ASML High‑NA EUV：推動次世代2納米以下晶片嘅關鍵技術

High‑NA EUV 可以直接印出更細線寬，意味住某些關鍵層可以：

• 減少多次曝光步驟
• 簡化製造流程
• 降低缺陷率並提升良率

因此，業界普遍認為 High‑NA EUV 係 2nm以下邏輯製程同下一代記憶體縮放 嘅核心技術之一。

呢部機究竟有幾誇張？

High‑NA EUV 被視為人類製造過最複雜嘅工業設備之一。

• 價格：約 3.5億至4億美元一部。
• 體積：大約同 雙層巴士 差唔多大，內含數千個精密零件。
• 產能：現時量產版本大約 175至200片晶圓/小時。

由於每部機成本極高，晶片廠需要仔細計算：究竟減少製程步驟帶來嘅效率提升，值唔值得呢筆巨額資本開支。

邊啲公司已經開始部署

High‑NA EUV 目前只限於全球最頂級嘅晶片製造商採用。

• Intel：最早收到 High‑NA 系統嘅公司之一，並同 ASML 長期合作開發。
• Samsung Electronics：據報已接收多部機器，準備未來量產線使用。
• SK hynix：已安裝一部 High‑NA EUV，用於加速下一代記憶體研發。

產業報告普遍認為，Intel、Samsung 同 SK hynix 將會係最早將呢項技術帶入量產嘅公司。

首批晶片同量產時間

High‑NA EUV 已經由實驗階段走向商用。

• 第一批系統已於 2025年開始交付客戶。
• 更廣泛部署預計 2026年開始。
• 大規模量產時間點，業界估計可能係 2027至2028年。

短期內，標準 EUV 同 High‑NA EUV 會同時存在。即使進入先進製程節點，很多層仍然會繼續使用現有 EUV 系統。

對邏輯晶片同記憶體嘅影響

邏輯處理器（CPU、GPU、AI晶片）

對於處理器同 AI 加速器，High‑NA EUV 可以帶來：

• 更細嘅電晶體結構
• 更密集嘅金屬互連
• 更高晶體管密度

晶體管密度越高，意味住同一面積可以放更多計算單元，因此對 AI 加速器同高效能運算（HPC）晶片 特別重要。

記憶體晶片

High‑NA EUV 亦可能幫助 先進 DRAM 繼續縮小特徵尺寸。部分預測認為，未來 AI 系統需要嘅高頻寬記憶體，可能會依賴 2nm以下結構嘅 DRAM 技術。

AI熱潮點樣推動ASML增長

ASML嘅生意幾乎完全同半導體產業發展綁定。公司披露，2025年總銷售額達327億歐元，淨利潤約96億歐元。

公司管理層指出，AI運算需求急速增加，特別係：

• 更高計算密度
• 高頻寬記憶體（HBM）需求

呢啲趨勢令晶片廠需要更先進嘅光刻技術，直接推動 EUV 甚至 High‑NA EUV 設備需求。

同時，ASML目前仍然係 全球唯一能提供 EUV 光刻機嘅公司，令佢喺最先進晶片製造設備市場佔據關鍵地位。

ASML全球布局：印度合作計劃

除了技術升級，ASML亦開始拓展新市場。

2026年，Tata Electronics 同 ASML 簽署合作協議，支持印度喺古吉拉特邦建立首座前端晶圓廠。

項目包括：

• 約 110億美元投資
• 使用 300mm晶圓製程

呢個計劃係印度建立本土半導體產業嘅重要一步。不過，目前公開資料並未確認該工廠會使用 High‑NA EUV 技術。

大局：延續摩爾定律嘅關鍵設備

High‑NA EUV 被視為 EUV 出現以來最大一次光刻技術升級。透過更高解析度同更少曝光步驟，晶片廠可以繼續提升晶體管密度，將製程推進到 2納米以下。

但同時，呢項技術成本極高、工程難度極大，只有少數頂級半導體公司有能力部署。

如果目前產業時間表成立，2020年代後期 很可能會成為 High‑NA EUV 從尖端技術走向主流製造平台嘅關鍵轉折點。