AI基建熱潮正令記憶體變成另一個供應瓶頸。問題唔係市場只欠一款高階晶片，而係同一批製造資源，要同時供應AI所需嘅高頻寬記憶體（HBM）、高容量伺服器DRAM，以及一般電腦、手機所用嘅DRAM同快閃儲存。

對三星、SK hynix同Micron等廠商嚟講，HBM、伺服器DRAM及企業級儲存產品回報更高，產能自然優先流向數據中心；留畀消費級產品嘅供應便會變緊。結果係，AI加速器以外嘅記憶體市場一樣受波及。4152

關鍵在於：有限產能被重新分配

HBM係配合AI加速器使用嘅高階DRAM，除咗要用DRAM晶圓，亦涉及堆疊、測試同先進封裝等複雜工序。另一方面，AI伺服器本身亦需要大量常規伺服器記憶體，以及企業級NAND快閃儲存。

呢啲產能唔係話轉就轉、想加就即刻加。當三星、SK hynix同Micron更集中做AI導向產品，傳統DRAM供應就會收緊。S&P Global指出，產能轉向HBM，正正係傳統DRAM短缺及加價嘅直接推動因素。41

而且，市場集中度極高：三星、SK hynix及Micron合共控制約九成至九成半全球DRAM生產產能。三間公司調整產品組合，足以影響全球供應。47

「DRAM升逾200%」要點樣理解？

「按年升逾200%」呢個講法要小心解讀。TechInsights預測DRAM價格可能按年升超過200%，但呢個係預測，唔係已確認、適用於所有產品及市場嘅統一成交價。36

不過，現有數據的確反映價格壓力異常大。TrendForce預測，2026年第三季傳統DRAM合約價會再按季升13%至18%，即使之前已大幅上升，市場依然極度緊張。51 另外，韓國8月部分時段DRAM出口單位價格按年升401%；但呢項係貿易統計指標，唔可以直接當成零售價或全部合約價嘅基準。33

實際升幅會因產品種類、合約、地區同時間而不同，但整體方向相當清楚：記憶體成本正急升。

「賣晒至2027年」唔等於所有RAM都冇貨

市場所講嘅「售罄」，唔應理解成2027年前每一種RAM或快閃記憶體都完全買唔到。較有根據嘅說法係：前沿HBM同高密度伺服器記憶體正處於非常嚴格嘅配額分配狀態，而大型客戶嘅需求已提早預訂。

例如，有報道指Micron 2026年全數HBM產量已售罄；三大供應商2027年嘅DRAM及HBM產能亦被大幅預留。3440 呢個更似係「先到先得、長約優先」嘅市場：有長期承諾、策略地位較高嘅買家會先攞到貨，其他客戶則可能面對更貴價格、更少彈性，或者要改用其他規格。

買電腦、手機會有咩影響？

記憶體成本急升，品牌廠大致只有幾個選擇：

• 自行吸收零件加價：代價係毛利被壓縮；
• 提高零售價：尤其RAM、儲存容量較大嘅型號；
• 調整規格或推廣力度：例如主力賣較低記憶體配置、減少減價優惠，或改變產品組合；
• 調整產量計劃：如果指定零件冇貨，或者成本高到唔划算。

IDC預期壓力會同時影響價格同出貨量。其預測顯示，2026年全球PC出貨量或跌11.3%，但由於平均售價提高，收入反而升1.6%；智能手機出貨量則可能跌12.9%。IDC亦預計記憶體供應問題會持續整個2026年，並很可能延伸至2027年大部分時間。以上都係預測，最終消費需求仍會限制廠商可以將幾多成本轉嫁畀買家。56

影響亦未必平均。記憶體用量高嘅電競PC、工作站、旗艦手機，以及配備大容量SSD嘅產品，通常較容易受零件通脹影響；不過，品牌可以透過改配置去減輕衝擊。

新廠點解唔會即刻解決短缺？

建廠唔係起好樓就有晶片賣。由興建、安裝設備、製程認證、改善良率，到量產爬坡，全部都要時間。HBM更加複雜，因為DRAM晶圓供應之外，堆疊同先進封裝產能都要同步擴大。

較快到位嘅新產能包括：SK hynix嘅M15X設施預計2027年年中投入使用，三星平澤P5設施則預期2028年運作。21 但SK hynix其他大型項目，有啲要到2028年底或2029年先進入首個無塵室階段，反映宣布投資並不等於即時有可出售供應。17

所以，2027年即使供應會逐步改善，都未必會突然變成供過於求。TrendForce指出，多個供應商計劃在2027年加入新產能，但建設、裝機及物料準備會令有意義嘅量產爬坡延後。52

