生產。路透社查閱嘅公司提案顯示，呢個位於越南北部、投資 15 億美元嘅設施，將集中測試 DRAM 與 NAND 晶片，預定於 2027 年 11 月投入運作。17

另有報道指，三星正考慮把部分通用 DRAM 和 NAND 嘅封裝、測試工作，由天安及溫陽轉往越南。若成事，可將較成熟嘅後段工序外移，騰出韓國產能畀 HBM；不過，三星未有公開確認詳細轉移安排。1821

對消費者同伺服器市場意味住咩？

呢個策略核心係「產能分工」，唔係 DDR5 退場。三星仍要服務 PC、伺服器及其他傳統記憶體客戶；據報改動針對嘅，是新增模組組裝及測試產能，而唔係停止 DDR5 產品或 DRAM 製造。89

AI 熱潮改變咗記憶體供應鏈嘅價值排序：HBM 封裝愈來愈係限制擴產速度嘅關鍵。三星據報透過外判常規工序、改裝現有設備，再加上新廠投資，優先取得 HBM 產能。至於每間合作夥伴實際承接多少產量、設備何時完成轉移，現階段不少細節仍主要來自業界消息，日後仍可能調整。812