三星鬥 HBM4 唔再只拼產能：先穩住良率，將每片晶圓變成更多可賣產品

三星面對 AI 記憶體短缺，並無選擇一味增加晶圓投片量。相反，市場消息指公司正將重點放在第六代 1c DRAM 的轉換、改善良率，以及提升生產效率，務求在未大幅擴充名義產能的情況下，增加真正可以交付的 HBM4 數量。

所以，單看產能數字，三星的計劃似乎比較保守；但另一個解讀係，公司希望先將現有廠房轉變成更高密度、利潤更高的記憶體生產基地，再決定是否進行更大規模擴建。

2026 年之後，三星晶圓產能增長明顯放慢

根據 Omdia 數據及《朝鮮日報》旗下 ChosunBiz 報道，三星 DRAM 年產能預計約為：2025 年 769.5 萬片晶圓、2026 年 817.5 萬片、2027 年 828 萬片。換算之下，2026 年增長約 6%，但 2027 年只有約 1.3%。2

要留意，這些數字反映的是以晶圓計算的投片產能，並不等於三星最終可以出售的 HBM 封裝數量，亦不直接代表可售記憶體位元數。當製程由 1b 轉向更先進的 1c，單純比較晶圓投片量，未必能完整反映實際產出。

三星真正想追求的，是每片合格晶圓製造更多可用位元，以及更多通過認證、可以出售的高階產品。

這並不代表三星完全放棄擴產。業界報道指，公司正透過生產線改造及安裝設備，增加 1c DRAM 產能；另外亦有報道指三星目標在 2026 年大幅提高 HBM 產量。35

點解良率比晶圓數量更關鍵？

HBM4 不是將 DRAM 晶片造出來就完成。整個流程至少包括幾個互相串聯的良率環節：先要成功製造 DRAM die，之後再進行矽通孔（TSV）加工、晶片堆疊及鍵合，最後還要將整個記憶體堆疊通過測試。任何一個步驟出現問題，都可能令原本一片晶圓能夠產出的合格產品數量下降。22

換句話說，如果製程尚未穩定，單純將更多晶圓投入生產，可能只會增加在製品、報廢品及生產成本，卻未能帶來相應數量的可售 HBM4。

1c DRAM 的製程轉換亦令情況更複雜。三星正將生產轉向面向 HBM4 的新一代節點，但業界報道特別指出，1c DRAM 本身的良率，與完成整個 HBM4 產品後的「有效良率」並不是同一回事。DRAM die 良率成熟，並不代表多層 HBM 產品已經可以穩定、具成本效益地大量生產。28

三星 HBM4 良率的變化，正好說明製程穩定性點解如此重要。業界報道指，三星在 2026 年 2 月開始量產時，HBM4 良率低於 60%，到 8 月已接近 80%。1721 這些數字屬於業界估算，並非三星完整公開的生產賬目；不過，數字仍反映出，在增加名義晶圓產能之前，先提升良率可能更加有價值。

三星仍然有產能優勢，但 SK hynix 正縮窄差距

同一組 Omdia 預測顯示，SK hynix 的 DRAM 年產能將由 2025 年 606 萬片晶圓，增至 2026 年 666 萬片，再升至 2027 年 729 萬片。2

按照這些數字計算，三星的產能優勢約為：

• 2025 年：163.5 萬片晶圓
• 2026 年：151.5 萬片晶圓
• 2027 年：99 萬片晶圓

即是話，差距係逐年收窄，而不是 2026 年突然由 164 萬片跌至 99 萬片。以晶圓產能計，三星仍然較大；但 SK hynix 預計以更快速度擴產。

不過，HBM 競爭從來不只是「邊間有更多晶圓」。供應商還要處理產品認證、先進封裝、穩定交付，以及能否持續滿足客戶規格等問題。市場報道一直形容 SK hynix 是主要 AI 客戶的重要 HBM 供應商，而三星則正努力改善自己在 HBM4 市場的地位。1324

如果 AI 客戶最重視即時可用、已完成認證的貨源，SK hynix 會較有優勢。三星的反擊方式，則是希望透過更高的 1c 及 HBM4 良率，在相對穩定的廠房基礎上，製造更多真正可出售的記憶體。

三星「先改善良率」策略有咩好處？

用現有廠房製造更多產品

如果三星能夠提高每片晶圓的合格 1c die 數量，再改善完整 HBM4 堆疊的良率，實際產出增長就可以快過晶圓投片量。這有助降低每個位元的成本，亦能提升現有設備及廠房的使用效率。