2028年會唔會開始鬆綁？

到2028年出現紓緩係有可能，但絕非必然，而且要睇邊一類記憶體。

TrendForce預計，隨住新產能投放、消費電子需求疲弱，NAND快閃記憶體可能於2027年下半年轉為供應較寬鬆；但DRAM方面，HBM產能分配、AI伺服器需求及伺服器記憶體採購，預料仍會令供應受限、價格向上。52

三星亦曾警告，至2028年未必會有顯著新增供應。值得留意嘅變數包括：AI伺服器建設速度、HBM良率、先進封裝產能、新廠量產進度，以及廠商會否把更多產能調回傳統DRAM。53

中國可幫到部分市場，但短期未解到HBM缺口

中國兩間主要記憶體廠嘅定位並不相同：

• YMTC主力做NAND快閃記憶體。其增產長遠可影響客戶端SSD等快閃產品，但唔係目前最緊張嘅先進DRAM及HBM嘅直接替代品。
• CXMT就較關乎DRAM供應。據報道，CXMT已開始小規模生產供本土AI晶片開發商使用嘅HBM3E；但其大規模量產能力仍有待證明。4

出口管制亦增加不確定性。路透社報道，YMTC已被列入美國「實體清單」，取得美國來源供應商、軟件及生產工具受到限制；針對YMTC與CXMT嘅進一步限制亦曾被討論。1 呢類限制會令擴產速度、取得先進製造能力嘅可預測性下降。

因此，中國供應商日後可望在傳統DRAM及NAND、特別是中國本土需求方面扮演更大角色；但現有證據唔支持將其視為短期解決最前沿HBM短缺嘅方案。

總結：AI爭嘅唔只係一種高階晶片

今次AI記憶體緊張，本質上係晶圓、先進封裝同長期採購承諾之間嘅產能分配問題。HBM需求急升，會推高一般DRAM同快閃記憶體成本，最終影響PC、手機同企業IT設備。

較穩妥嘅判斷係：供應緊張很可能持續至2027年；隨新增產能爬坡，之後或有不平均嘅改善。NAND可能先見到寬鬆，DRAM與HBM則只要AI數據中心需求仍跑贏合資格供應，便較可能繼續受限。5253

AI基建熱潮正令記憶體變成另一個供應瓶頸。問題唔係市場只欠一款高階晶片，而係同一批製造資源，要同時供應AI所需嘅高頻寬記憶體（HBM）、高容量伺服器DRAM，以及一般電腦、手機所用嘅DRAM同快閃儲存。

對三星、SK hynix同Micron等廠商嚟講，HBM、伺服器DRAM及企業級儲存產品回報更高，產能自然優先流向數據中心；留畀消費級產品嘅供應便會變緊。結果係，AI加速器以外嘅記憶體市場一樣受波及。4152

關鍵在於：有限產能被重新分配

HBM係配合AI加速器使用嘅高階DRAM，除咗要用DRAM晶圓，亦涉及堆疊、測試同先進封裝等複雜工序。另一方面，AI伺服器本身亦需要大量常規伺服器記憶體，以及企業級NAND快閃儲存。

呢啲產能唔係話轉就轉、想加就即刻加。當三星、SK hynix同Micron更集中做AI導向產品，傳統DRAM供應就會收緊。S&P Global指出，產能轉向HBM，正正係傳統DRAM短缺及加價嘅直接推動因素。41

而且，市場集中度極高：三星、SK hynix及Micron合共控制約九成至九成半全球DRAM生產產能。三間公司調整產品組合，足以影響全球供應。47

「DRAM升逾200%」要點樣理解？

「按年升逾200%」呢個講法要小心解讀。TechInsights預測DRAM價格可能按年升超過200%，但呢個係預測，唔係已確認、適用於所有產品及市場嘅統一成交價。36

不過，現有數據的確反映價格壓力異常大。TrendForce預測，2026年第三季傳統DRAM合約價會再按季升13%至18%，即使之前已大幅上升，市場依然極度緊張。51 另外，韓國8月部分時段DRAM出口單位價格按年升401%；但呢項係貿易統計指標，唔可以直接當成零售價或全部合約價嘅基準。33

實際升幅會因產品種類、合約、地區同時間而不同，但整體方向相當清楚：記憶體成本正急升。

「賣晒至2027年」唔等於所有RAM都冇貨

市場所講嘅「售罄」，唔應理解成2027年前每一種RAM或快閃記憶體都完全買唔到。較有根據嘅說法係：前沿HBM同高密度伺服器記憶體正處於非常嚴格嘅配額分配狀態，而大型客戶嘅需求已提早預訂。

