AI 伺服器對高頻寬記憶體（HBM）需求急升，據報三星電子正採取「兩條腿走路」的做法：把新增 DDR5 記憶體模組及 SSD 的組裝、測試量交予外判半導體封裝與測試（OSAT）夥伴，自己則保留有限的內部後段產能，集中做 HBM4 和先進封裝。

目的不是放棄傳統記憶體，而是在擴大 AI 記憶體產出的同時，盡量避免 PC、手提電腦及伺服器客戶突然缺少已完成的 DDR5 模組和 SSD 成品。710

不過，最重要的分別要先講清楚：外判組裝測試，不等於新增 DRAM 或 NAND 晶圓產能。它可以紓緩成品後段加工的樽頸，卻無法完全抵銷整個行業把更多 DRAM 資源投向 HBM 所帶來的供應壓力。946

三星實際外判咩？

報道所指，是三星把額外的 DDR5 模組與 SSD 組裝、測試工作交予外部合作夥伴，而非自行擴建相關後段生產線。簡單講，合作夥伴會把已生產的記憶體或儲存元件裝上電路板、完成測試，再將成品準備出貨。

這跟把 DRAM 或 NAND 晶片的晶圓製造外判，是兩回事。914

對買家而言，這代表夥伴的後段產能若能順利擴充，三星即使調整自家廠房重心，仍有機會維持 DIMM 記憶體模組和 SSD 成品的供應。但上游的 DRAM、NAND die 供應是否足夠，仍然是另一條問題。

Cheonan、Onyang 點解成為關鍵？

據報三星後段產能的空間及設備相當緊張。公司正重整韓國 Cheonan（天安）的後段業務，包括逐步把部分原先用於 Exynos 手機應用處理器封裝的工作，轉為 HBM 封裝用途。1019

另一方面，Onyang（溫陽）的擴建亦被報道與 HBM 導向的封裝產能有關。兩地調整後，更多三星內部能力可投放到 HBM 所需的堆疊、整合及測試流程，這些正是 AI 加速器所用 HBM 的核心後段工序。1820

要留意，這些仍屬業界報道，並非三星完整公開的產能藍圖。不過，現有報道的方向一致：較容易移交予合作夥伴的，是傳統模組與 SSD 的組裝；而 HBM 的高階後段工序，則仍是三星內部擴產的重點。710

HBM4 良率升至約 80%，加快放量的條件更成熟

TrendForce 引述業界報道指，三星 HBM4 良率已由量產初期不足 60%，升至約 80%。所謂良率，就是生產出來並通過測試、可供出售的產品比例；良率愈高，代表可交貨單位愈多，擴大產量也更具可行性。29

三星亦曾在業績相關發言中表示，第三季 HBM4 收入會較上一季增加逾兩倍，而 HBM4 預計佔 2026 年下半年 HBM 收入逾 60%。2930

至於市佔率，則要較審慎看待。KB Securities 估計，三星到 2026 年第四季的 HBM 市佔率可接近 40%，較第二季的 33% 上升；這是分析師預測，不是公司指引，更不是保證會發生的結果。26

外判夥伴可以解決咩，解決唔到咩？

把組裝測試交予合作夥伴，主要可帶來三個作用：

• 守住成品產出：外部組裝及測試線可接手三星不再於內部擴充的 DDR5 模組與 SSD 工作。714
• 騰出稀缺的高階後段資源：三星可把廠房、設備及工程資源集中於 HBM 等先進記憶體流程。10
• 降低轉型期間的斷供風險：若沒有外部夥伴承接，在內部廠房重新配置期間，傳統記憶體成品可能更快出現後段樽頸。

但限制同樣清楚。OSAT 擴產不會製造額外 DRAM 晶圓，也不會自行增加 NAND 快閃記憶體輸出。計劃能否見效，還要視乎夥伴的投資、產品認證、零件供應，以及穩定放量能力。

真正較令人擔心的是傳統 DRAM

整個記憶體市場的壓力，並不只來自三星的封裝決定，更來自 AI 基建需求。TrendForce 預期，持續把產能分配給 HBM、AI 伺服器需求強勁，以及每台伺服器的記憶體用量上升，會令 DRAM 供應在 2027 年繼續偏緊，價格亦維持上行趨勢。46

即使供應商計劃在 2027 年新增產能，建廠、裝機、認證及爬坡都需時。TrendForce 指，這些新增產能未必到 2028 年才有明顯產出貢獻。4647

換言之，三星的外判安排可能紓緩的是已完成模組的供應樽頸，卻不能逆轉上游 DRAM 資源因 HBM 而變得緊張的結構性問題。對 PC 與伺服器採購方來說，仍要預備面對較高 DRAM 成本、配額供貨，以及長期供應合約愈來愈重要的情況。