減低記憶體週期逆轉時的風險

控制擴產速度，亦可以減少在記憶體市場高峰期過度增加傳統 DRAM 產能的風險。三星可以選擇性改造部分生產線，轉向密度更高、價值更高的產品；如果日後需求或價格改變，公司仍保留一定彈性。

重新爭取高階 AI 記憶體訂單

HBM4 位於 AI 加速器供應鏈的核心位置，因此對三星的策略地位十分重要。據報三星 HBM4 良率由量產初期低於 60%，提升至 2026 年稍後接近 80%，顯示製程學習進度可能有助公司重新爭取高階 HBM 業務。17

最理想的結果，不只是帳面上的晶圓產能增加，而是三星由「名義產能領先」轉向「能夠穩定通過認證並交付的 HBM 產出領先」。

但等良率改善，也有明顯風險

這個策略的容錯空間並不大。如果 1c 良率、HBM 組裝，或者客戶認證進度不如預期，三星可能一邊失去時間，一邊見到 SK hynix 持續擴產。

公司亦可能要在傳統 DRAM、HBM 及伺服器記憶體之間作出取捨。生產線改造期間，設備及廠房需要轉換和重新驗證，短期可用產量可能因此收緊；即使長遠目標是提高每片晶圓的位元密度及生產效率，過渡期仍可能令供應更緊張。

另一個問題是市場時機。如果 AI 需求在三星仍然調整製程期間持續強勁，SK hynix 便可能憑較快的產能增長及較成熟的 HBM 交付能力，取得一些日後難以追回的訂單。

記憶體短缺，點解連傳統 DRAM 都受影響？

AI 熱潮不只增加 HBM 需求，亦改變了整個 DRAM 供應分配。記憶體供應商正將晶圓產能、設備、封裝資源及工程人手轉向 HBM 和伺服器產品。業界報道指，這種重新分配已經推高傳統 DRAM 價格。37

TrendForce 預測，2026 年第二季傳統 DRAM 合約價格按季上升 58% 至 63%，而第一季則預計按季上升 90% 至 95%。46 這些屬於市場預測，並非保證會實現的結果；但它們說明，一場原本集中在 AI 基建的 HBM 供應緊張，已經可以傳導至 PC、一般伺服器及其他不直接使用 HBM 的系統。

因此，問題並不是宣布增加晶圓產能就可以即時解決。新生產線要先安裝設備、完成改造、通過認證，再以可接受的良率運作。在這些條件具備之前，生產重心轉向 AI 記憶體，反而會令傳統產品的供應減少。

對 AI 硬件買家有咩影響？

記憶體已經由單一零件，變成 AI 基建的系統成本及供應問題。Tom's Hardware 引述 Bloomberg 報道及分析師預測指，Nvidia 曾向部分大型客戶警告，2027 年初出貨的 Grace Blackwell 及 Vera Rubin 系統，價格可能上升逾 15%；記憶體成本上升是主要原因之一。32

記憶體價格上升，會增加雲端服務商的資本開支，亦可能令規模較小的買家部署 AI 系統時面對更高成本。實際轉嫁到終端價格的幅度，仍會視乎系統配置及供應商合約而定；但大方向已經清楚：記憶體供應正逐漸成為 AI 運算經濟的一部分，而不再只是零件層面的問題。

結論：真正要睇的，不是晶圓總數

三星放慢 DRAM 產能增長，較合理的理解是「良率及產品組合策略」，而不是 AI 記憶體需求轉弱。公司押注的是更高密度的 1c DRAM，以及更成熟的 HBM4 良率，令每片晶圓產出更多高價值、真正可出售的產品。

這個押注在經濟上有其合理性，尤其是 HBM4 良率持續改善的話。不過，風險同樣很高。三星仍要將製程進步轉化成穩定、通過客戶認證的出貨，而 SK hynix 正以更快速度擴產，整個市場亦仍然面對記憶體短缺。

所以，接下來最值得留意的，不是三星單純有幾多片晶圓，而是以下幾個指標能否同步改善：每片晶圓的合格 die 數量、完整 HBM4 堆疊良率、已通過認證的客戶出貨量，以及最終交付的記憶體位元數。

如果這些指標改善速度快過名義產能，三星今日看似保守的策略，可能最終變成競爭優勢；但如果良率和交付未能跟上，三星剩餘的晶圓產能優勢，可能仍然不及 SK hynix 更快的量產速度重要。