例如，有報道指Micron 2026年全數HBM產量已售罄；三大供應商2027年嘅DRAM及HBM產能亦被大幅預留。3440 呢個更似係「先到先得、長約優先」嘅市場：有長期承諾、策略地位較高嘅買家會先攞到貨，其他客戶則可能面對更貴價格、更少彈性，或者要改用其他規格。

買電腦、手機會有咩影響？

記憶體成本急升，品牌廠大致只有幾個選擇：

• 自行吸收零件加價：代價係毛利被壓縮；
• 提高零售價：尤其RAM、儲存容量較大嘅型號；
• 調整規格或推廣力度：例如主力賣較低記憶體配置、減少減價優惠，或改變產品組合；
• 調整產量計劃：如果指定零件冇貨，或者成本高到唔划算。

IDC預期壓力會同時影響價格同出貨量。其預測顯示，2026年全球PC出貨量或跌11.3%，但由於平均售價提高，收入反而升1.6%；智能手機出貨量則可能跌12.9%。IDC亦預計記憶體供應問題會持續整個2026年，並很可能延伸至2027年大部分時間。以上都係預測，最終消費需求仍會限制廠商可以將幾多成本轉嫁畀買家。56

影響亦未必平均。記憶體用量高嘅電競PC、工作站、旗艦手機，以及配備大容量SSD嘅產品，通常較容易受零件通脹影響；不過，品牌可以透過改配置去減輕衝擊。

新廠點解唔會即刻解決短缺？

建廠唔係起好樓就有晶片賣。由興建、安裝設備、製程認證、改善良率，到量產爬坡，全部都要時間。HBM更加複雜，因為DRAM晶圓供應之外，堆疊同先進封裝產能都要同步擴大。

較快到位嘅新產能包括：SK hynix嘅M15X設施預計2027年年中投入使用，三星平澤P5設施則預期2028年運作。21 但SK hynix其他大型項目，有啲要到2028年底或2029年先進入首個無塵室階段，反映宣布投資並不等於即時有可出售供應。17

所以，2027年即使供應會逐步改善，都未必會突然變成供過於求。TrendForce指出，多個供應商計劃在2027年加入新產能，但建設、裝機及物料準備會令有意義嘅量產爬坡延後。52

2028年會唔會開始鬆綁？

到2028年出現紓緩係有可能，但絕非必然，而且要睇邊一類記憶體。

TrendForce預計，隨住新產能投放、消費電子需求疲弱，NAND快閃記憶體可能於2027年下半年轉為供應較寬鬆；但DRAM方面，HBM產能分配、AI伺服器需求及伺服器記憶體採購，預料仍會令供應受限、價格向上。52

三星亦曾警告，至2028年未必會有顯著新增供應。值得留意嘅變數包括：AI伺服器建設速度、HBM良率、先進封裝產能、新廠量產進度，以及廠商會否把更多產能調回傳統DRAM。53

中國可幫到部分市場，但短期未解到HBM缺口

中國兩間主要記憶體廠嘅定位並不相同：

• YMTC主力做NAND快閃記憶體。其增產長遠可影響客戶端SSD等快閃產品，但唔係目前最緊張嘅先進DRAM及HBM嘅直接替代品。
• CXMT就較關乎DRAM供應。據報道，CXMT已開始小規模生產供本土AI晶片開發商使用嘅HBM3E；但其大規模量產能力仍有待證明。4

出口管制亦增加不確定性。路透社報道，YMTC已被列入美國「實體清單」，取得美國來源供應商、軟件及生產工具受到限制；針對YMTC與CXMT嘅進一步限制亦曾被討論。1 呢類限制會令擴產速度、取得先進製造能力嘅可預測性下降。

因此，中國供應商日後可望在傳統DRAM及NAND、特別是中國本土需求方面扮演更大角色；但現有證據唔支持將其視為短期解決最前沿HBM短缺嘅方案。

總結：AI爭嘅唔只係一種高階晶片

今次AI記憶體緊張，本質上係晶圓、先進封裝同長期採購承諾之間嘅產能分配問題。HBM需求急升，會推高一般DRAM同快閃記憶體成本，最終影響PC、手機同企業IT設備。

較穩妥嘅判斷係：供應緊張很可能持續至2027年；隨新增產能爬坡，之後或有不平均嘅改善。NAND可能先見到寬鬆，DRAM與HBM則只要AI數據中心需求仍跑贏合資格供應，便較可能繼續受限。5253