SSD 與 NAND，唔應該照搬 DRAM 缺貨邏輯

DDR5 和 SSD 會在同一則消息出現，是因為兩者都涉及可交予外部夥伴處理的後段組裝與測試；但兩者的上游市場其實不同。

TrendForce 的 2027 年展望是 DRAM 供應偏緊，而 NAND 市況走向相對寬鬆。46 這不代表 SSD 必然便宜或充足——SSD 控制器、組裝產能、產品組合與需求都會影響供應及售價——但不能因為 DRAM 緊張，就直接推論 SSD 也會全面缺貨。

PC 與手機廠商要留意乜？

PC 廠商：DRAM 是最直接的成本壓力

持續供應緊張會推高材料成本，也令確實的供貨承諾更有價值。當供應商按配額分貨時，採購規模較小、庫存彈性較低的品牌，一般會面對更大風險。4446

手機廠商：影響較間接，但不能掉以輕心

流動 DRAM 和手機儲存並不會變成 HBM，但在一個愈來愈以 AI 記憶體為重心的市場，它們仍會與 HBM 爭奪供應商的投資和製造注意力。裝置品牌較可能採取更嚴謹的庫存管理、認證更多供應來源，以及審慎規劃記憶體容量配置，而不是假設供應很快回復正常。TrendForce 指出，產能轉向 HBM 正影響更廣泛的記憶體市場，包括流動 DRAM。41

2028 年會否鬆一口氣？仍未有定論

現時證據不足以斷言 2028 年會出現全面記憶體短缺。較穩妥的說法是：若 AI 需求持續強勁，而新產能爬坡緩慢，傳統 DRAM 的緊張狀況可延續至 2028 年；同時，預計到該段時間，新產能才可能開始較明顯改善供應。46

所以，三星這次據報的外判安排，較適合理解為一次針對性的營運調整：把傳統產品的組裝工作，跟 HBM4 的高階封裝擴張分開處理。它能減低成品組裝卡關的風險，但單靠這一步，無法解決市場的根本矛盾——愈來愈多有限的 DRAM 資源，正被分配給 AI 導向的 HBM。746

AI 伺服器對高頻寬記憶體（HBM）需求急升，據報三星電子正採取「兩條腿走路」的做法：把新增 DDR5 記憶體模組及 SSD 的組裝、測試量交予外判半導體封裝與測試（OSAT）夥伴，自己則保留有限的內部後段產能，集中做 HBM4 和先進封裝。

目的不是放棄傳統記憶體，而是在擴大 AI 記憶體產出的同時，盡量避免 PC、手提電腦及伺服器客戶突然缺少已完成的 DDR5 模組和 SSD 成品。710

不過，最重要的分別要先講清楚：外判組裝測試，不等於新增 DRAM 或 NAND 晶圓產能。它可以紓緩成品後段加工的樽頸，卻無法完全抵銷整個行業把更多 DRAM 資源投向 HBM 所帶來的供應壓力。946

三星實際外判咩？

報道所指，是三星把額外的 DDR5 模組與 SSD 組裝、測試工作交予外部合作夥伴，而非自行擴建相關後段生產線。簡單講，合作夥伴會把已生產的記憶體或儲存元件裝上電路板、完成測試，再將成品準備出貨。

這跟把 DRAM 或 NAND 晶片的晶圓製造外判，是兩回事。914

對買家而言，這代表夥伴的後段產能若能順利擴充，三星即使調整自家廠房重心，仍有機會維持 DIMM 記憶體模組和 SSD 成品的供應。但上游的 DRAM、NAND die 供應是否足夠，仍然是另一條問題。

Cheonan、Onyang 點解成為關鍵？

據報三星後段產能的空間及設備相當緊張。公司正重整韓國 Cheonan（天安）的後段業務，包括逐步把部分原先用於 Exynos 手機應用處理器封裝的工作，轉為 HBM 封裝用途。1019

另一方面，Onyang（溫陽）的擴建亦被報道與 HBM 導向的封裝產能有關。兩地調整後，更多三星內部能力可投放到 HBM 所需的堆疊、整合及測試流程，這些正是 AI 加速器所用 HBM 的核心後段工序。1820

要留意，這些仍屬業界報道，並非三星完整公開的產能藍圖。不過，現有報道的方向一致：較容易移交予合作夥伴的，是傳統模組與 SSD 的組裝；而 HBM 的高階後段工序，則仍是三星內部擴產的重點。710

HBM4 良率升至約 80%，加快放量的條件更成熟

TrendForce 引述業界報道指，三星 HBM4 良率已由量產初期不足 60%，升至約 80%。所謂良率，就是生產出來並通過測試、可供出售的產品比例；良率愈高，代表可交貨單位愈多，擴大產量也更具可行性。29

三星亦曾在業績相關發言中表示，第三季 HBM4 收入會較上一季增加逾兩倍，而 HBM4 預計佔 2026 年下半年 HBM 收入逾 60%。2930

至於市佔率，則要較審慎看待。KB Securities 估計，三星到 2026 年第四季的 HBM 市佔率可接近 40%，較第二季的 33% 上升；這是分析師預測，不是公司指引，更不是保證會發生的結果。26

外判夥伴可以解決咩，解決唔到咩？

把組裝測試交予合作夥伴，主要可帶來三個作用：

• 守住成品產出：外部組裝及測試線可接手三星不再於內部擴充的 DDR5 模組與 SSD 工作。714
• 騰出稀缺的高階後段資源：三星可把廠房、設備及工程資源集中於 HBM 等先進記憶體流程。10
• 降低轉型期間的斷供風險：若沒有外部夥伴承接，在內部廠房重新配置期間，傳統記憶體成品可能更快出現後段樽頸。

但限制同樣清楚。OSAT 擴產不會製造額外 DRAM 晶圓，也不會自行增加 NAND 快閃記憶體輸出。計劃能否見效，還要視乎夥伴的投資、產品認證、零件供應，以及穩定放量能力。

真正較令人擔心的是傳統 DRAM

整個記憶體市場的壓力，並不只來自三星的封裝決定，更來自 AI 基建需求。TrendForce 預期，持續把產能分配給 HBM、AI 伺服器需求強勁，以及每台伺服器的記憶體用量上升，會令 DRAM 供應在 2027 年繼續偏緊，價格亦維持上行趨勢。46

即使供應商計劃在 2027 年新增產能，建廠、裝機、認證及爬坡都需時。TrendForce 指，這些新增產能未必到 2028 年才有明顯產出貢獻。4647

換言之，三星的外判安排可能紓緩的是已完成模組的供應樽頸，卻不能逆轉上游 DRAM 資源因 HBM 而變得緊張的結構性問題。對 PC 與伺服器採購方來說，仍要預備面對較高 DRAM 成本、配額供貨，以及長期供應合約愈來愈重要的情況。

SSD 與 NAND，唔應該照搬 DRAM 缺貨邏輯

DDR5 和 SSD 會在同一則消息出現，是因為兩者都涉及可交予外部夥伴處理的後段組裝與測試；但兩者的上游市場其實不同。

TrendForce 的 2027 年展望是 DRAM 供應偏緊，而 NAND 市況走向相對寬鬆。46 這不代表 SSD 必然便宜或充足——SSD 控制器、組裝產能、產品組合與需求都會影響供應及售價——但不能因為 DRAM 緊張，就直接推論 SSD 也會全面缺貨。

PC 與手機廠商要留意乜？

PC 廠商：DRAM 是最直接的成本壓力

持續供應緊張會推高材料成本，也令確實的供貨承諾更有價值。當供應商按配額分貨時，採購規模較小、庫存彈性較低的品牌，一般會面對更大風險。4446

手機廠商：影響較間接，但不能掉以輕心

流動 DRAM 和手機儲存並不會變成 HBM，但在一個愈來愈以 AI 記憶體為重心的市場，它們仍會與 HBM 爭奪供應商的投資和製造注意力。裝置品牌較可能採取更嚴謹的庫存管理、認證更多供應來源，以及審慎規劃記憶體容量配置，而不是假設供應很快回復正常。TrendForce 指出，產能轉向 HBM 正影響更廣泛的記憶體市場，包括流動 DRAM。41

2028 年會否鬆一口氣？仍未有定論

現時證據不足以斷言 2028 年會出現全面記憶體短缺。較穩妥的說法是：若 AI 需求持續強勁，而新產能爬坡緩慢，傳統 DRAM 的緊張狀況可延續至 2028 年；同時，預計到該段時間，新產能才可能開始較明顯改善供應。46

所以，三星這次據報的外判安排，較適合理解為一次針對性的營運調整：把傳統產品的組裝工作，跟 HBM4 的高階封裝擴張分開處理。它能減低成品組裝卡關的風險，但單靠這一步，無法解決市場的根本矛盾——愈來愈多有限的 DRAM 資源，正被分配給 AI 導向的 HBM。746